中国稀土出口管制措施 - 商务部与海关总署联合发布公告，对部分稀土设备和原辅料相关物项、部分中重稀土相关物项实施出口管制，管制范围首次覆盖境外再出口和稀土相关技术，形成全产业链闭环管控[2][3] - 第57号公告针对五种中重稀土元素（钬、铒、铥、铕、镱）及其金属、合金、靶材、晶体材料、永磁材料、发光材料等制品进行管制，境外产品若含中国稀土物项价值占比超过0.1%即需纳入管控[3] - 管制首次将稀土开采、冶炼分离、金属冶炼、磁材制造及二次资源回收利用五大关键技术纳入实质性许可管理阶段，防止技术外流[3] 美国关税与软件管制反制 - 美国总统特朗普宣布自11月1日起对中国进口商品在现有关税基础上额外加征100%关税，并对所有关键软件实施出口管制[2][4] - 美国关键软件出口管制将冲击全球产业链，中国企业获取先进软件渠道收窄，短期面临风险，长期倒逼本土软件自主研发，美国软件企业则可能因失去中国市场蒙受营收损失[4][5] 稀土管制对全球供应链的影响 - 出口管制将对美国稀土磁体行业造成严重打击，美国唯一的稀土磁体制造商Noveon Magnetics仍依赖中国原材料[4] - 稀土材料广泛用于消费电子产品的声学元件、电机和电池，苹果、谷歌和微软的供应商称寻找非中国产稀土磁铁替代品的验证过程很长，预计新限制将造成更多不便并扰乱供应链[4] 中国EDA行业整合与发展 - 概伦电子以现金加股权方式完成对思尔芯的100%收购，增强了数字电路设计和验证后端能力，补齐产品线短板，有助于RISC-V芯片高效迭代[6] - 芯愿景收购一家海外EDA公司的特定点工具资产组合，意在补充芯片分析服务所需的核心EDA技术栈，提升技术壁垒与自动化能力[7] - 华大九天虽终止收购芯和半导体控股权，但上市后已收购芯达芯片科技，投资上海阿卡思电子技术有限公司等多家企业，并设立产业基金持续推进布局[7] 碳化硅半导体产业进展 - 天岳先进推出业内首款12英寸碳化硅衬底，采用液相法制备无宏观缺陷的8英寸碳化硅衬底，并交付高质量低阻P型碳化硅衬底[8] - 三安光电完成650V-2000V全系列SiC MOSFET产品布局，8英寸碳化硅衬底与外延实现小规模量产，与意法半导体合资的重庆8英寸碳化硅项目已于2025年2月实现通线，芯片产品已交付验证[8] - 斯达半导6英寸SiC芯片产线良率达国际领先水平，推出覆盖750V至1500V多个电压等级的第二代SiC MOSFET芯片，并开发适用于光储行业的1400V芯片平台[9] - 士兰微电子完成第Ⅳ代SiC芯片研发并送样评测，6英寸SiC-MOSFET芯片生产线已形成月产10,000片能力，芯联集成国内首条8英寸SiC产线实现批量量产，掌握650V到3300V系列全面SiC工艺平台[9]

半导体衬底材料布局 - 拥有碳化硅衬底材料、蓝宝石衬底材料及培育金刚石的规模化产能 [2] - 蓝宝石材料实现技术和规模双领先 [2] - 8英寸碳化硅衬底技术和规模处于国内前列 [2] - 突破12英寸碳化硅晶体生长技术 [2] - 实现6-8英寸碳化硅衬底规模化量产与销售 [3] - 量产的碳化硅衬底核心参数指标达到行业一流水平 [3] - 掌握8英寸光学级碳化硅晶体的稳定工艺 [3] - 积极推进12英寸光学级碳化硅衬底材料产业化 [3] 碳化硅衬底产能布局 - 上虞布局年产30万片碳化硅衬底项目 [4] - 马来西亚槟城投建8英寸碳化硅衬底产业化项目 [4] - 银川投建年产60万片8英寸碳化硅衬底片配套晶体项目 [4] 碳化硅应用前景 - 导电型碳化硅材料适用于新能源汽车电驱系统、高压充电设施、储能及轨道交通等高压大功率场景 [2] - 半绝缘型碳化硅成为5G/6G基站射频前端器件的核心衬底材料 [2] - 具备优异的光学和热学特性，在AR眼镜、散热等终端应用领域有不可替代优势 [2] - 8英寸碳化硅衬底在利用效率、缺陷控制及规模化降本方面优势显著 [5] - 碳化硅产业市场空间将持续扩大 [5] 半导体设备板块布局 - 实现8-12英寸大硅片设备的国产化 [6] - 延伸拓展至芯片制造和先进封装领域 [6] - 聚焦第三代半导体碳化硅装备研发 [6] - 在晶体生长、加工、外延等环节成功突破多项核心技术 [6] - 实现硅片、电池片及组件环节核心设备的产业链闭环 [6] - 是技术、规模双领先的光伏设备供应商 [6] 碳化硅设备板块进展 - 开发碳化硅长晶及加工设备（研磨、切割、减薄、倒角、抛光、清洗及检测） [6] - 6-8英寸碳化硅外延设备实现国产替代并市占率领先 [6] - 碳化硅设备客户包括瀚天天成、东莞天域、芯联集成、士兰微等行业头部企业 [6] - 在检测、离子注入、激活、氧化、减薄、退火等工艺环节积极布局产品体系 [6] 半导体装备订单情况 - 截至2025年6月30日，未完成集成电路及化合物半导体装备合同超37亿元（含税） [6]

氮化镓(GaN)产业 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方、华灿光电、镓奥科技、鸿成半导体、中科无线半导体等公司确认参编《2024-2025氮化镓产业调研白皮书》[1] 碳化硅(SiC)产业进展 重投天科 - 6-8英寸碳化硅衬底和外延已推向市场 [2] - 仅用19个月实现产线投产，突破缺陷抑制、快速生长和籽晶处理等关键技术 [2] - 与鹏进高科技等合作攻关8英寸外延片的功率器件工艺开发 [2] - 技术来源于中国科学院物理研究所，股东包括北京天科合达和深重投集团 [2] 合盛硅业 - 8英寸碳化硅衬底开始小批量生产，将加速量产进程 [3][4] - 6英寸碳化硅衬底全面量产，晶体良率达95%以上，外延良率稳定在98%以上 [3] - 掌握全产业链核心工艺技术，突破关键材料和装备技术壁垒，良率国内领先 [5] 超芯星 - 开启8英寸碳化硅衬底量产，推动大规模量产 [4][6] - 突破低应力晶体生长、低缺陷晶体生长及低损耗晶片加工技术 [6] - 覆盖全产业链，2023年与下游客户签订8英寸碳化硅深度战略合作协议 [6] 行业动态 - 12英寸碳化硅加速布局，今年已有13家企业加快布局 [9] - 特斯拉专家希望车规级氮化镓供应商更丰富 [9]