文章核心观点 - 半导体刻蚀设备用量和重要性将显著提升 主要受光刻多重图案化路线采用 三维堆叠存储和近存计算需求 以及晶体管结构升级三大技术趋势推动 [1][2] - 长期看半导体设备国产化方向明确 短期2025年国内半导体晶圆厂投资表现相对平淡 但随国内头部存储厂商新一期项目启动及先进逻辑厂商扩产力度加大 半导体设备有望进入新一轮快速增长期 [1] 技术趋势推动刻蚀设备需求 光刻多重图案化 - EUV光刻技术路线受限 DUV多重图案化成为国产突围关键 带动刻蚀设备用量成倍提升 [3] - 自对准四重图案化(SAQP)方案需要4次刻蚀和2次光刻完成精细图案 DUV方案下刻蚀设备使用步骤增加至EUV方案的4倍 刻蚀设备用量提升至4倍 [3] 三维堆叠存储和近存计算 - 3D NAND为提升存储密度将存储单元垂直堆叠 主流产品超200层 未来向1000层迈进 DRAM未来也有类似3D堆叠技术路线 [4] - 从32层提高到128层过程中 刻蚀设备用量占比从35%提升至48% 随层数增加需要更高深宽比刻蚀设备 232层3D NAND采用60:1深宽比刻蚀设备 后续90:1刻蚀技术有望用于3XX层及更高层数3D NAND量产 [4] - AI训练和推理对存储带宽需求提升 衍生HBM+CoWoS CUBE等近存计算方案 需要TSV工艺实现3D连接 TSV工艺中刻蚀和填充设备占比接近70% 进一步增加刻蚀设备需求 [4] 晶体管结构升级 - GAAFET是接替FinFET的下一代晶体管技术 台积电2025年在2nm导入该技术 国内预计将迭代跟进 [5] - GAA相比FinFET刻蚀工艺用量显著增加 FinFET有5道步骤涉及刻蚀工艺 GAA晶体管有9道步骤涉及刻蚀工艺 增量步骤主要来自纳米线结构形成 [5] - 刻蚀设备在先进制程中用量占比从FinFET时代的20%上升至GAA架构下的35% 单台设备价值量同比增长12% [5] - GAA晶体管新增高选择性SiGe各向同性刻蚀需求 主流采用原子层刻蚀(ALE)方式完成 国内厂商已进行相关研发布局 有望应用于3nm及以下GAA结构 纳米片结构等高精度逻辑芯片刻蚀 [5] 投资建议 - 建议重点关注半导体刻蚀设备以及相关配套设备及零部件环节 [1]