港股IPO市场概况 - 本周(3月17日-3月23日)共有4家公司递交上市申请 未有公司通过聆讯 另有4家公司处于招股阶段及1支新股上市 [1] 新递表公司分析 - 卓正医疗控股有限公司(二次递表)为中国第三大私立中高端综合医疗服务机构 市场份额达1.7% 覆盖城市数量及付费患者就诊人次分别排名行业第一和第二 [2] - 公司2022-2024年收入实现快速增长：4.73亿元→6.9亿元→9.59亿元人民币 2024年实现扭亏为盈 净利润达8022.7万元人民币 [2] - 奥联服务集团为广东省商企和城市空间服务提供商 在2024年中国百强独立物业管理服务商中总收入排名第16位 净利润排名第11位 [3] - 公司2022-2024年收入稳步增长：3.42亿元→4.31亿元→4.75亿元人民币 同期净利润由2741万元提升至4463万元人民币 [3] - 江波龙为全球领先独立品牌半导体存储器厂商 专注于NAND Flash及DRAM存储产品 2024年营业收入达174.64亿元 同比增长72.48% [4] - 公司2024年归属于上市公司股东净利润为4.99亿元 同比大幅增长160.24% [4] - 云迹科技为机器人服务智能体企业 按2024年三维多层空间同时在线机器人数量和服务消费者数量计全球最大 [4] - 公司在酒店场景机器人智能体市场及酒店场景智能体市场全球排名第一 为港股18C章节改革后第六家递表的特专科技公司 [4] - 云迹科技2022-2024年营收分别为1.61亿元→1.45亿元→2.45亿元 毛利率显著提升：24.3%→27%→43.5% 2024年毛利达1.06亿元 [5] 招股及上市动态 - 维昇药业-B(02561)公开发售获72.64倍超额认购 公开发售股份最终数目为455.4万股 占总发售股份40% 每股定价68.80港元 [6] - 该股于3月21日挂牌 开盘一度跌超6% 但随后反弹 收盘价与发行价持平 [6] - 南山铝业国际(02610)拟发售8823.53万股 香港发售占10% 国际发售占90% 发售价区间26.60-31.50港元 [6] - 公司获基石投资者认购总额约1.2亿美元股份 预计3月25日开始交易 [6] - 舒宝国际(02569)拟发售2.5亿股 发售价区间0.5-0.6港元 每手5000股 预计3月27日上市交易 [7] - 江苏宏信(02625)拟发售5356.2万股 发售价区间2.5-3港元 每手1000股 获基石投资者最高约500万美元认购 预计3月31日上市 [7]

公司上市计划 - 公司正式向港交所提交上市申请书 拟在香港主板上市 联席保荐人为花旗和中信证券 [3] - 若上市成功 将成为首家A+H股两地上市的存储厂商 [3] 行业地位 - 以存储产品收入计 2023年全球第二大独立存储器厂商及中国最大独立存储器厂商 [4] - FORESEE品牌在2023年全球独立B2B存储品牌中排名第五 [4] - 雷克沙品牌在2023年全球独立存储消费品牌中排名第二 [4] - Zilia品牌在2023年拉丁美洲和巴西市场排名第一 [4] 财务表现 - 营收持续增长：2022年83.3亿元 2023年101.25亿元 2024年174.64亿元 [4] - 净利润波动显著：2022年0.73亿元 2023年亏损8.37亿元 2024年盈利5.05亿元 [4] - 经调整净利润：2022年0.50亿元 2023年亏损6.11亿元 2024年盈利4.27亿元 [4] - 营收增速逐季下降：Q1增速200.54% Q2增速106% Q3增速47% Q4增速18% [6] 盈利能力指标 - 毛利率波动较大：2022年12% 2023年4% 2024年19% [6] - 经营活动现金流连续三年为负 2024年为-12亿元 [6] 资产负债状况 - 负债率持续上升：2022年26% 2023年53% 2024年59% [6] - 2024年总债务77亿元 其中短期债务52亿元 [6] - 库存金额逐年增加：2022年37.36亿元 2023年58.93亿元 2024年78.33亿元 [6] 业务发展动因 - 2022-2023年增长主要源于消费电子存储需求增长及策略性业务扩张 [4] - 2023-2024年增长主要受益于行业上升趋势、产品价格回升及雷克沙品牌销量增长 [5] - 收购Zilia品牌为公司贡献收入增长 [5] 募资用途 - 用于扩大整体产能 增强内部生产能力 [7] - 加强存储器及主控芯片设计、固件设计、封装基板设计及测试技术等研发创新 [7] - 提升雷克沙、FORESEE及Zilia三大自有品牌的全球知名度 [7] - 补充营运资金及其他一般公司用途 [7]

