TWINSCAN NXT:870B
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心智观察所:真相比情绪重要,误读中国光刻机正在伤害真正的进步
新浪财经· 2025-11-20 06:17
ASML进博会产品展示 - 在2025年11月上海进博会上展示面向主流芯片市场的全景光刻解决方案 [1] - 两款先进的DUV光刻机台TWINSCAN XT:260和TWINSCAN NXT:870B成为关注焦点 [1] - XT:260是基于双工作台技术的i-line光刻系统,主要用于先进封装领域 [3] 光刻机技术复杂度分析 - 现代光刻机是集光学、机械、电子、软件、材料等多学科于一体的超精密系统工程 [4] - 以EUV光刻机为例,整机包含超过10万个零部件,涉及5000多家供应商,软件代码行数以亿计 [4] - 软件系统包括光学校准、对准系统等数十个子系统,需纳秒级时序控制和纳米级位置控制 [5] 前道与后道光刻机技术差异 - 前道光刻机用于制造晶体管,需要极高分辨率和套刻精度,后道光刻机主要用于封装,要求相对宽松 [5] - ASML展示的XT:260是封装光刻机,曝光区域26x33毫米,采用两倍掩模缩小技术 [5] - 前道光刻机采用四倍缩小技术,与后道设备不在一个技术层次 [5] 设备调试与产业生态要求 - 光刻机从组装完成到稳定量产通常需要6-12个月调试期,需对数千个参数进行优化 [6] - 温度变化0.001度可能影响套刻精度,振动增加几个纳米可能导致成像模糊 [6] - 设备性能发挥依赖真实生产线大量运行数据,需设备厂商与客户深度绑定的协同进化关系 [6] 中国市场动态与产业格局 - ASML中国区员工已超过2000人,在北京设有全球6个维修中心之一 [7] - 对中国已交付的先进浸润式DUV系统,需申请出口许可证才能提供服务 [7] - 2024年第三季度ASML新增订单26亿欧元,其中14亿欧元为EUV光刻机订单,来自台积电、三星、英特尔等企业 [10] 技术差距客观评估 - ASML最新NXT:2100i分辨率达38nm,套刻精度0.9-1.3nm,EUV光刻机分辨率低至8nm [3] - 国产氟化氩光刻机分辨率≤65nm,套刻精度≤8nm [3] - 中国芯片出口增长20%主要来自成熟制程芯片,使用28纳米以上工艺生产 [9]
真相比情绪重要,误读中国光刻机正在伤害真正的进步
观察者网· 2025-11-20 00:56
ASML进博会产品展示 - 在第八届中国国际进口博览会上公开展示面向主流芯片市场的全景光刻解决方案 [1] - 两款先进的深紫外光刻机台TWINSCAN XT:260和TWINSCAN NXT:870B成为关注焦点 [1] - 即将推出的XT:260是基于双工作台技术、采用XT4平台的i-line光刻系统,具有双倍视场曝光功能,主要用于先进封装领域 [3] 光刻机技术复杂度与差距 - 光刻机是集光学、机械、电子、软件、材料等多学科于一体的超精密系统工程 [4] - 以EUV光刻机为例,整机包含超过10万个零部件,涉及5000多家供应商,软件代码行数以亿计 [4] - ASML NXT:1470光刻机照明波长为193nm,分辨率≤57nm,套刻精度≤4.5nm [3] - 国产氟化氩光刻机分辨率≤65nm,套刻精度≤8nm [3] - ASML最新NXT:2100i分辨率达到38nm,套刻精度0.9-1.3nm,极紫外光刻机分辨率低至8nm [3] - 前道光刻机与后道封装光刻机存在技术层次差异,XT:260曝光区域为26x33毫米,采用两倍掩模缩小技术,与前道光刻机的四倍缩小完全不同 [5] 设备调试与产业生态 - 光刻机从组装完成到稳定量产通常需要6-12个月的调试期,工程师需对数千个参数进行优化 [6] - 设备性能发挥依赖真实生产线的大量运行数据,需要设备厂商与客户深度绑定的协同进化关系 [6] - ASML在北京设有全球6个维修中心之一,公司在中国的员工已超过2000人 [7] - 对于已交付的先进浸润式DUV系统,需要申请出口许可证才能为受出口管制的系统提供服务 [7] 市场动态与需求分析 - ASML在2024年第三季度新增订单为26亿欧元,其中14亿欧元为EUV光刻机订单 [10] - 过去几年中国地区销售额占比曾达46%,预计2025年将回归20%的历史正常水平 [8] - 中国出口增长20%的主要是成熟制程芯片,如电源管理芯片、显示驱动芯片、MCU等,使用28纳米以上工艺生产 [9] - 华为麒麟9000S采用7纳米工艺,很可能使用中芯国际现有的DUV多重曝光技术,该技术成本高、良率低 [8] 产业发展与竞争格局 - 上海芯上微装于今年8月成功交付第500台步进光刻机,主要用于后道封装 [13] - 技术追赶需要时间积累,ASML从1984年成立到2019年推出首台量产EUV光刻机用了35年时间 [10] - 在最先进的制程节点上,差距不是在缩小,而是在拉大 [10] - 半导体产业的未来属于能够直面现实、持续投入、踏实积累的国家和企业 [14]
