文章核心观点 公司宣布推出面向高达600W家用电器和工业驱动器的GaNSense™电机驱动IC新品，该产品具有高效、低成本、小尺寸等优势 [1] 产品特点 - 全集成解决方案将半桥配置的两个GaN FET与驱动、控制、传感和自主保护相结合，与传统硅IGBT解决方案相比，效率提高4%，PCB尺寸减小40%，系统成本降低15% [2] - 具备双向无损电流感应功能，可测量正负电流，无需外部分流电阻，提高效率、可靠性并使设计更紧凑 [3] - 开关的导通和关断转换速率完全可调，可优化EMI、性能并最大化效率 [4] - 具有自主续流功能，检测到反向电流时开启GaN IC，降低传导损耗、最大化效率并减小散热器尺寸和成本 [4] - 具备多种安全功能，如高低侧短路保护、过温保护和2kV ESD防护 [4] 产品型号及应用 - 650V系列包括NV6257、NV6287和NV6288，支持高达600W的驱动器 [5] - 目标应用集中在高达600W的电机驱动器，涵盖家用电器和低功率工业驱动器 [5] 产品展示及信息获取 - 产品将在PCIM 2025上展示 [6] - 可通过指定链接获取数据手册，或联系指定邮箱获取更多信息 [6] 公司介绍 - 公司是唯一的纯下一代功率半导体公司，成立于2014年，拥有10年功率创新历史 [7] - 其GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动，具备控制、传感和保护功能；GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压、高可靠性碳化硅解决方案 [7] - 专注市场包括AI数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费等领域 [7] - 拥有300多项已发布或待发布专利，提供行业首个也是唯一的20年GaNFast保修，是全球第一家获得碳中和认证的半导体公司 [7]

文章核心观点 - 纳微半导体董事会采取行动推进公司增长战略，加强公司治理，使董事会利益与股东利益进一步一致，以抓住数十亿美元市场机会并创造价值 [2][3] 董事会和领导层更新 - 任命理查德·亨德里克斯为董事会主席，立即生效，他于2021年加入董事会，有超30年资本市场领导和咨询经验，接替谢里丹，谢里丹留任董事并继续担任首席执行官 [4] - 首席技术官、首席运营官兼联合创始人丹尼尔·金泽已辞去执行职务和董事会成员职务，将继续担任顾问支持氮化镓技术领域的技术和产品创新 [6] - 董事会打算在2025年年度股东大会上任命一名独立董事作为一类董事参选，相关细节将在公司提交给美国证券交易委员会的最终委托书中提供 [7] 执行指导委员会成立 - 公司宣布成立董事会执行指导委员会，负责多项举措，包括费用管理、加速产品和技术路线图、加强市场进入和合作伙伴战略以及任命运营、销售和技术高管等，委员会由辛格博士担任主席，成员包括亨德里克斯和大卫·莫克萨姆 [8][11] - 公司与辛格博士达成合作协议，协议细节将在后续美国证券交易委员会文件中提供 [9] 公司简介 - 纳微半导体是唯一的纯下一代功率半导体公司，2014年成立，拥有GaNFast™功率集成电路和GeneSiC™功率器件，专注数据中心、电动汽车等市场，拥有超300项已发布或待发布专利，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [14]

