硅电容技术特性 - 采用单晶硅衬底与半导体工艺实现三维微结构，具备高纯度电介质层，性能显著优于传统MLCC [3] - 容值稳定性比MLCC高10倍以上，温度/偏压/老化引起的容值漂移极低 [3] - 厚度可低于50微米，单位面积容量提升10倍，ESL和ESR极低，保障信号完整性 [3] - 单晶硅结构无晶界缺陷，彻底解决MLCC的微裂纹、压电噪声等问题 [3][5] 硅电容应用场景 - 5G/6G通信领域需高频特性与小型化，01005尺寸成为研发重点 [7] - 汽车电子中ADAS、LiDAR等应用要求耐高温(-55℃至+250℃)与耐高压 [8] - HPC与AI数据中心依赖超低ESL电容解决PDN供电网络挑战 [9] - 医疗设备、光通信等领域通过减少元件数量提升系统可靠性 [4][12] 硅电容与MLCC性能对比 - 电容稳定性：硅电容全工况无衰减，MLCC存在标称值与实际值差异 [5] - 高频阻抗：硅电容ESR/ESL超低，自谐振频率(SRF)更高 [5] - 可靠性：硅电容无压电效应，MLCC易因应力产生微裂纹 [5] - 供应链：硅电容可本土化生产，MLCC曾多次出现全球缺货 [5] 森丸电子产品矩阵 - **DTC沟槽硅电容**：深硅刻蚀工艺，容值0.08-4.6nF，ESR低至13mΩ，击穿电压150V，应用于光通信PDN网络 [11][14] - **MIM表贴硅电容**：平面薄膜工艺，容值0.2-15pF，温漂系数70ppm/°C，适合射频匹配电路 [20][23] - **MIS硅电容**：金属-绝缘体-半导体结构，容值0.8-100nF，耐压>150V，用于耦合/滤波器 [24][28] - **玻璃电容(GMIM)**：玻璃基材机械稳定性强，容值0.1-2nF，击穿电压100-300V，适用高频射频领域 [30][33] 行业技术趋势 - 电容器向"五高一小"发展：高容、高频、耐高温、耐高压、高可靠性及小型化(如0201/01005尺寸) [6] - CPO封装技术推动超低ESL电容需求，HPC芯片功耗增长驱动电源完整性创新 [9] - 半导体工艺赋能无源元件集成，硅电容成为高性能电子系统的"性能心脏" [4][10]

半导体行业发展趋势 - 数据传输速度和安全性成为半导体行业的关键挑战，人工智能、联网车辆、5G和物联网的爆发式增长推动了对高性能计算和低功耗芯片的需求激增 [1] - 内存带宽与数据处理安全性的瓶颈日益凸显，接口IP和安全IP技术成为行业突破的核心驱动力，直接影响芯片效能、兼容性及抗攻击能力 [1] Rambus公司技术优势 - Rambus是接口IP和安全IP技术的先驱者，其创新的高速接口技术重新定义了内存与系统间的数据传输标准 [1] - 公司提供DDR内存接口、HBM3/4和PCIe 5/6等解决方案，显著提升了数据中心、边缘计算等场景的性能上限 [1] - 在安全IP领域，Rambus拥有信任根技术、安全协议引擎、内联密码引擎、后量子密码算法加速器核等解决方案，构建了强大的产品组合 [1] 技术探讨会概述 - 会议聚焦AI和汽车两大热门方向，Rambus联合M31、晶心科技、Brightsight、ETAS、DPLSLab、CoMIRA、Riscure等行业合作伙伴共同举办 [2] - 会议时间为2025年7月9日8:30-17:30，地点为北京丽亭华苑酒店 [3][4] 上午会议内容 - 重点讨论用于人工智能和其他先进应用的最新接口和安全IP解决方案，包括量子安全加密、信任根、HBM4、GDDR7、PCIe 6.1/7.0、CXL3.1、MIPI等 [6] - 会议议程涵盖内存选择（HBM、GDDR、LPDDR）、PCIe和CXL在AI时代的关键作用、以太网IP布局、MIPI CSI-2传感器技术等 [9] 下午会议内容 - 深入探讨汽车安全解决方案，包括智慧联网汽车硬件和软件设计的最新趋势和挑战 [7] - 会议内容涵盖生态系统的合作、安全性和功能安全的规定和要求、最新的评估方法等 [7] - 具体议题包括芯片与零部件安全测试、GB44495及OEM网络安全规范、R155合规性方法、FUSA处理器、车规级芯片网络安全评估体系等 [11]

