Navitas Semiconductor (NVTS)

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Navitas Launches Industry-Leading 12kW GaN & SiC Platform, Achieving 97.8% Efficiency for Hyperscale AI Data Centers
Globenewswire· 2025-05-21 12:30
文章核心观点 Navitas Semiconductor推出适用于超大规模AI数据中心的12kW电源供应单元参考设计,满足高功率、高密度服务器机架的OCP要求,能为客户提供高效、简单且经济的解决方案 [1][7] 产品信息 - 12kW PSU符合Open Rack v3规格和Open Compute Project指南,采用Gen - 3 Fast SiC MOSFETs、IntelliWeave™数字平台和高功率GaNSafe ICs,配置为3相交错TP - PFC和FB - LLC拓扑,确保高效能和高性能,同时减少组件数量 [2] - 3相交错图腾柱功率因数校正由Gen - 3 Fast SiC MOSFETs驱动,具有“沟槽辅助平面”技术,性能卓越,可支持更快充电的电动汽车和更强大的AI数据中心 [3] - IntelliWeave数字控制提供临界传导模式和连续传导模式的混合控制策略,相比现有连续传导模式解决方案,功率损耗降低30% [4] - 3相交错全桥LLC拓扑由4代高功率GaNSafe ICs实现,集成多种功能,可靠性和耐用性高,适用于1kW至22kW应用 [5] - PSU尺寸为790 x 73.5 x 40 mm,输入电压范围180 – 305 VAC,输出最高50 VDC,有多种保护功能,工作温度范围 - 5至45°C,保持时间≥20 ms,浪涌电流≤3倍稳态电流,通过内部风扇冷却 [6] 公司信息 - Navitas Semiconductor是唯一专注于下一代功率半导体的公司,成立于2014年,有10年功率创新历史,拥有超300项专利,提供GaNFast™功率IC和GeneSiC™功率器件,专注多个市场,是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [8] 相关活动 - 12kW PSU于5月21日在Navitas的“AI Tech Night”上展示,同期还有台湾电脑展 [7]
Navitas Hosts “AI Tech Night” to Reveal Next Generation Platform for Hyperscale Data Centers
Globenewswire· 2025-05-15 12:30
公司动态 - 公司将于2025年5月21日在台北举办"AI Tech Night"活动,展示其最新AI数据中心电源技术[1][5] - 公司将发布下一代OCP数据中心电源供应单元(PSU)参考设计,该设计具有全球最高的功率密度、性能和效率[1] - 公司推出了世界首款采用GaN和SiC技术的8.5kW AI数据中心电源,效率达98%,符合OCP和ORv3规范[3] - 公司开发了专利数字控制技术IntelliWeave,与GaNSafe和第三代快速SiC MOSFET结合,使PFC峰值效率达99.3%,功率损耗减少30%[3] 技术突破 - 公司的GaN和SiC解决方案突破了传统架构限制,实现了更高效、高密度和可持续的数据中心发展[2] - 公司展示了世界首款量产的650V双向GaNFast功率IC和IsoFast高速隔离栅极驱动器,优化了数据中心电源设计[4] - 公司AI电源路线图从2023年开始,先后推出了2.7kW CRPS(功率密度提高2倍,能耗降低30%)、3.2kW CRPS(体积比传统硅解决方案小40%)和4.5kW CRPS(功率密度达137W/in³,效率超97%)[3] 行业趋势 - AI计算需求每三个月翻一番,单个GPU功率超过1000W,传统电源技术难以满足AI基础设施对能效和功率密度的需求[2] - AI计算能力的指数级增长对数据中心基础设施提出了严格挑战[5] - 高功率GaN和SiC技术正在改变AI数据中心基础设施,以满足AI和超大规模数据中心日益增长的电力需求[1]
Navitas Semiconductor Appoints Cristiano Amoruso to Board of Directors
Globenewswire· 2025-05-14 20:15