核心观点 - 公司将在PCIM 2025展览会上展示多项GaN和SiC技术突破 覆盖AI数据中心、电动汽车、电机驱动和工业应用领域 [1][2] 技术突破与产品发布 - 全球首款量产650V双向GaNFast IC和IsoFast高速隔离门极驱动器 实现从两阶段到单阶段拓扑结构的转变 目标应用包括电动汽车充电、太阳能逆变器、储能和电机驱动 [3] - 汽车级高功率GaNSafe™ IC 通过Q100和Q101认证 适用于车载充电器和HV-LV DC-DC转换器 基于超过7年生产和现场数据验证可靠性 [3] - 最新SiCPAK功率模块采用环氧树脂灌封技术和GeneSiC™沟槽辅助平面技术 热阻变化降低5倍 延长系统寿命 目标市场包括电动汽车直流快充、工业电机驱动、不间断电源、太阳能逆变器和储能系统 [3] - 新发布GaNSense™电机驱动IC 具备双向无损电流检测、电压检测和温度保护功能 性能超越任何分立GaN或硅器件 [3] - 汽车认证(AEC-Q101)第三代快速SiC MOSFET 采用沟槽辅助平面技术 提供领先的高温性能 支持更快充电的电动汽车和高达3倍功率的AI数据中心 [3] - GaNSlim™高集成度GaN功率IC 简化小尺寸高功率密度应用开发 目标应用包括移动设备、笔记本电脑充电器、电视电源和高达500W的照明系统 [3] AI数据中心电源解决方案 - 全球首款8.5kW OCP电源解决方案 效率达98% 采用高功率GaNSafe™ IC和第三代快速SiC MOSFET 实现最高效率和最少元件数量 [3] - 全球最高功率密度AI电源 在最小尺寸下提供4.5kW功率 功率密度达137W/in³ 效率超过97% 满足最新AI GPU每机架3倍功率需求 [3] - IntelliWeave专利数字控制技术 结合高功率GaNSafe™和第三代快速SiC MOSFET 实现PFC峰值效率99.3% 较现有解决方案降低功率损耗30% [3] 公司背景与行业地位 - 公司是唯一纯下一代功率半导体企业 专注于GaN功率IC和SiC技术 拥有10年创新历史 [4] - GaNFast™功率IC集成GaN功率、驱动、控制、传感和保护功能 实现更快充电、更高功率密度和更高能效 [4] - GeneSiC™功率器件针对高功率、高电压和高可靠性SiC解决方案 重点市场包括电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、数据中心、移动和消费电子 [4] - 公司拥有超过250项已授权或申请中专利 提供行业首个且唯一20年GaNFast保修 是全球首家碳中认证半导体企业 [4]

氮化镓产业白皮书 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等企业确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》 [1] 碳化硅功率半导体行业动态 - 三菱电机、华润微电子、方正微电子、至信微电子、派恩杰半导体、纳微半导体近期密集推出创新碳化硅产品，推动技术升级与能效提升 [2] 三菱电机 - 发布两款新型空调及家电用SiC模块样品：全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6），4月22日开始供应 [3] - 全SiC模块功率损耗较硅基降低79%，混合SiC模块降低47%，显著提升家电能效 [5] - 新模块集成自研SiC MOSFET芯片，输出功率高于硅基RC-IGBT模块，适用于大容量家电逆变器电路 [5] - 冠名赞助"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，5月15日公布更多解决方案 [5] 华润微电子 - 推出1200V 450A/600A半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块，基于第二代车规SiC MOS平台 [7] - 模块具备低导通损耗、耐高温特性，采用Si3N4 AMB、银烧结等工艺，最高工作结温175℃ [9] 方正微电子 - 发布第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ芯片，Die size缩小，FOM值提升，可靠性达行业标准的3倍 [9][11] - 第一代产品已大规模上车，预计2025年覆盖几十万辆乘用车主驱，应用延伸至光储充、AI服务器等领域 [11] 至信微电子 - 推出3300V 8Ω SiC MOSFET系列，具备低导通损耗、耐175℃高温、优异体二极管性能等特点 [12][14] - 适用于光伏逆变系统、工业电机等场景，开关效率提升且振荡减少 [15][16] 派恩杰半导体 - 发布SiC HPD模块PAAC12450CM，6并联设计实现与8并联竞品相近功率密度，均流效果更优 [17][18] - 下一代产品电流能力将从450A提升至600A，保持6并联架构 [19] 纳微半导体 - 推出SiCPAK™功率模块，采用"沟槽辅助平面栅"技术，损耗降低20%，目标市场包括电动汽车快充、光伏逆变器等 [20][23] - 模块通过环氧树脂灌封技术隔绝湿气，适应高湿度环境，热耐性更稳定 [23] 行业其他动态 - 行业关注焦点包括SiC芯片工厂投产、8英寸出货量增长及平面栅SiC芯片技术突破 [25]

