SiC substrate

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天岳先进_从电动汽车到人工智能;应用领域拓展、产品结构向 8 英寸及以上升级,以及市场份额提升以缓解价格压力;买入
2025-09-23 02:37
这份文档是高盛(Goldman Sachs)关于中国碳化硅(SiC)衬底制造商天岳先进(SICC,688234.SS)的研究报告,核心观点是维持“买入”评级,并将12个月目标价上调至111元人民币。以下是基于原文的详细分析: 涉及的公司与行业 * 公司:天岳先进(SICC,688234.SS),一家专注于碳化硅(SiC)衬底材料的中国上市公司[1][7] * 行业:半导体行业,具体是宽禁带半导体材料(SiC)领域,其产品广泛应用于电动汽车(EV)、人工智能(AI)数据中心、AI眼镜、轨道交通、光伏系统等领域[7][21][24][26] 核心观点与论据 投资评级与目标价 * 维持“买入”(Buy)评级,12个月目标价为111.00元人民币,较当前价格85.90元有29.2%的上涨空间[1] * 公司年初至今(YTD)股价已上涨68%,远超沪深300指数14%的涨幅[1] * 新的目标价隐含了基于2027年100%净利润(NI)增长的2026年101.2倍市盈率(PE)[1] 产能扩张与市场份额提升 * 公司计划到2027年将中国年产能提高50万片,并在东南亚建立新生产基地以服务全球客户[7] * 预计资本支出(Capex)在2024-2027年将以27%的复合年增长率(CAGR)增长,驱动SiC衬底出货量从2024年的36.1万片增至2027年的90.8万片(36% CAGR)[7] * 预计公司在导电型SiC衬底的全球市场份额将从2024年的19%提升至2027年的24%[15] 产品结构升级与定价能力 * 产品组合向8英寸及更大尺寸升级,新产能将专注于8英寸及以上产品,以缓解6英寸市场的竞争压力[7] * 预计SiC衬底平均销售价格(ASP)在2024-2027年将以7%的CAGR增长,达到698美元;8英寸收入贡献将从2024年的25%大幅提升至2027年的90%[7][34] * 产品结构升级支持毛利率(GM)回升,预计毛利率将从2024年的25.9%恢复至2027年的37.3%[15][38] 应用领域拓展与客户渗透 * **电动汽车(EV)**:SiC用于实现快充(5分钟充电续航200公里)和更高能效,预计中国电动汽车SiC渗透率将从2025年的28%升至2027年的50%[21] * **AI数据中心**:SiC用于电源单元(PSU),可将功率密度提升一倍以上,并与英飞凌(Infineon)、安森美(On Semi)等客户合作开发800V架构[24][25] * **AI眼镜**:SiC用于光学波导镜头,可提供更广视场角(FoV)并简化结构,其衬底占AI眼镜物料清单(BOM)成本的25%[26] * 公司客户包括全球前十大功率半导体器件供应商中的过半企业,如英飞凌、博世、安森美等[7] * 公司来自中国大陆以外的收入占比在2024年及2025年第一季度达到48%,使其能更好地抵御中国大陆市场的竞争[7] 财务预测与盈利增长 * 预计公司净利润(NI)在2024-2027年将以81%的CAGR高速增长[15] * 营收预计将从2024年的17.68亿元增长至2027年的46.26亿元(38% CAGR)[3][35] * 每股收益(EPS)预计将从2024年的0.42元增至2027年的2.20元[3][15] * 基于更好的产品组合和毛利率,将2026-2027年净利润预测分别上调14%和43%[32][38] 估值方法论 * 估值方法从近期PE(2026E)改为长期贴现PE,目标PE倍数36.6x应用于2029年EPS,并以12.5%的股权成本(COE)贴现回2026年[40][41] * 当前股价对应2026年预测PE为79.4倍,处于同行16.5倍至83.6倍的区间内[48][49] 其他重要内容 风险因素 * 下行风险包括:产能扩张和6英寸衬底出货量增速不及预期;在EV、光伏等高功率应用领域的渗透慢于预期;SiC衬底市场竞争加剧;上市历史短且估值波动大;关键设备供应受阻或产能紧张[57] 财务数据摘要 * 市值:412亿元人民币(58亿美元);企业价值(EV):390亿元人民币(55亿美元)[3] * 关键财务预测: * **2024A**:营收17.68亿元,EBITDA 4.36亿元,EPS 0.42元[3][8] * **2025E**:营收20.22亿元(+14.3%),EBITDA 