DRAM现货价格趋势 - DDR5与DDR3现货价格本周小幅回落，主要因前期快速上涨后部分交易商在年底进行获利了结 [1] - DDR4价格持续攀升，其中16Gb颗粒产品涨幅尤为显著 [1] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s本周价格上涨2.00%，单价从US$16.729上涨至US$17.064 [3] - 尽管近期现货价格波动，但行业预测2026年第一季度合约价格仍将大幅上涨 [3] NAND闪存现货价格趋势 - NAND闪存现货价格持续走高的关键支撑来自供应端，供应商在年底临近之际并未向市场释出更多Wafer [1] - 本周Wafer市场呈现“涨幅收敛但价格续强”格局，前期过快拉涨后市场出现短暂修正 [3] - 本周512Gb TLC wafer现货价格上涨0.28%，单价达到US$9.634 [3] - 在市场活动受限、供需紧俏的背景下，NAND闪存现货价格持续创高 [1][3] 存储市场整体状况 - 交易商的年底获利了结行为不影响DRAM市场整体供应吃紧的态势 [1] - 供应端的限制（原厂未释放更多Wafer）是支撑当前存储现货价格的关键因素 [1][3]

DRAM市场动态 - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s本周价格由US$11.071上涨至US$11.857，涨幅达7.10% [1] - DDR4与DDR5价格在惜售心态下持续上扬，但卖方供给量有限导致成交量处于低水位 [1] - 颗粒报价（以Gb为单位）已超越相同容量模组报价，且价差巨大，预期模组价格将快速走扬以收敛价差 [1] NAND Flash市场动态 - 受合约市场强势拉动，现货市场氛围升温，价格上涨幅度及报价频率显著增加 [1] - 中小型买家难以通过原厂取得货源，转向现货市场采购需求明显增温，但现货供应稀缺 [1] - 持货商看好后市，延后出货及惜售情绪浓厚，导致成交量有限但价格持续上扬 [1] 具体产品价格表现 - 512Gb TLC Wafer现货价格本周上涨17.07%，单价达到US$6.455 [2] - 预期短期内现货市场维持紧俏格局，价格上行动能可望延续至下季 [2]

存储芯片现货市场价格动态 - DRAM现货价格本周飙升，DDR5芯片价格大幅上涨30% [2][5] - 主流颗粒DDR4 1Gx8 3200MT/s价格从$9.523上涨至$10.629，涨幅达11.61% [7] - 买家抢购及模组厂商限制出货量导致供应紧张，推动价格飞涨 [2][5] NAND Flash市场供应状况 - NAND Flash现货价格涨势明显，512Gb TLC Wafer现货单价达$5.514，本周上涨14.21% [2] - 原厂释出的Wafer资源有限，厂商惜售导致市场出现"一货难求"状况 [2] - 现货供应紧张使交易量零星，预计价格将随供应吃紧进一步攀升 [2] 行业供需格局与厂商行为 - DRAM市场供不应求态势突出，短期内供应问题难以有效缓解 [7] - 模组厂面临巨大备货压力，为保证货源不计官价与现货价差积极购货 [5] - 客户为确保持续料源稳定，纷纷采取提前备货措施 [7]