真相比情绪重要,误读中国光刻机正在伤害真正的进步

ASML进博会产品展示 - 在第八届中国国际进口博览会上公开展示面向主流芯片市场的全景光刻解决方案 [1] - 两款先进的深紫外光刻机台TWINSCAN XT:260和TWINSCAN NXT:870B成为关注焦点 [1] - 即将推出的XT:260是基于双工作台技术、采用XT4平台的i-line光刻系统,具有双倍视场曝光功能,主要用于先进封装领域 [3] 光刻机技术复杂度与差距 - 光刻机是集光学、机械、电子、软件、材料等多学科于一体的超精密系统工程 [4] - 以EUV光刻机为例,整机包含超过10万个零部件,涉及5000多家供应商,软件代码行数以亿计 [4] - ASML NXT:1470光刻机照明波长为193nm,分辨率≤57nm,套刻精度≤4.5nm [3] - 国产氟化氩光刻机分辨率≤65nm,套刻精度≤8nm [3] - ASML最新NXT:2100i分辨率达到38nm,套刻精度0.9-1.3nm,极紫外光刻机分辨率低至8nm [3] - 前道光刻机与后道封装光刻机存在技术层次差异,XT:260曝光区域为26x33毫米,采用两倍掩模缩小技术,与前道光刻机的四倍缩小完全不同 [5] 设备调试与产业生态 - 光刻机从组装完成到稳定量产通常需要6-12个月的调试期,工程师需对数千个参数进行优化 [6] - 设备性能发挥依赖真实生产线的大量运行数据,需要设备厂商与客户深度绑定的协同进化关系 [6] - ASML在北京设有全球6个维修中心之一,公司在中国的员工已超过2000人 [7] - 对于已交付的先进浸润式DUV系统,需要申请出口许可证才能为受出口管制的系统提供服务 [7] 市场动态与需求分析 - ASML在2024年第三季度新增订单为26亿欧元,其中14亿欧元为EUV光刻机订单 [10] - 过去几年中国地区销售额占比曾达46%,预计2025年将回归20%的历史正常水平 [8] - 中国出口增长20%的主要是成熟制程芯片,如电源管理芯片、显示驱动芯片、MCU等,使用28纳米以上工艺生产 [9] - 华为麒麟9000S采用7纳米工艺,很可能使用中芯国际现有的DUV多重曝光技术,该技术成本高、良率低 [8] 产业发展与竞争格局 - 上海芯上微装于今年8月成功交付第500台步进光刻机,主要用于后道封装 [13] - 技术追赶需要时间积累,ASML从1984年成立到2019年推出首台量产EUV光刻机用了35年时间 [10] - 在最先进的制程节点上,差距不是在缩小,而是在拉大 [10] - 半导体产业的未来属于能够直面现实、持续投入、踏实积累的国家和企业 [14]