4.40亿元(+0.7%),EPS 0.27元(-34.1%)[3][8] * **2026E**:营收32.47亿元(+60.6%),EBITDA 9.43亿元(+114.5%),EPS 1.10元(+299.4%)[3][8] * **2027E**:营收46.26亿元(+42.5%),EBITDA 16.90亿元(+79.3%),EPS 2.20元(+100.4%)[3][8] 历史业绩与执行能力 * 公司从半绝缘型SiC衬底(主要用于射频)起步,2021年量产6英寸导电型衬底(主要用于EV),2023年迁移至8英寸,2024年推出12英寸,2025年8月完成香港IPO,募资将进一步支持其产能和研发投入[15][27]
大中华区科技半导体-评估碳化硅衬底的看涨理由-Greater China Technology Semiconductors-Assessing the bull case for SiC substrates
2025-09-10 14:38
**行业与公司** 涉及碳化硅(SiC)衬底行业 重点关注公司SICC Co Ltd(688234 SS)[1][4][5] 同时提及中国A股SiC衬底供应商及全球行业伙伴如英飞凌(Infineon)博世(Bosch)和安森美(On Semi)[2][4] **核心观点与论据** **SiC衬底新增长驱动** - AR眼镜和AI数据中心为SiC衬底带来新市场空间(TAM)[3] - AR眼镜:Meta计划本月发布Hypernova AR眼镜 谷歌Project Aura计划2026年初推出 预计2027年SiC波导解决方案TAM达4400万美元(占2024年SiC衬底市场11亿美元的4%)[3][9][11] - AI数据中心:Nvidia于2025年5月发布800V HVDC架构 需使用SiC器件进行AC电网至800V DC及800V DC至48V DC转换 预计2030年SiC衬底TAM达215亿美元(占AI数据中心总TAM 26亿美元的30% 衬底占器件成本30%)[16][18][19] - 中国衬底供应商全球市场份额2024年达36% 在AR眼镜(消费电子产品)和AI数据中心供应链中较中国器件制造商更具优势[4] **技术挑战与成本障碍** - SiC衬底硬度高(接近钻石) 切割加工困难复杂 设备尚未就绪[2][20] - 当前成本高企:8英寸SiC衬底成本约1600美元 仅支持45副AR眼镜(每副衬底成本约374美元) 12英寸衬底需降价至与当前8英寸价格持平才可能大规模采用[9] - SiC在CoWoS先进封装中作为中介层的应用2027年前难以实现[2] **财务预测与估值** - 上调SICC牛市目标价23%至1044元人民币(原845元) 对应2025年预期市净率84倍[5][24] - 预计AR眼镜和AI数据中心2027年分别贡献SICC收入的3%和1%[5][21][22] - 关键假设:2027年AR+AI眼镜出货量260万台 每副成本降至169美元(现374美元) SiC渗透率10% SICC市场份额25%[21][23] - 维持中性评级(EW)和目标价671元人民币(对应2025年预期市净率54倍)[5][25] - 风险:SiC衬底定价侵蚀加剧毛利率压力 竞争导致市场份额流失[5][26][36] **其他重要内容** **供应链合作与产能扩张** - SICC与Sunny OmniLight合作推广SiC衬底在光学领域应用(如AI眼镜和EV抬头显示器)[10] - JSG(300316 SZ)与龙旗科技、XREAL和北航光电合作 目标2027年全球AI眼镜市场[10] - SICC的8英寸晶圆厂产能加速扩张为关键增长驱动[24][34] **市场数据与预测** - AI眼镜出货量预计从2025年114万台(占AR/VR出货量10%)以262%年复合增长率增至2028年540万台[10][14][15] - SICC财务表现:2024年收入1768亿元人民币(同比增414%) 毛利率259% 但2025年预期毛利率降至168%[30][42][48] **竞争格局与风险** - 行业面临激烈竞争 尤其来自中国本土二级衬底同行[26][36] - SiC衬底定价持续下降 SICC技术突破和向8英寸迁移可部分抵消但竞争压力仍存[36][42] **单位换算说明** - 原文中billion=十亿(如11亿美元) million=百万(如4400万美元) thousand=千(如114k=114万台)
高盛:全球半导体-硅片、碳化硅衬底、氮化镓的供需模型更新,中国产能及对全球企业的影响