混合键合技术概述 - 混合键合技术成为晶圆代工、存储芯片和半导体设备巨头的重点发展方向，台积电、三星等公司均在其路线图中提及该技术[1] - 随着摩尔定律发展进入后半段，先进封装技术成为推动芯片性能飞跃的关键，而混合键合作为2.5D和3D封装的核心互联技术备受关注[2] - 传统互联技术（引线键合、倒装芯片键合、硅通孔）面临信号传输路径长、工艺复杂、成本高等局限性，混合键合技术可有效解决这些问题[2][3] 混合键合技术原理与优势 - 混合键合通过直接铜对铜连接取代传统凸点或焊球互连，实现超精细间距堆叠和三维集成[4] - 技术优势包括：1）直接互连存储器层和逻辑层，提高传输速度并降低功耗；2）缩短导线长度；3）1平方毫米面积可连接10,000-100,000个通孔；4）减少机械应力，提高可靠性[5] - 支持更高数据传输速度和更低能耗，芯片厚度可减至20µm，实现16hi甚至20hi堆叠[5][12] 混合键合在HBM领域的应用 - HBM5 20hi产品将大规模应用混合键合技术，三大存储厂商（SK海力士、三星、美光）已确定采用[10][12] - 在775µm模块高度限制下，混合键合无间隙结构优于微凸块技术（14.5µm凸块高度），支持24hi堆叠[12] - SK海力士已在HBM2E上测试混合键合并通过可靠性测试，计划在HBM4采用[20] - 三星使用混合键合设备制作16层HBM样品并验证正常运行[22] 主要厂商技术进展 台积电 - 3D封装SoIC采用混合键合技术，SoIC-X用于AMD CPU 3D V缓存和Instinct MI300系列AI产品[14] - 混合键合使芯片接点密度提升15倍，互联能效超过三倍，间距可低于10µm[14] - 计划2025年推出SoIC-P技术（25µm间距），2027年实现16µm间距的N2/N3芯片堆叠[15] 英特尔 - 2020年发布混合键合技术，3D Foveros立体封装中凸点间距从50µm缩小到10µm[17][19] - 每平方毫米凸点数量从400个增至1万个，提升25倍[19] 存储厂商 - 三星研发4F Square DRAM，芯片表面积减少30%，计划在16层及以上HBM采用混合键合[22] - 美光正在研究HBM4中应用混合键合技术[22] 市场前景 - 全球混合键合技术市场预计从2023年1.2349亿美元增长至2030年6.1842亿美元，CAGR 24.7%[22] - 亚太地区市场预计从2023年8140万美元增长至2030年4.2472亿美元，CAGR 26.05%[22]

半导体行业发展趋势 - 数据传输速度和安全性成为半导体行业关键挑战 随着人工智能 联网车辆 5G和物联网的爆发式增长 市场对高性能计算和低功耗芯片的需求激增 [1] - 内存带宽与数据处理安全性的瓶颈日益凸显 接口IP和安全IP技术成为行业突破的核心驱动力 直接决定芯片效能 兼容性及抗攻击能力 [1] Rambus公司技术优势 - Rambus是高速接口技术领域的先驱 重新定义内存与系统间的数据传输标准 其DDR内存接口 HBM3/4和PCIe 5/6等解决方案显著提升数据中心 边缘计算等场景的性能上限 [1] - 公司拥有丰富的安全IP解决方案 包括信任根技术 安全协议引擎 内联密码引擎 后量子密码算法加速器核等 构建了强大的产品组合 [1] 技术研讨会核心内容 - 上午会议聚焦人工智能领域 讨论最新接口和安全IP解决方案 包括量子安全加密 信任根 HBM4 GDDR7 PCIe 6.1/7.0 CXL3.1 MIPI等技术 [6] - 下午会议深入探讨汽车安全解决方案 涵盖智慧联网汽车硬件和软件设计的最新趋势 生态系统合作 安全性和功能安全规定 评估方法等 [7] 人工智能技术分会场议程 - 选择合适的内存(HBM GDDR LPDDR)用于训练和推理 [9] - PCIe和CXL成为AI时代关键互连技术 [9] - 以太网IP在Scale Out Up的前沿布局 [9] - MIPI CSI-2先进传感器技术助力自动驾驶 [9] - AI时代的安全挑战 [9] 智能汽车安全分会场议程 - 芯片与零部件安全测试与整车信息安全合规协同 [11] - 本土芯片满足GB44495及OEM网络安全规范 [11] - 安全实验室对R155合规性的方法以及PQC更新 [11] - FUSA处理器驱动汽车革命新浪潮 [11] - 车规级芯片网络安全评估体系 [11] - 互联汽车安全IP解决方案 [11]