文章核心观点 - 纳微半导体宣布任命克里斯蒂亚诺·阿莫鲁索为公司董事会成员 其经验将助力公司把握市场机遇并加速盈利 [1][3] 公司动态 - 纳微半导体宣布任命克里斯蒂亚诺·阿莫鲁索为公司董事会成员 立即生效 [1] - 阿莫鲁索将在公司2025年年度股东大会上作为独立的I类董事候选人参选 相关细节将在公司提交给美国证券交易委员会的最终委托书中披露 [3] 被任命人背景 - 阿莫鲁索最近担任美国最大的太阳能光伏半导体私人制造商Suniva公司首席执行官 以及全球投资公司Lion Point Capital合伙人 是一位经验丰富的投资者 在科技和可再生能源行业有显著运营专长和创造价值的良好记录 [2] 各方评价 - 纳微半导体董事会主席理查德·亨德里克斯表示 阿莫鲁索能为半导体公司带来增长经验 其任命有助于加强公司治理和加速盈利 [3] - 阿莫鲁索称 纳微半导体的氮化镓和碳化硅产品潜力巨大 正在推动整个技术硬件行业的范式转变 期待与管理层和其他董事合作创造长期价值 [3] 公司介绍 - 纳微半导体是唯一的纯下一代功率半导体公司 2014年成立 已实现10年功率创新 GaNFast™功率集成电路集成氮化镓功率和驱动等功能 互补的GeneSiC™功率器件是优化的碳化硅解决方案 专注市场包括数据中心、电动汽车等 拥有300多项已授权或待授权专利 是全球第一家获得碳中和认证的半导体公司 [6]
Navitas Semiconductor (NVTS) - 2025 Q1 - Quarterly Report
2025-05-09 20:57
研发投入占比情况 - 2025年和2024年第一季度,公司研发投入分别占收入的90%和87%[117] 股份发售协议情况 - 2025年3月19日,公司与杰富瑞集团签订至多5000万美元A类普通股的“按市价发售”协议,截至3月31日未出售股份,产生约30万美元发行成本[118] - 2025年3月19日公司与Jefferies LLC签订最高5000万美元A类普通股的市场发售协议,截至3月31日未出售相关股份[140] 收入情况 - 2025年第一季度收入1402万美元,较2024年同期的2318万美元减少916万美元,降幅40%,主要因移动、电动汽车和工业市场下滑[128][129] - 2025年第一季度收入中,中国占比41%(2024年为60%),美国占比31%(2024年为16%),欧洲占比15%(2024年为8%),中国以外亚洲地区占比13%(2024年为15%)[120] 成本情况 - 2025年第一季度成本为871万美元,较2024年同期的1366万美元减少495万美元,降幅36%,主要因销售下降和产品组合变化[128][130] 研发费用情况 - 2025年第一季度研发费用为1267万美元,较2024年同期减少756万美元,降幅37%,主要因股票薪酬减少和员工成本降低[128][131] 销售、一般和行政费用情况 - 2025年第一季度销售、一般和行政费用为1174万美元,较2024年同期减少435万美元,降幅27%,主要因股票薪酬减少和员工成本降低[128][132] 重组费用情况 - 2025年第一季度重组费用为147万美元,主要是成本削减计划产生的员工遣散费和福利[128][134] 股息收入情况 - 2025年第一季度股息收入为74.4万美元,较2024年同期减少93.6万美元,降幅56%,主要因投资余额减少[128][135] 股权法投资损失情况 - 2025年第一季度股权法投资损失为28万美元,是自2024年10月采用股权法核算合资企业投资后确认的损失[128][138] 现金及现金等价物情况 - 截至2025年3月31日,公司现金及现金等价物为7510万美元,较2024年12月31日减少1160万美元,降幅13%[144] 经营活动净现金使用量情况 - 2025年第一季度经营活动净现金使用量为1350万美元,主要因净亏损1680万美元等因素[145] - 2024年第一季度经营活动净现金使用量为1980万美元,主要因净亏损370万美元等因素[146] 投资活动净现金使用量情况 - 2025年第一季度投资活动净现金使用量为4.1万美元,主要是少量固定资产采购[144][147] - 2024年第一季度投资活动净现金使用量为540万美元,主要是250万美元合资企业现金出资和290万美元固定资产采购[144][147] 融资活动净现金流入情况 - 2025年第一季度融资活动净现金流入为94.9万美元,主要来自股票期权行权收入10万美元和员工股票购买计划收入80万美元[144][148] - 2024年第一季度融资活动净现金流入为202.4万美元,主要来自股票期权行权收入20万美元和员工股票购买计划收入180万美元[144][148] 非可撤销合同安排情况 - 截至2025年3月31日,公司非可撤销合同安排包括租赁义务和设备购买协议[149] 资产负债表外安排情况 - 截至2025年3月31日,公司无Regulation S - K第303(a)(4)(ii)项定义的资产负债表外安排[150]
