存储芯片价格预测 - 2025年第四季度NAND和DRAM的合同价格预计上涨15-20% [2] - 此次淡季价格飙升与人工智能基础设施建设和供应紧张直接相关 [2] 供应紧张状况 - 供应短缺导致云服务提供商积极采购，高堆叠3D NAND产品几乎售罄 [2] - SanDisk在9月份推动NAND价格上涨约10% [2] - 美光在客户预测出现短缺后暂停了DRAM和NAND报价，以重新评估分配情况 [2] - 近线HDD存在结构性短缺，迫使超大规模数据中心运营商加快2026年QLC SSD部署计划 [2] - 三星2026年的下一代V9 NAND已接近售罄，云客户提前锁定了产能 [3] 需求驱动因素 - 3D NAND因更快的读取速度和更大的芯片容量吸引了云服务提供商客户的强烈优先采购兴趣 [2] - 人工智能正在改写云存储体系，导致数据中心主导的闪存供应紧张 [4] - 云买家正在积极争取未来很长一段时间的供应 [3] 对消费市场的影响 - 如果超大规模厂商吸收更多用于企业级SSD的晶圆，且DRAM制造商优先考虑服务器部件和HBM，零售价格将失去弹性 [3] - 随着产能重新分配，传统DRAM类型面临最大压力 [3] - NVMe硬盘常见的冬季特价可能会比预期的要少 [3] 行业公司表现 - 控制器专家群联电子8月份营收为59.34亿新台币，同比增长23% [4] - 群联电子将强劲增长归因于非消费类需求以及与NAND制造商更紧密的合作 [4] 行业趋势总结 - 闪存制造商的定价权比往年最后一个季度更强 [4] - 多个数据点表明人工智能是驱动当前存储市场变化的核心因素 [4]

来 源 ：内容 编译自 ZDNet 。 三星电子在第九代（V9）大容量 NAND 产品的商用化进程中遇到困难。原本计划在去年下半年宣 布首次量产，但目前因性能问题，正在进行设计和工艺层面的修正工作。随着 AI 产业的发展，大 容量 NAND 的需求不断增加，业界呼吁三星必须加快市场响应。 据 ZDNet Korea 9月16日报道，三星已将 V9 QLC NAND 的正式商用时间，至少推迟到明年上半 年。 V9 QLC 仍需改进…预计明年稳定并进行设备投资 三星的 V9 NAND 采用 280 层结构，去年 4 月开始首次量产，当时的产品基于 TLC（三比特单 元）结构，实现了 1Tb（太比特）容量。TLC 意味着每个存储单元可以存储 3bit 数据。 随后在去年 9 月，三星宣布启动 V9 QLC NAND 的量产。QLC 可以在单个单元中存储 4bit 数 据，相较 TLC 更有利于实现大容量存储器。 然而，据多位业内人士透露，三星在 V9 QLC NAND 商用化过程中遭遇了困难。早期产品因设计 问题出现性能下降的现象。 因此，三星目前正在推进 V9 QLC NAND 的设计和工艺优化，预计最早将在明年 ...