文章核心观点 - 3D IC技术通过垂直堆叠多个芯片形成三维结构，相比传统平面集成电路，能显著缩短元件间物理距离，从而提升性能、降低功耗并缩小尺寸 [1] - 该技术是半导体行业追求更高性能和更强大功能的自然演进结果，其发展得益于制造工艺、材料科学和设计方法的显著改进 [2] - 全球3D IC市场正经历前所未有的增长，主要驱动力来自人工智能、机器学习、高性能计算等领域对更复杂电子系统的需求 [3] - 3D IC技术的优势具有变革性，涵盖了性能增强、电源效率、热管理以及系统集成度等多个维度，对未来电子系统设计影响深远 [10][20] 3D IC技术的基本架构与关键创新 - 关键技术包括用于垂直连接的硅通孔（TSV）、先进封装技术、先进的热管理系统以及复杂的电力输送网络 [4] - 架构演变的关键里程碑包括硅中介层技术介绍、TSV制造工艺的开发、芯片对芯片键合技术的进步以及异构技术集成 [5] 3D IC技术的优势 - **性能增强**：通过垂直堆叠芯片缩短互连组件物理距离，直接降低信号延迟并优化时序特性，使系统能在保持信号完整性的同时以更高频率运行 [14] - **电源效率和热管理**：3D设计固有的较短互连长度降低了寄生电容和电阻，从而降低信号传输功耗，对电池供电设备和数据中心尤为重要 [15] - **行业应用及影响**：在人工智能和高性能计算领域具有变革性，将高带宽内存与处理单元紧密集成的能力彻底改变了系统架构，实现更低延迟和更高内存带宽 [16] - **经济和制造效益**：混合使用不同工艺节点和技术的能力使制造商能够优化性价比，灵活的制造策略有助于企业在保持高性能标准的同时最大化投资回报 [17] 设计与验证考虑 - 3D IC技术的实施需要全面的设计和验证方法，物理验证系统在确保设计可靠性和性能方面至关重要 [7] - 热管理是3D IC设计中最严峻的挑战之一，必须通过精心设计和分析来应对多层有源层堆叠带来的独特热挑战 [7] - 信号完整性和功率传输需要仔细考虑，先进的仿真和验证工具能够全面分析和优化电气性能 [7] - 基本验证要求包括功能验证和测试、热应力和机械应力分析、信号和电源完整性验证以及生产工艺验证 [13] 市场驱动因素与行业应用 - 主要市场驱动因素包括数据中心和云计算扩展、人工智能和机器学习要求、移动设备的进步以及汽车电子的演变 [12] - 主要行业应用包括高性能计算和数据中心、人工智能和机器学习系统、超大规模基础设施以及先进计算平台 [19] 未来影响 - 随着技术成熟和新应用涌现，其优势不断扩大，先进的验证流程使设计人员能在保持可靠性和可制造性的同时突破极限 [20] - 该技术对半导体行业的影响深远，实现了前所未有的系统设计和集成方法，将继续推动多个行业的创新 [20]

行业背景与公司定位 - 半导体行业面临数据传输速度和安全性挑战 人工智能 联网车辆 5G和物联网的爆发式增长推动高性能计算和低功耗芯片需求激增 内存带宽与数据处理安全性成为瓶颈 [1] - 接口IP和安全IP技术是行业突破的核心驱动力 直接影响芯片效能 兼容性及抗攻击能力 [1] - Rambus是接口IP和安全IP领域的先驱 成立于1990年 其高速接口技术重新定义内存与系统间数据传输标准 [1] 公司技术与产品优势 - Rambus的DDR内存接口 HBM3/4和PCIe 5/6解决方案显著提升数据中心 边缘计算等场景的性能上限 [1] - 安全IP解决方案包括信任根技术 安全协议引擎 内联密码引擎 后量子密码算法加速器核等 应对复杂网络安全威胁 [1] - 丰富的安全和接口IP解决方案构建强大产品组合 [1] 技术研讨会核心内容 - 会议聚焦AI和汽车两大方向 展示最新接口和安全IP解决方案 包括量子安全加密 信任根 HBM4 GDDR7 PCIe 6.1/7.0 CXL3.1 MIPI等技术 [6] - 上午议程涵盖AI和下一代应用的硅IP 包括内存选择(HBM GDDR LPDDR) PCIe和CXL互连技术 以太网IP布局 MIPI CSI-2传感器技术等 [8][9] - 下午议程深入汽车安全解决方案 探讨智慧联网汽车硬件软件设计趋势 生态系统合作 安全规范 评估方法等 [7][10][11] 会议具体议程 - 上午会议8:30-12:30 包含6场技术演讲 主题涵盖AI训练推理内存选择 PCIe/CXL互连技术 以太网IP布局 自动驾驶传感器技术等 [9] - 下午会议13:30-17:30 包含6场汽车安全专题演讲 内容涉及芯片安全测试 网络安全规范 合规性方法 车规级芯片评估体系等 [11] - 会议提供茶歇和午餐 需提前注册 [4][11] 行业合作伙伴 - 会议汇集多家行业合作伙伴 包括M31 晶心科技 Brightsight ETAS DPLSLab CoMIRA Riscure等机构的技术专家 [2][11]