Navitas Semiconductor Corporation (NVTS) Reports Q1 Loss, Lags Revenue Estimates
ZACKS· 2025-05-05 22:25
财务表现 - 公司季度每股亏损0.06美元 与Zacks一致预期持平 去年同期同样亏损0.06美元 [1] - 季度营收1402万美元 低于预期1.57% 同比下滑39.5% [2] - 过去四个季度中 公司仅有一次超过营收预期 [2] 市场表现 - 年初至今股价累计下跌42.6% 同期标普500指数下跌3.3% [3] - 当前Zacks评级为2级(买入) 预计短期内将跑赢大盘 [6] 行业动态 - 所属电子-半导体行业在Zacks行业排名中位列前28% [8] - 同业公司SkyWater预计季度每股亏损0.13美元 同比恶化62.5% [9] - SkyWater预计营收6105万美元 同比下滑23.3% [10] 未来展望 - 下季度共识预期为每股亏损0.05美元 营收1515万美元 [7] - 本财年共识预期为每股亏损0.17美元 营收7344万美元 [7] - 盈利预测修订趋势将影响短期股价走势 [5]
Navitas Semiconductor (NVTS) - 2025 Q1 - Earnings Call Transcript
2025-05-05 22:02
财务数据和关键指标变化 - 2025年第一季度营收为1400万美元,处于指引中点,与去年同期相比下降,主要因EV和太阳能市场营收降低;与上一季度相比下降,是季节性因素和需求疲软及库存调整所致 [6][16] - 第一季度毛利率为38.1%,较上一季度的40.2%有所下降,主要因市场组合不利 [17] - 第一季度运营费用降至1720万美元,其中SG&A费用为830万美元,R&D费用为880万美元,运营亏损从2024年第四季度的1270万美元改善至1180万美元 [17][18] - 第一季度加权平均股数为1.88亿股,应收账款从上一季度的1400万美元降至约1200万美元,库存维持在1600万美元左右,季末现金及现金等价物为7500万美元,无债务 [18][19] - 预计第二季度营收在1400 - 1500万美元之间,毛利率约为38.5%±50个基点,运营费用为1550万美元,加权平均股数约为1.94亿股 [19][22] 各条业务线数据和关键指标变化 - GaN业务目前占公司营收的绝大部分,预计受关税影响有限,产品在台湾制造,主要在海外销售 [21] - SIC业务占公司总营收的少数,产品在美国制造,大部分销往中国,若原产国定义变为晶圆厂位置,可能受关税影响,但美国制造对美国客户是战略优势 [20][21] 各个市场数据和关键指标变化 - 太阳能、EV和工业终端市场存在库存调整,需求疲软,影响公司近期业务 [6][19] - 数据中心市场,AI驱动总功率、功率密度和功率效率显著提升,公司在该市场取得系统设计进展,新的12千瓦设计将在本月晚些时候正式推出,已有超75个客户项目处于生产或开发阶段 [11][12] - 商业EV市场虽规模小于乘用车EV市场,但对功率、电压、可靠性和碳化硅含量要求更高,公司碳化硅技术获两个重要客户订单,预计2026年产生数百万美元影响 [11] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司专注将去年4.5亿美元的设计订单转化为生产订单,预计今年晚些时候、2026年和2027年逐步实现营收,技术进展将加速设计订单转化 [26][27] - 分离董事长和CEO角色,任命Rick Hendrix为新的独立董事长,CTO兼COO Dan Kinzer过渡到技术顾问角色,预计不久后宣布新的COO [12][13] - 持续投资下一代GaN和SiC技术,精简业务以实现EBITDA盈亏平衡,预计2026年实现 [22][23] - 若关税情况恶化,公司有计划拓展铸造基地至其他地区 [43] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 