合资公司设立 - 芯联集成控股子公司芯联先锋与临港新片区基金共同设立合资公司芯港联测 注册资本4亿元 芯联先锋投资2亿元并持股50% 预计2025年9月完成设立 [1] - 设立目的为更好服务客户 扩大检测收入并优化产品结构 [1] 资产转让安排 - 公司及子公司将检测业务设备、专利及非专利型专有技术转让予芯港联测 转让对价不低于4.58亿元 [1] - 资产转让旨在快速推动项目建设 实现合资公司业务独立开展 [1] 交易影响评估 - 交易有利于合营公司业务独立开展 价格被认定为公允合理 [1] - 交易不会对公司持续经营能力、盈利能力及资产独立性产生不利影响 [1]

2025年9月12日，赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司（以下简称"赛晶半导体"）与湖南三安半导体有 限责任公司（以下简称"湖南三安"）在湖南三安总部成功举行战略合作签约仪式。湖南三安作为国内少 数拥有碳化硅全产业链垂直整合制造能力的企业，其8英寸碳化硅芯片产线已实现通线，具备从材料制 备到芯片制造、封测的全流程能力；而赛晶半导体则在芯片设计、模块封装及市场应用端拥有深厚技术 积累，双方基于新型功率半导体产业生态的互补优势，由此建立全面战略合作伙伴关系，聚焦碳化硅 （SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体技术的研发与产业化应用。 根据官方公告，双方将围绕产能保障、价格竞争力、技术支持、市场协同、供应链优化、可持续发展及 国际合作七大核心领域开展深度合作，并建立"高层定期会晤+专项工作小组+信息共享平台"的长效合作 机制，协议有效期五年。具体合作内容包括：产能协同方面，湖南三安将优先保障赛晶半导体需求，双 方共同评估市场潜力并制定产能扩展计划；价格优化方面，湖南三安承诺提供具有市场竞争力的价格机 制；技术联动方面，双方将共建技术交流平台，推进联合研发项目；市场共创方面，将共享行业趋势信 息，联合开发新产品及市 ...

交易概述 - 芯联集成及其子公司芯联越州、芯联先锋、吉光半导计划将检测业务设备、专利及非专利型专有技术转让给上海芯港联测半导体有限责任公司 转让对价不低于4.58亿元[1] - 交易构成关联交易 不构成重大资产重组 已获董事会通过 尚需股东大会批准[1] 交易结构 - 芯港联测注册资本4亿元 芯联先锋持股50%[1] - 交易标的资产评估价值为4.58亿元 增值率为132.68%[1] 交易目的 - 优化产品结构 快速推动项目建设和实现合资公司业务独立开展[1]

市场整体表现 - A股三大指数午后震荡翻绿 上证指数跌0.12% 深证成指跌0.43% 创业板指跌1.09% [1] - 影视院线 半导体 有色金属 培育钻石 存储芯片等板块涨幅居前 保险 白酒 银行等板块跌幅居前 [2] 影视院线板块 - 影视院线股午后拉升 中国电影尾盘涨停走出6天3板 金逸影视3连板 幸福蓝海涨超12% [3] - 2025年中国内地电影暑期档总票房达119.66亿元 观影人次3.21亿 同比分别增长2.76%和12.75% [3] - 暑期档票房稳健增长 后续多部重磅影片上映 预计优质供给带动全年票房同比增长 [4] 半导体板块 - 半导体板块强势 芯原股份20cm涨停 赛微微电 北京君正等涨超10% [5] - 台积电2025年8月销售额3357.7亿元新台币 同比增长33.8% 环比增长3.9% [6] - 上半年全球半导体行业保持高景气 中国板块表现突出 下半年延续AI驱动+自主可控双主线发展 [7] 创新药板块 - 创新药概念探底回升 昭衍新药 塞力医疗涨停 苑东生物涨超10% [8] - 药捷安康-B核心产品替恩戈替尼联合氟维司群治疗乳腺癌II期临床试验获NMPA临床默示许可 [10] - 康方生物依沃西单抗全球多中心Ⅲ期临床研究达到无进展生存期主要终点 [10] 其他板块表现 - 钛白粉概念震荡走强 振华股份涨超5% 国城矿业涨超4% [9] - 阿里巴巴港股涨超5% 通义千问发布下一代基础模型架构Qwen3-Next并开源系列模型 [10] ETF资金流向 - 恒生医药ETF最新份额57.3亿份 增加9000万份 主力资金净流入1927.2万元 [13]

