文章核心观点 - 半导体刻蚀设备用量和重要性将显著提升 主要受光刻多重图案化路线采用 三维堆叠存储和近存计算需求 以及晶体管结构升级三大技术趋势推动 [1][2] - 长期看半导体设备国产化方向明确 短期2025年国内半导体晶圆厂投资表现相对平淡 但随国内头部存储厂商新一期项目启动及先进逻辑厂商扩产力度加大 半导体设备有望进入新一轮快速增长期 [1] 技术趋势推动刻蚀设备需求 光刻多重图案化 - EUV光刻技术路线受限 DUV多重图案化成为国产突围关键 带动刻蚀设备用量成倍提升 [3] - 自对准四重图案化(SAQP)方案需要4次刻蚀和2次光刻完成精细图案 DUV方案下刻蚀设备使用步骤增加至EUV方案的4倍 刻蚀设备用量提升至4倍 [3] 三维堆叠存储和近存计算 - 3D NAND为提升存储密度将存储单元垂直堆叠 主流产品超200层 未来向1000层迈进 DRAM未来也有类似3D堆叠技术路线 [4] - 从32层提高到128层过程中 刻蚀设备用量占比从35%提升至48% 随层数增加需要更高深宽比刻蚀设备 232层3D NAND采用60:1深宽比刻蚀设备 后续90:1刻蚀技术有望用于3XX层及更高层数3D NAND量产 [4] - AI训练和推理对存储带宽需求提升 衍生HBM+CoWoS CUBE等近存计算方案 需要TSV工艺实现3D连接 TSV工艺中刻蚀和填充设备占比接近70% 进一步增加刻蚀设备需求 [4] 晶体管结构升级 - GAAFET是接替FinFET的下一代晶体管技术 台积电2025年在2nm导入该技术 国内预计将迭代跟进 [5] - GAA相比FinFET刻蚀工艺用量显著增加 FinFET有5道步骤涉及刻蚀工艺 GAA晶体管有9道步骤涉及刻蚀工艺 增量步骤主要来自纳米线结构形成 [5] - 刻蚀设备在先进制程中用量占比从FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35% 单台设备价值量同比增长12% [5] - GAA晶体管新增高选择性SiGe各向同性刻蚀需求 主流采用原子层刻蚀(ALE)方式完成 国内厂商已进行相关研发布局 有望应用于3nm及以下GAA结构 纳米片结构等高精度逻辑芯片刻蚀 [5] 投资建议 - 建议重点关注半导体刻蚀设备以及相关配套设备及零部件环节 [1]

半导体设备与光刻技术进展 - 尼康计划2027财年将晶圆对准站销售额较2024财年翻一番 该设备通过测量晶圆变形提升曝光设备套刻精度 主要面向3D堆叠和晶圆键合在NAND及逻辑芯片中的应用增长 [2] - SK海力士在DRAM生产线上全球首次采用高数值孔径极紫外线（High NA EUV）光刻系统 该系统部署于韩国利川市M16芯片制造工厂 [2] 动力电池产业动态 - LG能源与梅赛德斯-奔驰签署107GWh电池供应协议 包括欧洲市场32GWh订单（2028年8月-2035年3月）及附属公司75GWh订单（2029年7月-2037年12月） [2] - 亿纬锂能"龙泉二号"全固态电池成功下线 能量密度达300Wh/kg 体积能量密度700Wh/L 年产能规划50万颗电芯 一期60Ah产线2025年12月建成 二期100MWh产线2026年12月投产 主要面向人形机器人、低空飞行器及AI装备领域 [2]

中国AI产业发展策略 - 针对国际已达成共识且有效的技术卡点，如Transformer架构和COT技术，需集中力量进行正面突破 [1] - 在跟踪国际技术的同时，必须采用创新方式以避免长期落后 [1] 半导体领域创新方向 - 中国半导体工艺目前基本停留在7纳米节点，且将维持较长时间 [4] - 在工艺受限的情况下，应重视系统和芯片架构创新，如3D堆叠和存算一体，以缩小与国外大算力芯片的差距 [4] 端侧AI技术优势 - 端侧AI技术难度相对较低，可发挥中国研发人员众多和对应用场景理解深刻的优势 [4] - 端侧AI传统应用包括翻译、语音识别和目标检测，新兴应用包括智能驾驶、服务机器人和智能场景感知 [4] AI应用创新建议 - 中国在移动互联网时代的产业规模和应用场景创新表现突出，未来可借鉴此经验推动AI应用创新 [4] - 建议更多关注行业垂直领域AI应用，结合行业特性和需求进行定制化研发，以落地实践引领技术发展 [4]