短期内,太阳能、EV和工业市场的库存调整和需求疲软带来挑战,但公司凭借在AI数据中心、太阳能微逆变器、EV和新能源市场的设计订单和技术进步,预计今年晚些时候和2026年实现增长 [6][23] - 关税情况动态变化,公司持续关注,GaN业务受影响有限,SIC业务存在一定不确定性,但美国制造位置长期来看是战略优势 [19][21] 其他重要信息 - 第一季度宣布行业首个双向GaN IC量产发布,该技术可将传统两级转换器简化为单级,减少组件,提高效率,首个客户为太阳能微逆变器,预计今年晚些时候量产,2026年其他应用将陆续量产 [6][8] - GAN Safe技术获汽车AEC Q101标准认证,已被长安汽车采用,预计2026年初量产,公司还将推出超越AEC标准的AEC+可靠性标准 [9][10] - 公司发布全面的GaN可靠性报告,展示七年现场可靠性记录,故障率达100亿分之一 [9][10] 总结问答环节所有的提问和回答 问题1: 对下半年及2026年4.5亿美元设计订单的时间和规模的可见性如何? - 公司今年重点将设计订单转化为生产订单,营收将在未来三年逐步实现,大部分在2026年,技术进展将加速转化,尽管面临半导体市场低迷和关税不确定性,仍对今年晚些时候和2026年的增长有信心 [26][27] 问题2: 在盈利能力方面,运营费用维持在1550万美元的计划和实现EBITDA盈亏平衡的目标是否有变化? - 运营费用目标和盈亏平衡目标没有变化,预计2026年在营收达到3000多万美元时实现盈亏平衡 [28][29] 问题3: 公司设计订单和管道在碳化硅和GaN两种材料之间的分布情况如何? - 管道中两者分布均衡,虽目前营收以GaN为主,但未来随着市场恢复,两者将更加平衡,不同市场对两种材料的需求不同 [33][34] 问题4: 第一季度R&D费用下降,SG&A费用上升,是否会限制对下一代技术的投资? - 第一季度SG&A费用上升是一次性费用和审计费用导致,非典型支出,2025年R&D和SG&A费用比例预计为55%和45%,会按比例降低费用水平,不影响对技术的投资 [35] 问题5: 公司对中国市场的暴露情况如何,ASP是多少,关税是否影响客户计划? - GaN业务受关税影响小,碳化硅业务大部分销往中国,目前原产国定义基于封装位置,不受关税影响,若变为晶圆厂位置可能有影响,但美国制造对美国客户是优势 [39][41] 问题6: 若关税持续,是否有计划拓展铸造基地? - 公司有相关计划,但暂无正式宣布,若关税情况恶化,将采取措施应对 [43] 问题7: 数据中心业务的进展如何? - 公司在数据中心业务取得显著进展,功率从2.7千瓦提升到12千瓦,虽部分低功率设计可用硅实现,但高功率设计必须使用GaN和碳化硅,为新设计和未来平台做好准备 [47][50] 问题8: 太阳能业务何时开始增长,市场地位如何,是否有其他客户? - 太阳能微逆变器业务预计下半年增长,Q3增长低于预期,Q4和2026年增长显著,业务将多源供应,公司作为首个发布双向GaN开关的企业,有技术优势,已有其他客户开始设计,预计2026年生产 [58][61] 问题9: 未来一年各市场对营收增长的贡献如何? - 设计订单在各市场分布均衡,难以确定哪个市场贡献最大,战略重点在移动、EV和AI数据中心,太阳能微逆变器也是重要驱动力,预计新市场增长快于移动市场,实现市场和区域多元化 [63][65] 问题10: 3月底宣布的市场发售计划是否执行,用途是什么? - 发售计划未执行,保留用于战略目的,目前公司现金充足,若下半年营收增长,现金使用将减少 [69][70] 问题11: 双向GaN开关明年的营收潜力如何? - 公司未提供具体指引,但保守估计营收将超过1000万美元,业务动态增长,有多个新机会 [71] 问题12: AI数据中心业务中,Blackwell和Rubin平台的机会如何? - 公司在Blackwell平台仍有很多机会,订单从40个增加到75个,部分已开始小批量生产,业务将从Blackwell扩展到Ultra和Rubin平台 [75][77] 问题13: 在不同营收情景下,公司改善现金消耗的应急计划和能力如何? - 公司通过控制营运资金和降低运营费用,保持现金使用紧凑,无论营收增长快慢,都有信心管理好现金 [78] 问题14: 渠道库存情况如何,是否开始正常化? - 碳化硅市场的渠道库存已下降,部分地区销售良好、库存健康,但仍需一两个季度才能恢复正常,这将促进公司业务增长 [82][83] 问题15: 客户对智能手机市场的看法如何,与公司移动业务展望对比,关税是否有影响? - 移动业务是公司重要且稳定增长的业务,去年全球GaN adoption率约10%,小米和OPPO的GaN adoption率翻倍至30%,预计未来充电器30瓦及以上将更多采用GaN技术,关税暂无明显影响 [89][91] 问题16: EV、工业和ESS市场的放缓是需求问题还是库存问题? - 市场放缓是需求放缓和产能增加导致的库存过剩共同作用的结果,行业正在消化库存,预计一两个季度后问题将解决 [94]