超节点技术概述 - 超节点通过高效互联架构显著提升大规模模型训练与推理效率，尤其在数千至上万张GPU协同场景下优势突出 [1] - 光学技术成为关键驱动力，其高效、低延迟和高可靠性特性突破传统互联方案瓶颈 [1] - 2025年起国内大模型推理需求激增，超节点通过优化token生成速度与单卡服务模型数量实现价值产出最大化 [2] 架构设计 - 单层架构为最优目标，可实现最低延迟（1微秒级）、最优成本与最高可靠性，但受交换机规模限制部分场景需采用两层架构 [4] - 国产GPU因7纳米制程限制，单卡算力仅为国际主流（如B200）的1/2至1/7，需数百个GPU通过高效互联对标NVL72超节点 [6] 发展路径 - 提高单机柜功耗：传统27千瓦机柜扩容至支持100个国产GPU，需多机柜协同实现数百GPU规模 [8] - 多机柜互联：谷歌案例显示数千GPU通过光互联组成超级系统，光缆传输距离达2000米（铜缆仅7米） [8][10] 光互联技术 - 光缆纤细特性解决铜缆堵塞风道问题，华为CloudMatrix384集群使用3000+光缆和6000+光模块 [12] - 共封装光学（CPO）将光电转换距离从几十厘米缩短至3-5厘米，博通51.2T CPO交换机集成度提升12倍 [14] - CPO节省1/3至2/3功耗，512卡全交换超节点中单位比特功耗从20pJ/bit降至7pJ/bit [16][17] 可靠性优化 - 分布式光交换（dOCS）支持故障节点动态替换，12服务器超节点可配置32卡+备份实现服务器级冗余 [18][19] - 光互联供应链更可控，光纤不依赖先进制程，国内技术差距较小 [19] 应用前景 - 超节点灵活配置4/6/8服务器规模，分散部署解决散热与土建限制 [19] - 国产GPU性能提升与光互联技术成熟将推动训练/推理场景突破，CPO与dOCS持续优化系统可靠性 [21]

报告核心观点 - 全球LED显示屏市场规模将稳健增长，Mini LED成为市场新的增长点，报告研究的具体公司提前布局MLED领域相关技术，未来将是同行业内Mini LED增长的最大受益者 [22][23] - 超高清视频产业正处于从2K向4K升级阶段，8K刚刚起步，未来超高清技术将与多种技术深度融合，视频处理设备将实现产业升级 [23][24] - 2024年报告研究的具体公司海外业务增长较快，2025年将继续加大海外市场发展力度，提升全球影响力 [24] 调研基本情况 - 调研对象为诺瓦星云，接待时间为2025年6月26日，上市公司接待人员为财务总监、董事会秘书张争 [17] 详细调研机构 - 接待对象包括平安资管（保险资产管理公司）和广发证券（证券公司），并列出了相关人员 [18] 调研机构占比 - 保险资产管理公司和证券公司占比均为50% [19] 主要内容资料 研发投入和成果 - 2022 - 2024年，公司研发投入分别为31,918.45万元、44,196.37万元和54,027.23万元，研发投入占营业收入的比例分别为14.68%、14.47%和16.47% [22] - 截至2024年末，公司拥有境内专利1,177项（其中发明专利656项）、境外专利27项（其中发明专利22项）、软件著作权238项、集成电布图设计14项 [22] LED显示屏行业前景 - 据Trend Force预测，2025年全球LED显示屏市场规模有望达到79.71亿美元，2028年有望达到102.36亿美元，2023 - 2028年的年复合增长率为7% [22] - 据洛图科技预测，2028年Mini LED直显全球市场规模将达33亿美元，2024 - 2028年的年复合增长率约为40% [23] 超高清视频行业趋势 - 超高清视频显示效果趋向细腻真实，显示技术向异形屏、透明屏等发展，产业正从2K向4K升级，8K刚起步，未来超高清技术将与多种技术融合，应用场景不断拓展 [23][24] 海外业务情况及计划 - 2024年公司海外业务增长较快，境外收入较2023年增长了32.03%，境外收入占比为19.10%，欧美地区收入稳定增长，东南亚、拉美等地区收入增速较快 [24] - 2025年公司将加大海外市场发展力度，增加国际市场工作人员，参加海外展会，拓宽和下沉海外经销体系 [24]