文章核心观点 公司宣布将于2025年5月5日周一收盘后公布2025年第一季度财务结果，当晚管理层将主持电话会议和网络直播展示财务结果并回答分析师问题 [1][7] 财务结果公布及会议信息 - 财务结果公布时间为2025年5月5日周一收盘后 [1][7] - 电话会议和网络直播时间为当天太平洋时间下午2点/东部时间下午5点 [1][2][7] - 免费拨入号码为(888) 596 - 4144或(646) 968 - 2525，会议ID为2033529 [2] - 网络直播链接为https://edge.media-server.com/mmc/p/tz4rhgz4 [2] - 电话会议回放可在公司网站投资者关系板块https://ir.navitassemi.com/获取 [2] 公司简介 - 公司是唯一的纯下一代功率半导体公司，2014年成立，已实现10年功率创新 [3] - GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动及控制、传感和保护功能，可实现更快充电、更高功率密度和更大节能效果 [3] - GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压和高可靠性碳化硅解决方案 [3] - 重点市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费领域 [3] - 公司拥有300多项已发布或待发布专利，有行业首个也是唯一的20年GaNFast质保 [3] - 公司是全球第一家获得碳中和认证的半导体公司 [3] 联系方式 - 产品管理与营销高级总监Llew Vaughan - Edmunds邮箱为info@navitassemi.com [5] - 投资者关系Lori Barker邮箱为ir@navitassemi.com [5] - 公告配图链接为https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/6560f6de - 47bf - 4274 - b915 - d53e99297acc [5]

文章核心观点 公司发布采用环氧树脂灌封技术的最新SiCPAK™功率模块，适用于多个高功率领域，具有高可靠性和高温性能优势 [1] 产品技术特点 - 先进低成本环氧树脂灌封技术使热阻变化降低5倍，延长系统寿命 [1][13] - 采用专有的沟槽辅助平面SiC MOSFET技术，设计和验证适用于高功率环境 [1] - 20多年碳化硅创新领导经验，GeneSiC™技术提供行业领先的温度性能，降低损耗、运行更凉爽、增强鲁棒性 [4] - “沟槽辅助平面”技术使RDS(ON)随温度增加极低，在高温下电路运行时RDS(ON)比竞品低达20% [5] 产品性能优势 - 新的1200V SiCPAK™功率模块能防止湿气侵入，承受高湿度环境，减少功率和温度变化导致的性能下降，实现稳定热性能 [2] - 经1000次热冲击测试（-40°C至+125°C），热阻增加比传统硅胶填充模块低5倍，硅胶填充模块隔离测试失败，而SiCPAK™模块保持可接受隔离水平 [3] - GeneSiC™ SiC MOSFET雪崩能力100%测试，短路耐受能量高30%，阈值电压分布窄，便于并联 [5] 产品规格与兼容性 - 1200V SiCPAK™功率模块内置NTC热敏电阻，有4.6 mΩ至18.5 mΩ额定值，提供半桥、全桥和3L - T - NPC电路配置 [6] - 引脚与行业标准压接模块兼容，可选预涂热界面材料简化组装 [6] 产品供应信息 - 模块已发布并可立即量产，数据手册可在指定网址查看 [7] 公司简介 - 公司是唯一纯业务的下一代功率半导体公司，2014年成立，有10年功率创新历史 [8] - GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动等功能，实现快速充电、高功率密度和节能；GeneSiC™功率器件是优化的碳化硅解决方案 [8] - 专注市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能等多个领域，拥有300多项专利，有20年GaNFast保修，是全球首个获得碳中和认证的半导体公司 [8]

文章核心观点 公司发布采用环氧树脂灌封技术的最新SiCPAK™功率模块，适用于多种高功率环境，具有高可靠性和高温性能优势 [1] 产品特点 - 采用先进环氧树脂灌封技术，能防止湿气侵入，减少功率和温度变化导致的性能下降，可耐受高湿度环境并实现稳定热性能 [2] - 经过1000次热冲击测试（-40°C至+125°C），热阻增加比传统硅胶填充盒式模块低5倍，且在隔离测试中能保持可接受的隔离水平 [3] - 基于超20年碳化硅创新领导地位的GeneSiC™“沟槽辅助平面碳化硅MOSFET技术”，可实现行业领先的温度性能，降低20%的损耗，运行更凉爽，具备出色的耐用性 [4] - “沟槽辅助平面”技术使RDS(ON)随温度升高的增幅极低，在更宽的工作范围内实现最低功率损耗，在高温电路运行时比竞争对手的RDS(ON)低20% [5] - 所有GeneSiC™碳化硅MOSFET具有最高公布的100%测试雪崩能力，短路耐受能量提高30%，阈值电压分布紧密，便于并联 [5] 产品规格 - 1200V SiCPAK™功率模块内置NTC热敏电阻，有4.6mΩ至18.5mΩ的额定值，提供半桥、全桥和3L - T - NPC电路配置 [6] - 与行业标准压接式模块引脚兼容，还可选预涂热界面材料以简化组装 [6] 产品供应 - 模块已发布并可立即投入大规模生产，数据手册可在指定网址查看 [7] 公司介绍 - 公司是唯一的纯下一代功率半导体公司，2014年成立，拥有10年功率创新历史 [8] - GaNFast™功率IC集成氮化镓功率和驱动以及控制、传感和保护功能，可实现更快充电、更高功率密度和更大节能效果 [8] - 互补的GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压和高可靠性碳化硅解决方案 [8] - 专注市场包括人工智能数据中心、电动汽车、太阳能、储能、家电/工业、移动和消费领域 [8] - 拥有超300项已授权或待授权专利，提供行业首个也是唯一的20年GaNFast质保，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [8]