公司表现 - 中芯国际A股成交额达100亿元人民币 [1] - 股价当日下跌0.24% [1]

业务调整核心举措 - 两年内退出氮化镓（GaN）代工业务并关闭新竹科学园区6英寸Fab 2晶圆厂[1][3] - 整合三座8英寸晶圆厂（Fab 3、Fab 5和Fab 8）并将最多30%员工重新部署至南部科学园区和高雄工厂[1][3] - 将6英寸工厂改造为CoPoS面板级封装工厂以拓展先进封装业务[4] 技术转型与产能优化 - 8英寸Fab 3晶圆厂转型为内部EUV保护膜研发中心以减少对ASML供应链依赖[5] - EUV光刻机成本高昂（ASML设备约1.5亿美元，High NA系统超3.5亿美元）促使公司减少High NA订单并专注良率提升[5] - 晶圆厂整合旨在弥补劳动力短缺、降低成本并优化资产利用率[3] 市场竞争与战略重心 - 退出GaN业务因中国大陆企业价格竞争白热化及全球IDM厂商扩大内部产能导致回报有限[3] - 先进封装技术（CoPoS/CoWoS）可满足高性能芯片对集成度和电气性能的需求[4][5] - 自有保护膜技术有望优化流程、提高良率并降低7nm以下工艺成本[5] 行业影响与未来机遇 - 业务调整可能引发行业连锁反应并推动半导体产业链向更高水平发展[6] - 技术转型为设备和材料供应商带来新机遇[5] - 公司资源集中策略有望巩固其在先进制程（2nm以下）领域的领先地位[5]

财务表现 - 2025年上半年总营业收入323.48亿元人民币 同比增长23.14% [1] - 利润总额36.27亿元人民币 同比增长98.77% 归母净利润23.01亿元人民币 同比增长39.76% [1] - 扣非净利润19.0亿元人民币 同比增长47.8% 经营活动现金流量净额58.98亿元人民币 同比增长81.7% [1] - 二季度实际收入环比下滑1.56% 显著优于公司指引的环比下滑4-6% [1] - 三季度收入指引环比增长5%至7% 按中值计算同比增长6.67% 毛利率指引区间18%至20% [1] 业务结构 - 消费电子相关产品收入123亿元人民币 同比增长53.8% 占总收入比重38.28% [2] - 汽车工业相关产品收入30亿元人民币 同比增长65.15% 收入占比从2023年上半年的8.58%提升至9.48% [2] - 智能手机产品收入74亿元人民币 同比下滑1.67% 电脑与平板产品收入49亿元人民币 同比增长33.31% [2] - 智能穿戴产品收入25亿元人民币 同比下滑13.63% [2] 资本开支 - 2024年资本开支73.3亿美元 同比微降1.87% [2] - 2025年资本开支指引与2024年持平 前提是外部环境无重大变化 [2]