报告行业投资评级 未提及 报告的核心观点 报告研究的具体公司差异化经营,适配市场需求结构,面向头部客户群体开展业务,注重中长期可持续利益,通过技术创新、多元化客户结构等保持竞争优势;AI发展带来行业机遇,公司加大投资改善产能,但未来竞争将加剧,需把握战略节奏实现可持续发展 [21][26] 根据相关目录分别进行总结 调研基本情况 - 调研对象为沪电股份,所属行业为电子元件,接待时间是2025年6月26日,上市公司接待人员有钱元君、王术梅 [17] 详细调研机构 - 接待对象包括民生证券(证券公司)、工银瑞信(基金管理公司) [18] 主要内容资料 - **公司整体经营策略**：公司差异化经营,适配市场需求结构,面向头部客户群体开展业务,注重中长期可持续利益,需提升综合竞争力,加大技术创新投入 [21] - **公司收入结构**：2024年企业通讯市场板营收约100.93亿元,其中AI服务器和HPC相关PCB产品约占29.48%,高速网络的交换机及其配套路由相关PCB产品约占38.56%;汽车板整体营收约24.08亿元 [22] - **泰国工厂**：海外客户关注地缘供应链风险分散,公司泰国生产基地已小规模量产,正攻坚提升生产效率和良率,加速客户认证与产品导入,控制成本并应对风险 [24] - **交换机市场情况**：AI发展驱动数据中心交换机市场变革,800G交换机市场需求不错 [25] - **资本开支及市场情况**：AI带来行业发展机遇,市场高阶产品产能供应不充裕,公司近两年加大投资,预计2025年下半年产能改善;2025年第一季度财报现金流量表中购建相关资产支付现金约6.58亿;2024年Q4规划投资约43亿新建项目已启动建设;未来竞争将加剧,公司需把握战略节奏 [26]

全球半导体晶圆代工市场 - 2025年第一季度全球半导体晶圆代工2.0市场收入同比增长13%至722.9亿美元，主要受AI和高性能计算芯片需求推动[1] - 行业从传统代工1.0（纯芯片制造）转向代工2.0，涵盖纯代工、非存储器IDM、OSAT和光掩模制造供应商，强调技术集成和系统级优化[1] - AI趋势推动先进节点（3nm/4-5nm）和先进封装（如CoWoS）需求增长[1] 主要厂商表现 - 台积电市场份额增至35%，营收同比增长30%，受益于尖端制程和AI芯片订单优势[4] - 英特尔凭借18A/Foveros技术发展，三星在3nm GAA开发取得进展但面临良率挑战[4] - OSAT供应商（日月光、硅品、安靠）因先进封装需求增长，2025年Q1收入同比提升7%[4] - 非存储器IDM（恩智浦、英飞凌、瑞萨）受汽车/工业领域疲软影响，Q1收入下降3%[5] - 光掩模供应商受益于2nm EUV采用和AI/Chiplet设计复杂性提升[5] 市场份额排名 - 台积电份额从2024年Q1的29.4%持续攀升至2025年Q1的35.3%[6] - 英特尔、三星、日月光在第二梯队竞争，份额波动在5.9%-6.7%区间[6] - 德州仪器和英飞凌在第五、六位交替，2025年Q1份额分别为5.6%和5.2%[6] 行业趋势展望 - AI应用重塑代工供应链优先级，台积电和封装厂商成为主要受益者[8] - 代工2.0将从线性制造模式转向设计-制造-封装协同的价值链，推动AI/芯片集成创新[8]