Navitas Semiconductor (NVTS) - 2025 Q1 - Earnings Call Transcript
2025-05-05 21:00
财务数据和关键指标变化 - 2025年第一季度营收为1400万美元,处于指引中点,与去年同期相比下降,主要因电动汽车和太阳能市场营收降低;与上一季度相比下降,是季节性因素和需求疲软及库存调整所致 [6][16] - 第一季度毛利率为38.1%,较上一季度的40.2%有所下降,主要因市场组合不利 [17] - 第一季度运营费用降至1720万美元,其中销售、一般和行政费用为830万美元,研发费用为880万美元,运营亏损从2024年第四季度的1270万美元改善至1180万美元 [17][18] - 第一季度加权平均股数为1.88亿股,应收账款从上一季度的1400万美元降至约1200万美元,库存维持在1600万美元左右,季末现金及现金等价物为7500万美元,无债务 [18][19] - 预计第二季度营收在1400 - 1500万美元之间,毛利率略高于第一季度,预计为38.5%±50个基点,运营费用为1550万美元,加权平均股数约为1.94亿股 [19][22][23] 各条业务线数据和关键指标变化 - 氮化镓(GaN)业务目前占公司营收的绝大部分,预计关税对其直接影响有限,因其产品在台湾制造,主要在海外销售 [21] - 碳化硅(SiC)业务占公司总营收的少数,大部分产品销往中国,目前因包装地在中国,暂不受关税影响,但如果原产国定义变为晶圆厂所在地(美国),可能产生不利影响 [38][39][41] 各个市场数据和关键指标变化 - 电动汽车市场,乘用车电池电动汽车出现放缓和库存调整,但公司碳化硅技术获两个重要商用电动汽车客户采用,预计2026年产生数百万美元影响 [11] - 太阳能市场,渠道库存放缓持续给公司业务带来短期阻力,但公司双向氮化镓IC有望在下半年推动下一代太阳能微逆变器发展,首个采用该技术的客户预计今年晚些时候扩大生产 [6][7] - 数据中心市场,人工智能推动总功率、功率密度和功率效率显著提升,公司利用最新Geneseq和GANSAIC IC取得系统设计进展,本月将正式推出12千瓦设计,已有超75个客户项目处于生产或开发阶段 [11][12] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司高功率氮化镓IC和碳化硅技术有望开拓新市场,GAN Safe和Genesex技术今年将在主流人工智能数据中心应用中扩大规模,双向氮化镓技术预计下半年推动太阳能微逆变器发展,GAN SAFE已获汽车认证,预计明年初用于主流电动汽车应用 [14] - 公司分离董事长和首席执行官角色,任命Rick Hendrix为新的独立董事长,首席技术官兼首席运营官Dan Kinzer将过渡到技术顾问角色,预计不久后宣布新的首席运营官 [12][13] - 公司持续整合支持和工程职能及场地,精简业务,平衡运营效率,同时继续投资下一代氮化镓和碳化硅技术及市场开发,主要集中在数据中心、电动汽车和移动领域 [18] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - 尽管部分终端市场近期疲软,但公司预计大量设计中标和技术进步将使其在今年晚些时候和2026年实现增长,特别是在人工智能数据中心、太阳能微逆变器、电动汽车和更广泛的新能源市场 [24] - 公司认为2024年的4.5亿美元设计中标是非凡成就,今年重点是将其转化为生产订单,这些收入将在未来三年逐步实现,大部分在2026年,这将推动公司增长 [27][28] 其他重要信息 - 公司发布全面的氮化镓可靠性报告,展示自2018年首次量产以来的现场可靠性记录,目前故障率达到前所未有的十亿分之一,远超行业要求 [9][10] - 公司即将宣布名为AEC plus的新可靠性标准,在许多行业标准可靠性测试中超过严格的汽车AEC标准100%以上,结合其超高压能力,将为新能源市场提供支持 [10] 总结问答环节所有的提问和回答 问题1: 