高盛· 2025-06-24 02:28
报告行业投资评级 - 买入评级:北方华创(SiC晶体生长炉)、天科合达(SiC衬底)、胜高(硅片)、信越化学(硅片)、三菱电机(SiC器件)、英飞凌(SiC器件)[2] 报告的核心观点 - 中国本地供应商在硅片和SiC衬底领域产能扩张,预计2024 - 2027E期间,12英寸硅片产能将以21%的复合年增长率扩张,SiC衬底产能(6英寸等效)将从250万片/年增长到750万片/年,本地产能覆盖率到2027E将达到87% [1][49] - 随着成本降低,SiC和GaN在高功率、高频应用中逐渐取代IGBT,预计到2030E,EV/铁路/电网的SiC渗透率将分别达到75%/38%/29%,中国GaN器件市场将从2024年的2.09亿美元增长到2030E的16亿美元 [52][53] - 全球硅片行业集中度高,技术壁垒高,中国本地晶圆制造商对日本两大晶圆公司的直接影响有限,未来300mm硅片需求将受AI服务器等因素驱动增长 [73][82][103] 各部分总结 中国硅片/ SiC衬底/ GaN市场规模(TAM) - 中国硅片市场规模预计从2021年的19.99亿美元增长到2030E的45.11亿美元,12英寸硅片需求增长显著 [37] - 中国SiC衬底市场规模预计从2021年的1.97亿美元增长到2030E的27.7亿美元,6英寸和8英寸衬底出货量均有增长 [39] - 中国GaN市场规模预计从2021年的6600万美元增长到2030E的16亿美元,快充、消费电子、EV和数据中心等领域需求推动增长 [42] 供应:中国本地供应商的产能扩张和全球Tier供应商的中国业务 - 中国本地硅片供应商产能扩张主要集中在12英寸,受逻辑和存储客户产能扩张及满足本地客户需求的驱动;SiC衬底产能扩张受SiC器件采用率上升驱动,尤其是在EV领域 [43] - 全球Tier供应商中,信越化学和胜高在中国的销售额已降至个位数水平,中国本地供应商的崛起对其影响有限 [96] 需求:SiC / GaN在高功率/高频应用中取代IGBT - SiC成本降低使其竞争力增强,在EV、铁路、电网等领域的渗透率不断提高,越来越多的EV车型开始采用SiC平台 [52] - GaN凭借高频和高电子迁移率的优势,应用场景从快充扩展到消费电子、EV、数据中心等领域 [53] 从全球硅片行业借鉴经验 - 全球硅片行业经历了整合,目前300mm硅片市场主要由信越化学、胜高、环球晶圆、世创和SK矽康等五家公司主导 [73] - 硅片行业技术壁垒高,包括大量资本支出、研发投入、长期技术积累和客户信任等,新制造商进入难度大 [82] - 中国本地晶圆制造商对日本两大晶圆公司的直接影响有限,半导体设备制造商不太可能大量采用中国本地晶圆制造商的产品 [96][101] 从全球半导体供应链借鉴经验 - 罗姆预计2026财年SiC亏损将有所缩小,目标在2028财年实现收支平衡,公司将降低资本支出并加速器件技术路线图 [119] - 英飞凌是全球领先的功率半导体供应商,依赖外部供应商提供晶圆,对中国晶圆质量评价较高,预计将受益于市场需求增长 [122][123] - 环球晶圆是全球排名前三的硅片供应商,继续投资SiC和GaN扩张,预计行业将从6英寸向8英寸SiC晶圆转变 [128] 定价:硅片和SiC衬底向大尺寸发展以支持综合平均销售价格(ASP) - 同类产品价格因竞争和本地供应商产能扩张而呈下降趋势,但产品向大尺寸、高端应用迁移可支持综合ASP [133] - 2024年EV IGBT ASP同比下降35%,6英寸SiC衬底价格两位数下降,预计2025E价格将更稳定 [133] 中国IGBT市场规模(TAM) - 中国IGBT市场规模预计从2021年的30.59亿美元下降到2030E的27.98亿美元,主要受EV和铁路领域SiC渗透率上升影响 [137] - 中国IGBT产能和产量预计将增长,2025E - 2026E的供应/需求比分别为128%/131% [137]
高盛:TechNet China 2025:半导体光刻、资本支出、出口及新应用
高盛· 2025-05-25 14:09