公司战略转型 - 公司决定突破存储模组经营"魔咒"，目标包括营收突破20亿美金以及实现向半导体存储品牌转型[1] - 为支持转型，公司加大技术投入，从算法和IP设计入手，2020年组建主控芯片团队，并在去年推出eMMC（支持QLC）主控和SD主控[2] - 通过收购和业务模式转变为公司未来发展打下基础[2] 自研芯片进展 - 公司去年推出的eMMC/SD自研主控一次性成功，在市场上带来很大反响，意味着掌握了Flash存储核心技术之一[4] - 基于自研主控可实现存储技术应用创新，高度定制化，提高效率降低成本[4] - 今年推出多款自研主控芯片，包括嵌入式存储主控WM7400(UFS 4.1)、WM7300（UFS 3.1）、WM7200（UFS 2.2)和移动存储主控WM3000(USB 3.2)[5] - UFS 4.1主控WM7400采用先进工艺制造，顺序读取速度高达4350MB/s，随机读写速度高达630K/750K IOPS，容量最高2TB[7] - eMMC Ultra产品突破eMMC 5.1标准，带宽提升50%，理论速度可达600MB/s[10] 汽车存储布局 - 汽车存储产品矩阵丰富，涵盖车规级UFS、eMMC、LPDDR4x、SPI NAND Flash等，构建Flash与DRAM"双轮驱动"体系[11] - 2024年汽车存储市场增长接近100%，已与20余家主机厂和50余家Tier1客户建立深度合作[12][18] - 车规级产品通过AEC-Q100 Grade2质量体系认证，应用于ADAS高级辅助驾驶、智能座舱等10余种车载应用[12] 业务模式创新 - 推出TCM（技术合约制造）和PTM（存储产品技术制造）服务新模式[15] - TCM通过整合上下游环节降低综合服务成本、优化库存管理、透明化交易和稳定供应[15] - PTM提供从芯片设计到测试制造全方位存储Foundry服务，解决行业同质化和创新瓶颈问题[16] - 通过收购元成苏州和Zilia（智忆巴西）支持PTM模式实现[16] - PTM模式已覆盖汽车、服务器、工业、手机、穿戴等多个行业，与数十个主要客户达成合作[18] 企业级市场拓展 - 在企业级存储领域布局高性能eSSD、RDIMM、MRDIMM和CXL2.0内存扩展模块等产品[19] - 针对AI算力平台推出定制化优化解决方案，满足高带宽、低延迟存储需求[19] - 未来三年将重点聚焦高性能eSSD和内存等主流产品，同时拓展边缘计算和工业控制领域[19] 全球化布局 - 加快美洲和欧洲市场布局，推动TCM和PTM模式在全球落地[20] - 通过深度合作赋能全球客户，新模式将成为全球市场竞争重要优势[21] 创新理念 - 公司价值观为务实本份、独立创新和联合创业[24] - 通过开源方式连接行业价值观相同的合作伙伴，联合创业开拓国际市场[24] - 目标是提供多样、高质量的产品满足客户需求[25]