对下半年的可见性以及4.5亿美元设计中标在时间和规模上有无变化 - 公司今年重点是将设计中标转化为生产订单,这些收入将在未来三年逐步实现,大部分在2026年,公司对将设计中标转化为采购订单持乐观态度,预计今年晚些时候和2026年实现增长 [27][28] 问题2: 在盈利能力方面,运营费用维持在1550万美元的计划时长以及实现EBITDA盈亏平衡的目标有无变化 - 运营费用仍计划维持在1550万美元,预计在2026年实现高3000多万美元营收时达到盈亏平衡,目标未变 [29] 问题3: 公司总设计中标和管道在氮化镓和碳化硅两种材料间的分布情况 - 设计中标管道在两种材料间分布均衡,虽目前营收以氮化镓为主,但未来随着市场发展,两者将更加平衡 [33][34] 问题4: 第一季度研发费用下降而销售、一般和行政费用上升的原因,是否会限制对下一代技术的投资 - 第一季度销售、一般和行政费用上升是因一次性成本削减和审计费用,预计2025年研发和销售、一般和行政费用占比约为55%和45%,不会改变投资比例 [35] 问题5: 公司对中国市场的暴露情况,包括每单位平均销售价格,以及关税是否导致客户调整计划或寻找替代供应商 - 氮化镓产品受关税影响较小,碳化硅产品虽大部分销往中国,但目前因包装地在中国暂不受关税影响,若原产国定义改变可能有影响,不过美国制造产地对美国客户是优势 [38][41][42] 问题6: 若关税持续或维持高位,公司是否有计划扩大铸造基地 - 公司有相关计划正在推进,若出现最坏情况,可通过转移到其他地区生产来应对中国关税问题 [43] 问题7: 公司在数据中心领域的进展和市场情况 - 公司在数据中心领域取得显著进展,从2.7千瓦设计提升到12千瓦设计,虽部分低功率设计可用硅实现,但高功率设计必须使用氮化镓和碳化硅技术,公司产品为新设计做好准备 [46][48][51] 问题8: 太阳能微逆变器业务的预计增长时间、多源供应情况以及其他客户采用情况 - 太阳能微逆变器业务预计下半年增长,第三季度增长低于预期,更多收入从第四季度开始,明年有较大增长,业务将多源供应,公司凭借技术优势有望获得良好份额,已有其他微逆变器公司开始新设计,预计明年投产 [57][58][60] 问题9: 未来一年各市场对美元增长的贡献情况 - 各市场设计中标分布均衡,难以确定哪个市场贡献更大,但移动、电动汽车和人工智能数据中心是主要驱动因素,太阳能微逆变器也将是重要驱动力 [63][64][65] 问题10: 3月底宣布的按市价发行股票计划是否执行,用途是什么 - 该计划未执行,保留用于战略目的,目前公司现金充足,预计随着下半年营收增长,现金使用量将下降 [70][71] 问题11: 双向氮化镓开关明年的总营收潜力 - 公司未提供具体指引,但保守估计营收潜力超过1000万美元,且机会众多,业务增长迅速 [72] 问题12: 人工智能数据中心业务中,公司技术在Blackwell和Rubin设计中的应用时机和情况 - 目前仍有很多Blackwell新设计机会,公司已有75个相关项目,业务将从Blackwell向Ultra和Rubin发展,未来机会更好 [76][77][78] 问题13: 在不同营收情景下,公司改善现金消耗的应急计划 - 公司通过控制营运资金和降低运营费用,能有效控制现金消耗,无论营收增长快慢,目前都无现金担忧 [80] 问题14: 市场渠道库存情况,是否开始正常化以实现周期性增长 - 碳化硅市场渠道库存已下降,全球多地销售情况良好,但仍未达到健康水平,预计一两个季度后库存问题将解决,有助于公司恢复增长 [83][84] 问题15: 客户对2025年智能手机市场单位增长的看法,与公司移动业务展望的比较,以及关税是否导致业务推迟或提前 - 移动业务是公司重要且稳定增长的部分,去年全球采用率约10%,小米和OPPO采用率大幅提升,预计全球供应商将继续提高氮化镓采用率,虽智能手机市场增长不大,但高功率充电器氮化镓采用率有望提升,目前未看到关税对业务的明显影响 [89][90][91] 问题16: 电动汽车、工业和储能系统渠道放缓是需求问题还是库存问题 - 是需求放缓和库存过剩共同导致,行业正处于半导体下行周期,产能增加和需求放缓导致库存积压,预计一两个季度后问题将解决 [94]
Navitas Semiconductor (NVTS) - 2025 Q1 - Quarterly Results
2025-05-05 20:17