报告行业投资评级 - 对中国半导体行业重申积极看法,推荐买入的公司有Horizon Robotics、Will Semi、ACMR、AMEC、Naura、Accotest、Piotech、Nexchip、SMIC、VeriSilicon、SICC、Cambricon [1][2][19] 报告的核心观点 - 中国半导体行业在供应不确定的情况下正努力发展更多内部知识产权和技术,光刻技术研发持续进步,供应链将持续投资光刻系统开发并维持本地产能扩张 [1] 根据相关目录分别进行总结 光刻技术在中国的发展与挑战 - 中国光刻技术与全球领先水平仍有较大差距,但近年来研发有进展,行业将继续投资该技术 [6] - 光刻技术发展的瓶颈包括镜头、平台和光源,其中镜头定制化程度高,难以大规模生产,系统集成也是主要瓶颈 [6][7] - 专家对中国半导体投资趋势持积极态度,预计本地代工厂将扩大产能以满足本地需求 [7] Axera公司情况 - 提供可满足信息收集和AI边缘计算两种AI需求的芯片,其ISP产品支持更好地捕捉图像信息,NPU产品促进边缘AI计算 [10] - 产品供应国内外市场,在技术和价格上具有竞争力,吸引了国内外客户 [10] - 通过技术创新构建竞争壁垒,将AI集成到图像处理中,提高在黑暗环境中的可见性,增强自动驾驶和ADAS系统的安全性 [10] SICC公司情况 - 是碳化硅衬底领先企业之一,积极改进技术,早期投资液相法研发,在从8英寸向12英寸技术迁移方面处于领先地位 [10] - 碳化硅有多种潜在应用场景,如新能源、汽车、光伏逆变器、电网和消费电子等,公司为创新应用做好准备以抓住商机 [10] - 12个月目标价为75.5元人民币,基于2026年预期市盈率69.3倍得出 [10][11]
摩根士丹利:大中华区功率半导体-2025 年第一季度前瞻
摩根· 2025-04-23 10:46
报告行业投资评级 - 行业评级为In-Line,分析师预计行业覆盖范围在未来12 - 18个月的表现与相关广泛市场基准一致 [6] 报告的核心观点 - 功率半导体定价基本稳定,但对终端客户的正常价格折扣将影响2025年第一季度毛利率,该领域竞争仍存,看好汽车业务占比高且运营效率高的公司 [1][6] - 整体功率分立器件销售额在2024年年中度过低谷,呈温和复苏趋势,IGBT混合ASP企稳并有所反弹,2025年2月出货量同比增长10% [2] - 中国功率半导体企业抓住汽车领域机遇,如扬杰科技汽车产品在2024年实现60%以上增长,预计这一强劲增长势头将持续 [3] - 中国碳化硅衬底供应商SICC全球市场份额不断增加,2024年达到22.8%,看好碳化硅器件的增长机会 [4] 根据相关目录分别进行总结 行业趋势 - 功率分立器件销售呈温和复苏趋势,IGBT价格企稳反弹,2025年2月出货量同比增长10%,有望缓解斯达半导毛利率压力 [2] - 中国功率半导体市场表现优于全球,2025年2月中国MOSFET市场同比增长4%,而全球同比下降8%;中国IGBT市场同比下降9%,全球同比下降20% [22] - 功率半导体需求正在恢复,交货时间趋于稳定,但部分产品仍面临压力 [24] 公司分析 斯达半导(603290.SS) - 预计2025年第一季度毛利率面临压力,全年营收有望增长19%,SiC业务模块封装能力受认可,但产能爬坡慢于同行 [10] - 下调2025年和2026年EPS预测6%和5%,将目标价从140元下调至115元 [12] - 看好其作为中国IGBT本地化趋势的受益者,IGBT和二极管芯片自研/供应比例不断提高,ROE和营收增长势头强劲 [50] 中车时代电气(688234.SS) - 预计2025年第一季度营收环比下降6%,毛利率与2024年第四季度持平 [10] - 下调2025年和2026年EPS预测40%和37%,引入2027年预测,将目标价从85元下调至77元 [12] - 预计其将在全球市场份额上超越竞争对手,8英寸SiC衬底良率突破有望稳定毛利率,估值具有吸引力 [69] 华润微(688396.SS) - 预计2025年营收增长7%,低于市场共识预测的13%,产能扩张将对毛利率造成压力 [10] - 上调2025年EPS预测8%,下调2026年EPS预测3%,目标价维持在28.10元 [12] - 认为其是中国MOSFET本地化趋势的受益者,但预计增长慢于同行,估值较高 [31] 扬杰科技(300373.SZ) - 预计2025年第一季度营收同比增长18%,环比下降3%,毛利率环比降至35% [11] - 采用剩余收益模型进行估值,假设股权成本为8.4%,中期增长率为12.8%,终端增长率为5.5% [83] 杭州士兰微电子股份有限公司(600460.SS) - 预计2025年营收增长15%,主要得益于SiC产能爬坡,但SiC MOS营收目标可能因价格下降面临风险 [10] - 采用剩余收益模型进行估值,假设股权成本为8.6%,中期增长率为18.0%,终端增长率为5.5% [84]