文章核心观点 - 存储巨头三星和SK海力士正将HBM技术从数据中心拓展至智能汽车和移动设备领域，推动行业技术革新 [1][3][6] - 移动HBM（LPW DRAM）通过3D堆叠和先进封装技术实现高性能与低功耗，将成为端侧AI设备的核心内存解决方案 [9][15][25] - 汽车HBM市场增长迅猛，预计从2023年47.6亿美元增至2028年102.5亿美元，SK海力士已率先推出车规级HBM2E芯片 [3][5] - 三星计划2028年推出带宽200GB/s、功耗1.9pJ/bit的LPW DRAM，性能较LPDDR5x提升166% [15][16] - SK海力士开发VFO技术实现27%厚度缩减和4.9%能效提升，与三星形成差异化竞争 [18][19][20] HBM在智能汽车领域的应用 - 智能汽车"新四化"趋势催生对高带宽内存的需求，ADAS、智能座舱等系统需实时处理高分辨率数据 [2] - SK海力士HBM2E已应用于Waymo自动驾驶汽车，容量8GB、带宽410GB/s，符合AEC-Q车规标准 [3] - 汽车HBM市场规模预计2028年达102.5亿美元，增速可能超越数据中心 [5] - 特斯拉等车企正积极寻求与HBM厂商合作，行业竞争加速技术落地 [4][5] 移动HBM技术发展 - 移动HBM采用阶梯状堆叠LPDDR DRAM，通过垂直引线键合实现高I/O密度，带宽提升8倍 [9][14] - 三星VCS技术使I/O密度和带宽分别提升8倍和2.6倍，生产效率提高9倍 [14] - LPW DRAM带宽达200GB/s，较LPDDR5x提升166%，功耗降低54%至1.9pJ/bit [15][16] - SK海力士VFO技术缩短信号路径至1/4以下，能效提高4.9%，封装厚度减少27% [18][19] 市场竞争格局 - 三星侧重高带宽设计（LP Wide I/O），SK海力士聚焦低功耗与轻薄化（VFO） [20] - 移动HBM可能采用定制化生产模式，类似SK海力士为苹果Vision Pro供应专用DRAM [21] - 预计2027年超50%的AI手机将集成HBM，平板和笔记本市场快速跟进 [20] - 两家公司技术路线差异将影响移动AI市场格局，量产能力与客户生态成竞争关键 [20][26] 技术差异与趋势 - 传统HBM采用TSV技术，移动HBM通过垂直引线键合实现中带宽低功耗 [25] - 移动HBM推动端侧AI设备升级，传统HBM向16层HBM4演进 [25] - 成本与良率仍是短期挑战，但技术创新将重塑智能手机、AR/VR设备性能边界 [26]

半导体内存技术发展历程 - 1980年代主流半导体内存技术包括SRAM、DRAM、EPROM和非闪存EEPROM [2] - 1980年代末出现早期持久性内存技术：Ramtron的FRAM和Simtek的SONOS闪存 其中FRAM技术至今仍在使用 [2] - 东芝1987年开始生产闪存 该技术在1990年代成为主流 目前闪存EEPROM广泛用于代码和数据存储 [2] - DRAM发展为SDRAM 简化了RAM存储相关操作但增加了高速走线匹配等新要求 [2] 新型替代内存技术现状 - 近十年出现FRAM、MRAM、ReRAM和PCM等技术 竞相成为存储级内存(SCM)主流方案 [3] - NOR闪存在28nm节点停止缩放 FinFET工艺无法兼容NOR闪存单元 迫使微控制器寻求替代存储方案 [3] - 微控制器转向替代方案的三个选择：FinFET+平面NOR闪存(成本高)、外部闪存(增加系统复杂度)、新型片上非易失性存储器 [4][5] - 已出现采用MRAM、FRAM和ReRAM的微控制器产品 如恩智浦汽车MRAM控制器(2023)、TI的16KB FRAM微控制器、瑞萨10.8Mbits MRAM实验芯片等 [6] 内存技术面临的挑战与机遇 - NAND闪存在15nm遇到缩放瓶颈 转向3D结构 SK海力士已开发321层3D NAND芯片 [7] - DRAM自1990年代采用3D沟槽电容器结构后同样面临工艺缩放限制 [7] - 英特尔/美光PCM技术(Optane/3D XPoint)因成本过高于2021-2022年停产 但未来可能随工艺进步恢复经济可行性 [8] - 新型存储器具有抗辐射、快速写入、字节可写等优势 适用于太空和军事等特殊领域 [9] 替代内存技术发展预测 - MRAM已应用于助听器和AR眼镜等嵌入式场景 [10] - 预计还需10年左右才能在嵌入式应用中替代闪存和SRAM 微控制器领域转型较慢 [10] - 独立内存芯片的替代进程将滞后于嵌入式应用 但转换速度更快 预计在嵌入式转型完成后迅速跟进 [10]