总营收数据变化 - 2025年第一季度总营收1400万美元,2024年第一季度为2320万美元,2024年第四季度为1800万美元[8] - 2025年3月31日GAAP净收入为14,018千美元,2024年为23,175千美元[20] - 2025年第二季度净收入预计为1400 - 1500万美元,非GAAP毛利率预计为38.5%±0.5%,非GAAP运营费用预计约为1550万美元[6] 运营亏损数据变化 - 2025年第一季度GAAP运营亏损2530万美元,2024年第一季度为3160万美元,2024年第四季度为3900万美元;非GAAP运营亏损1180万美元,2024年第一季度为1180万美元,2024年第四季度为1270万美元[8] - 2025年3月31日GAAP运营亏损为25,304千美元,运营利润率为 - 180.5%;2024年运营亏损为31,575千美元,运营利润率为 - 136.2%[20] - 2025年3月31日Non - GAAP运营亏损为11,821千美元,运营利润率为 - 84.3%;2024年运营亏损为11,833千美元,运营利润率为 - 51.1%[20] 现金及现金等价物情况 - 截至2025年3月31日,现金及现金等价物为7510万美元[8] - 2025年3月31日现金及现金等价物为75,132千美元,2024年12月31日为86,737千美元[22] 设计中标额情况 - 公司去年宣布设计中标额达4.5亿美元[3] GaN业务数据及进展 - GaN自2018年以来累计出货超2.5亿颗,现场可靠性达100 ppb [7][8] - 宣布推出全球首款量产的650 V双向GaN IC和IsoFast™高速隔离栅极驱动器[8] - GaNSafe技术通过Q101标准认证,与长安合作的GaN电动汽车车载充电器预计2026年初量产[8] SiC业务数据及进展 - SiC可靠性超AEC标准,电压范围2.3 kV - 6.5 kV,拓展至商用电动汽车领域[7] 新平台设计情况 - 宣布为数据中心推出新的12 kW平台设计,可使总机架功率翻倍至500 kW [8] 毛利率数据变化 - 2025年3月31日GAAP毛利率2025年为9.1%,2024年为24.0%[20] - 2025年3月31日Non - GAAP毛利润为5,343千美元,2024年为9,515千美元;Non - GAAP毛利率2025年为38.1%,2024年为41.1%[20] 研发费用数据变化 - 2025年3月31日GAAP研发费用为12,668千美元,2024年为20,229千美元;Non - GAAP研发费用2025年为8,830千美元,2024年为12,859千美元[20] 销售、一般和行政费用数据变化 - 2025年3月31日GAAP销售、一般和行政费用为11,740千美元,2024年为16,087千美元;Non - GAAP销售、一般和行政费用2025年为8,334千美元,2024年为8,489千美元[20] 净亏损数据变化 - 2025年3月31日GAAP净亏损为16,829千美元,2024年为3,681千美元;Non - GAAP净亏损2025年为11,179千美元,2024年为10,221千美元[20] 总资产数据变化 - 2025年3月31日总资产为370,830千美元,2024年12月31日为389,978千美元[22] 总负债数据变化 - 2025年3月31日总负债为29,010千美元,2024年12月31日为41,965千美元[22]
Navitas Semiconductor Announces First Quarter 2025 Financial Results
Globenewswire· 2025-05-05 20:03
文章核心观点 公司公布2025年第一季度未经审计财务结果,多项技术成果和可靠性成就,结合去年4.5亿美元设计中标,为公司今年及未来增长奠定基础 [1][2] 1Q25财务亮点 - 2025年第一季度总营收1400万美元,2024年第一季度为2320万美元,2024年第四季度为1800万美元 [8] - GAAP运营亏损2530万美元,2024年第一季度为3160万美元,2024年第四季度为3900万美元;非GAAP运营亏损1180万美元,2024年第一季度为1180万美元,2024年第四季度为1270万美元 [8] - 截至2025年3月31日,现金及现金等价物为7510万美元 [8] 市场、客户和技术亮点 - GaN预计未来12个月在AI数据中心、太阳能微逆变器和电动汽车等主流市场实现量产增长 [7] - GaN出货量超2.5亿,现场可靠性达100ppb,树立行业标杆 [7] - SiC可靠性超AEC标准,电压2.3kV至6.5kV,拓展至商用电动汽车领域 [7] - 宣布全球首款量产650V双向GaN IC和IsoFast高速隔离栅极驱动器,应用广泛 [8] - 宣布用于数据中心的12kW平台设计,支持新一代AI处理器 [8] - 自2018年以来GaN累计出货超2.5亿,现场可靠性达100ppb [8] - GeneSiC可靠性超汽车级,新AEC Plus测试树立行业新标准 [8] - GaNSafe技术获Q101标准认证,与长安合作用于首款GaN电动汽车车载充电器,预计2026年初量产 [8] - GeneSiC超高压2.3kV至6.5kV瞄准兆瓦级新能源市场 [8] 业务展望 - 2025年第二季度净收入预计1400万至1500万美元 [5] - 第二季度非GAAP毛利率预计38.5%±50个基点,非GAAP运营费用约1550万美元 [5] 非GAAP财务指标 - 非GAAP财务指标包括非GAAP运营费用、研发费用等,经GAAP结果调整,提供补充信息,应与GAAP结果结合理解 [10] 关于客户管道和设计中标说明 - “客户管道”反映潜在未来业务,“设计中标”指客户选择公司产品用于特定生产项目,均为前瞻性声明,不代表订单或未来收入 [11] 公司介绍 - 公司是唯一纯下一代功率半导体公司,2014年成立,GaNFast功率IC集成氮化镓,GeneSiC功率器件为碳化硅解决方案,聚焦多个市场,拥有超300项专利,提供20年GaNFast保修,是全球首家获碳中和认证半导体公司 [16]
Navitas Redefines Reliability with Industry’s First Automotive ‘AEC-Plus’ Qualified SiC MOSFETs in HV-T2Pak Top-Side Cooled Package
Globenewswire· 2025-05-05 12:30
文章核心观点 公司推出具有高可靠性、高性能和优化高爬电封装的产品,为汽车和工业应用设定新基准 [1][14] 公司介绍 - 公司是唯一纯-play、下一代功率半导体公司,在氮化镓(GaN)功率 IC 和碳化硅(SiC)技术领域处于行业领先 [1] - 公司成立于 2014 年,拥有超 300 项专利,有行业首个且唯一 20 年 GaNFast 保修,是全球首个获得碳中和认证的半导体公司 [9] - 公司 GaNFast™ 功率 IC 集成氮化镓功率和驱动等,GeneSiC™ 功率器件是优化的碳化硅解决方案,聚焦 AI 数据中心、EV 等市场 [9] 产品特点 - 最新一代 650 V 和 1200 V “沟槽辅助平面” SiC MOSFETs 与优化的 HV - T2Pak 顶侧冷却封装结合,爬电距离达 6.45 mm,满足高达 1200V 应用的 IEC 合规性 [1] - HV - T2Pak SiC MOSFETs 显著提高系统级功率密度和效率,改善热管理,简化板级设计和可制造性 [2] - GeneSiC™ “沟槽辅助平面 SiC MOSFET 技术” 在高温电路运行时导通电阻比竞品低达 20%,开关品质因数优越,功率损耗低 [7] - 所有 GeneSiC™ SiC MOSFETs 雪崩能力 100% 测试,短路耐受能量出色,阈值电压分布窄,便于并联 [7] 产品应用 - 目标应用包括 EV 车载充电器(OBC)和 DC - DC 转换器、数据中心电源、住宅太阳能逆变器和储能系统(ESS)、EV 直流快速充电器和 HVAC 电机驱动器 [2] 产品标准 - 公司创建行业首个 “AEC - Plus” 基准,表明产品符合并超越现有 AEC - Q101 和 JEDEC 产品资格标准 [3] - “AEC - Plus” 资格标准扩展到严格的多批次测试和资格认证,新增动态反向偏置(D - HTRB)和动态栅极开关(D - HTGB)等要求 [4][11] 产品规格 - 初始 HV - T2Pak 产品组合包括导通电阻额定值为 18 mΩ 至 135 mΩ 的 1200 V SiC MOSFETs 和 20 mΩ 至 55 mΩ 的 650 V SiC MOSFETs [8] - 2025 年晚些时候将推出 HV - T2Pak 封装中导通电阻低于 15 mΩ 的 SiC MOSFETs [8] 封装设计 - HV - T2Pak 顶侧冷却封装采用行业标准紧凑外形(14 mm x 18.5 mm),封装模塑料有创新凹槽设计,不减小散热垫尺寸并确保最佳散热 [4] - 外露散热垫采用镍、镍磷(NiNiP)镀层,而非现有 TSC 封装解决方案的锡(Sn)镀层,有助于保持回流后表面平整度 [5]