文章核心观点 - 纳微半导体宣布其高功率GaNSafe™ ICs获得汽车资格认证，展示了氮化镓在汽车市场的新突破，同时其相关产品在效率、功率密度等方面有优势，推动氮化镓成为电动汽车电源系统的首选技术 [3][1][9] 公司产品情况 - 高功率GaNSafe 4代系列集成控制、驱动、传感和关键保护功能，具备短路保护、ESD保护等特性，通过4引脚控制，无需VCC引脚 [4] - 2025年3月推出世界首个量产的650V双向GaNFast ICs与IsoFast驱动器，可使下一代单级车载充电器实现高效双向充电 [7] 产品认证情况 - 公司高功率GaNSafe™ ICs获得AEC - Q100和AEC - Q101汽车资格认证，确保分立功率FET级和组合IC解决方案符合严格规格 [3][5] - 为支持认证，公司创建综合可靠性报告，分析超7年生产和现场数据，展示产品可靠性和耐用性提升 [6] 产品应用效果 - 领先的电动汽车和太阳能微型逆变器制造商已开始采用单级BDS转换器，可实现高达10%的成本节省、20%的能源节省和高达50%的尺寸减小 [8] 公司发展成果 - 公司已发货超2.5亿个单位，现场设备运行超2万亿小时，累计现场故障率接近十亿分之一百 [9][13] 公司简介 - 纳微半导体是唯一纯专注于下一代功率半导体的公司，2014年成立，拥有GaNFast™功率IC和GeneSiC™功率器件，聚焦多个市场，拥有超300项专利，提供20年GaNFast保修，是世界首个获得碳中和认证的半导体公司 [10]

文章核心观点 Navitas Semiconductor与长城电源合作，其GaNSense功率IC将为长城电源用于AI数据中心的2.5kW超高功率密度DC - DC转换器供电，双方合作有望推动GaN技术在多领域应用及行业向高效环保方向发展 [1][6] 行业趋势 - AI快速发展对数据中心算力提出更高要求，400V独立机柜架构成新趋势，小尺寸、高效率、高独立性的模块电源可释放机柜空间、提升算力、降低能耗并助力实现双碳目标 [2] 产品情况 长城电源2.5kW DC - DC转换器 - 采用1/4砖外形，功率密度达92.36W/cm³，为行业领先，输出功率比传统硅设计高8倍，半载效率达97.9%，输入范围320 - 420VDC，符合OCP效率准则和法规，可用于AI数据中心、电信和工业设备等领域 [3] Navitas GaNSense NV6169 - 为上述转换器供电，650V、45mΩ，在8 x 8mm PQFN封装中比先前设计多提供50%功率，适用于高效高密度电源系统 [4] - 具备无损耗电流感应和世界最快短路保护等GaN行业首创特性，“检测到保护”速度仅30ns，比离散解决方案快6倍 [4] - 额定650V正常运行，峰值额定800V，GaN栅极全保护，整个器件静电放电（ESD）规格达2kV [5] 双方表态 - 长城电源DC产品线负责人表示很高兴与Navitas合作，期待深化合作以解锁GaN在更多领域应用，提高电源效率、降低能耗、加速各行业低碳转型 [6] - Navitas亚太区高级副总裁兼总经理称与长城电源合作深感荣幸，相信持续合作将使GaN技术在多领域发光，推动行业向高效环保方向发展 [6] 公司介绍 长城电源 - 1989年成立，专注开关电源研发、生产和销售，是中国首个计算机电源制造商，产品涵盖服务器、桌面电脑、通信、工业等多种电源 [7] - 有36年电源研发生产经验，是中国最大电源供应商之一和国家电源标准主要起草者 [8] - 在深圳、南京等地设有六个研发中心，超800名研发人员，持续投入研发创新，拥有坚实技术基础和强大研发能力，建立关键企业实验室和CNAS认可实验室，积累众多自主知识产权核心技术 [9] - 遵循“高端、国际、多元、智能”发展战略，积极拓展海外市场，目标成为全球电源产品供应商和电源领域世界领先技术供应商 [10] Navitas Semiconductor - 2014年成立，是唯一纯下一代功率半导体公司，有10年功率创新历史 [11] - GaNFast™功率IC集成氮化镓（GaN）功率、驱动、控制、传感和保护功能，实现快速充电、高功率密度和节能；GeneSiC™功率器件是优化的高功率、高压、高可靠性碳化硅（SiC）解决方案 [11] - 专注AI数据中心、电动汽车、太阳能等市场，拥有超300项已授权或待授权专利，提供行业首个也是唯一20年GaNFast保修，是世界首个获得碳中和认证的半导体公司 [11]