三星电子1c DRAM产能扩张计划 - 公司正致力于确保第六代10纳米级1c DRAM产能 计划于明年上半年完成平泽第四园区P4的1c DRAM设施投资 并对包括P3在内的现有工厂进行投资转换[2] - P4工厂分为四个阶段 P1和P3投资已完成 P4的DRAM设施投资正在进行中 剩余PH2洁净室计划最早于今年年底或明年年初开工建设[2] - 1c DRAM是最新一代DRAM 计划在今年下半年实现量产 将用于HBM4并计划于明年全面实现商业化[2] 产能具体规划与进展 - 公司正在华城17号线进行1c DRAM转换投资 预计今年1c DRAM产能最高可达每月6万片[3] - 明年上半年1c DRAM产能将继续扩大 因P4工厂最后一条量产线的投资即将完成 且1c DRAM设施投资可在现有平泽园区内进行[3] - 公司目前正与合作伙伴讨论明年将投资转向P3等1c DRAM的计划 相关设施投资将随着良率和性能稳定而加速[3] 投资背景与战略考量 - 公司积极扩大1c DRAM产能是为HBM4商业化做准备 而NAND和代工的投资计划被推迟 因缺乏足够稳定需求证明扩大产能合理性[3] - 生产线将主要量产1c DRAM P4的PH2虽最终用途未确定 但业界预计将建成DRAM量产线[2]

股东户数与筹码集中度 - 截至9月10日股东户数为92,288户 较8月31日减少6,647户 环比下降6.72% [2] - 本期筹码集中期间股价累计下跌10.81% 期间出现3次上涨和6次下跌 [2] 股价表现 - 最新股价达30.94元 单日上涨2.89% [2] 财务业绩 - 上半年营业收入16.00亿元 同比增长26.77% [2] - 上半年净利润2.47亿元 同比增长15.35% [2] - 基本每股收益0.3000元 加权平均净资产收益率4.22% [2]

文章核心观点 - 台积电重新利用旧8英寸晶圆厂生产极紫外光防护薄膜（EUV pellicles）以实现内部化生产 旨在降低成本、提升供应稳定性并支持先进制程发展 [1][2] - 三星通过投资FST等供应商布局EUV防护薄膜供应链 以解决EUV掩模污染问题并支持2纳米等先进制程量产计划 [3][4][5][6] 台积电EUV防护薄膜内部化生产 - 将新竹科学园区已停产的8英寸晶圆厂3号厂转为EUV防护薄膜生产基地 通过内部化生产降低单位成本并提升供应可预测性 [1][2] - EUV防护薄膜需承受400W光源和局部1000°C高温 对晶圆良率影响显著 传统DUV防护薄膜单价约600美元 而EUV防护薄膜单价接近30000美元 价差达50倍 [1] - 采用碳纳米管膜材料以平衡耐用性与光学透明度 计划在N2和A16工艺技术中验证解决方案 以提升先进节点产量 [2] 三星EUV防护薄膜供应链布局 - 通过认购股份获得韩国FST公司6.9%股权 成为其第三大股东 FST业务中半导体防护薄膜和冷却器各占销售额约50% [3][4] - FST开发以碳化硅为基础的EUV防护薄膜 厚度30纳米且透光率达90% 目前原型机在透光率、均匀性、热阻等指标符合三星要求 仅存在颗粒问题待解决 [4][5] - 三星与FST协商EUV防护薄膜单价低于5000万韩元 而DUV防护薄膜单价约100万韩元 价差达50倍 计划在2025年初2纳米代工量产前完成供应 [4][5] - FST采用碳纳米管膜结合自主研发涂层技术抵御氢等离子体 设备由芬兰Canatu公司提供 未来将扩展至High NA EUV设备应用 [6] - 三星近年累计投资超1870亿韩元布局半导体供应链 包括S&S Tech（659亿韩元）、YIK（473亿韩元）、KCTech（207亿韩元）等多家供应商 [6] 行业技术差异与成本影响 - EUV光刻系统中掩模价格比DUV工艺昂贵数十倍 无防护膜时污染需废弃或清洁掩模 直接推高生产成本 [4][5][6] - EUV防护薄膜需满足极端条件：耐受1000°C高温、强辐射及热应力 同时保持高透光率并减少波前畸变 [1][4]