ASML亮相第八届进博会 助力中国客户把握主流芯片市场机遇
国际金融报· 2025-11-07 17:18
公司战略与市场定位 - 公司第七次参加进博会,旨在加强与客户、合作伙伴及行业相关方的互动[2] - 公司致力于通过全景光刻解决方案帮助中国客户把握主流芯片市场机遇[2] - 公司在中国市场深耕30余年,目前拥有超过2000名员工,在17个城市设有办事处,并有15个仓储物流中心和1个维修中心[4] - 公司在合法合规前提下持续为中国客户提供装机服务、系统运行与维护等支持[4] 行业趋势与驱动因素 - AI正驱动全球对不同制程节点芯片的需求激增,主流芯片在此趋势中发挥重要作用[2][5] - AI的快速发展推动半导体行业在智能设备、电动汽车、工业自动化及物联网等领域前进[4] - 中国拥有广泛的AI应用场景,包括DeepSeek、机器人、具身智能及AI驱动的电子消费产品,这些应用推动了对传感器、电源管理、模拟器件等主流芯片的增长需求[5] 技术解决方案与产品亮点 - 公司全景光刻解决方案融合光刻机、计算光刻和电子束量测与检测技术,旨在帮助客户降低能耗与成本的同时实现更高良率[3] - 光刻系统持续推动2D微缩,并赋能先进封装与3D集成;计算光刻突破光学物理极限,智能优化成像;量测与检测是保障芯片质量的关键技术[3] - 解决方案为3D集成的核心键合工艺提供支持,帮助减少对准误差、保障精准堆叠,并实现更短、更快的互联[3] - 参展亮点产品包括TWINSCAN XT:260 i-line光刻机,其通过光学系统创新实现大视场曝光,生产效率较现有机型提高4倍[4] - TWINSCAN NXT:870B在升级光学器件和磁悬浮平台支持下,可实现每小时400片以上晶圆产量,并为键合后工艺提供强大校正能力[4] - 钻石涂层技术在DUV平台中创新性引入,能有效减少设备磨损,延长使用寿命,降低更换需求与维护成本[4] 技术创新路线 - 推动摩尔定律持续演进是应对算力和能源挑战的关键,主要通过2D微缩持续缩小晶体管尺寸、提升晶体管密度与能效,以及借助3D集成进行堆叠和先进封装两大核心路线[2]
ASML亮相第八届进博会,助力中国客户把握主流芯片市场机遇
国际金融报· 2025-11-07 15:36
公司参与进博会概况 - 公司第七次参加中国国际进口博览会,主题为“积纳米之微,成大千世界”,亮相技术装备展区集成电路专区 [1] - 公司全球执行副总裁表示,进博会是促进沟通交流的宝贵平台,旨在加强与中国客户、合作伙伴及行业相关方的互动 [1] - 公司在中国市场深耕30余年,拥有超过2000名员工,在17个城市设有办事处,15个仓储物流中心,1个维修中心,并建立了计算光刻和电子束量测开发中心 [4] 行业趋势与市场需求 - AI驱动全球对不同制程节点芯片的需求激增,其中主流芯片在增长趋势中发挥重要作用 [1][5] - AI的快速发展推动半导体行业在智能设备、电动汽车、工业自动化及物联网等领域前进,这些AI驱动应用依赖主流芯片实现传感、连接、电源管理及控制等基本功能 [4] - 中国市场聚焦主流芯片领域,该领域占据重要市场份额,广泛的AI应用场景进一步推动对传感器、电源管理、模拟器件等主流芯片的增长需求 [5] 公司技术解决方案与产品展示 - 公司展示全景光刻解决方案,融合光刻机、计算光刻和电子束量测与检测技术,旨在帮助客户降低能耗与成本的同时实现更高良率 [3] - 光刻系统推动2D微缩并赋能先进封装与3D集成,计算光刻突破光学物理极限智能优化成像,量测与检测是保障芯片质量的关键技术 [3] - 解决方案为3D集成核心键合工艺提供支持,帮助减少晶圆形变导致的对准误差,保障芯片精准堆叠,实现更短更快互联 [3] - 进博会现场展示亮点产品包括TWINSCAN XT:260 i-line光刻机,通过光学系统创新实现大视场曝光,生产效率提高4倍,有效提升性能并降低单片晶圆成本 [4] - 展示TWINSCAN NXT:870B光刻机,在升级光学器件和最新一代磁悬浮平台支持下,可实现每小时晶圆产量400片以上,并为键合后套刻和阶梯式工艺提供强大校正能力 [4] - 展示钻石涂层技术,在DUV平台中创新性引入,有效减少设备磨损,延长使用寿命,降低更换需求与维护成本 [4] 行业创新挑战与路径 - AI趋势加速创新步伐,但也带来算力和能源方面的挑战,推动摩尔定律持续演进仍是应对问题的关键 [1] - 行业寻求创新突破的两大核心路线包括通过2D微缩持续缩小晶体管尺寸、提升晶体管密度与能效,以及借助3D集成进行堆叠和先进封装以突破平面极限 [1]