文章核心观点 - 纳微半导体与兆易创新宣布建立战略合作伙伴关系，创建联合实验室，整合双方技术，加速氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）在人工智能数据中心、电动汽车、太阳能和储能系统等领域的应用 [1] 合作信息 - 2025年4月8日，兆易创新高级副总裁、首席技术官兼微控制器业务部总经理Vincent Li和纳微半导体亚太区副总裁兼总经理Charles Zha等高管出席在上海举行的签约仪式，双方分享合作战略并讨论联合实验室运营模式 [8] - 双方合作旨在将纳微半导体的GaNFast™ IC与兆易创新的微控制器集成和定制，目标市场为人工智能数据中心、电动汽车、太阳能和节能系统 [1] 合作意义 - GaN和SiC功率技术向更快、更轻、更紧凑解决方案转变，需要优化微控制器以发挥其快速开关特性，双方共同开发的解决方案将加速GaN和SiC在高功率市场的应用 [2] - 联合研发实验室将整合双方技术产品和系统级应用专业知识，推动智能高效电源管理解决方案的创新发展，实现更高水平的集成、性能和高功率密度数字电源解决方案 [3] 双方优势 兆易创新 - 是中国高性能通用微控制器市场领导者，产品广泛应用于电力系统、工业自动化、汽车电子和运动控制等领域，累计出货量超20亿单位 [4] - GD32高性能微控制器系列采用领先技术和核心架构，具有更高处理能力、更大存储容量和更丰富片上资源，为开发者带来高端创新体验，并提供全面的行业垂直解决方案 [4] 纳微半导体 - 是GaN功率技术行业领导者，拥有广泛的GaNFast™功率IC产品组合，能实现高频高效功率转换，与传统硅功率器件相比，功率提高3倍，充电速度加快3倍，尺寸和重量减半 [5] - 在多个增长市场处于领先地位，为全球前10大智能手机/笔记本电脑原始设备制造商中的10家供应GaN IC，在人工智能数据中心解决方案方面有多项世界首创设计，长安汽车将推出首款使用其GaN IC的基于GaN的车载充电器 [6] 公司战略与愿景 - 纳微半导体通过创建生态系统支持下一代清洁能源解决方案，此次合作符合其战略，此前还开展了创建高速隔离驱动器、集成ASIC与GaNSense™ IC等工作 [7] - 兆易创新高级副总裁Vincent Li表示数字电源是核心战略市场，与纳微半导体合作将整合先进微控制器与领先GaNFast™技术，推动工业自动化和新能源汽车发展 [9] - 纳微半导体亚太区副总裁Charles Zha称联合实验室将放大双方在IC设计、制造和生态系统开发方面的互补优势，加速下一代高效电源解决方案研发，实现“智能+绿色”战略愿景 [9] 公司简介 兆易创新 - 是全球领先的微控制器和闪存无晶圆厂供应商，2005年4月成立，总部位于中国北京，在全球多地设有分支机构，拥有四大产品线，提供广泛解决方案和服务，获得多项认证并与领先厂商建立战略联盟 [10] 纳微半导体 - 是唯一专注于下一代功率半导体的公司，2014年成立，庆祝10年功率创新，GaNFast™功率IC集成多种功能，GeneSiC™功率器件为高功率、高压、高可靠性SiC解决方案，拥有超300项专利，是全球首家获得碳中和认证的半导体公司 [11]