大会概况 - 2025集成电路（无锡）创新发展大会于9月4日举办 旨在抢抓产业发展新机遇并打造具有国际竞争力的产业集群 [1] - 大会采用"1+5"架构 包含1场开幕式和5场系列活动 覆盖人工智能 汽车电子 先进封装 高端装备及关键材料等领域 [4] - 参会嘉宾包括华虹半导体总裁 中微公司董事长 摩尔线程创始人等行业领袖 围绕集成电路制造和人工智能开展主题演讲 [4] 产业规模与增长 - 全球半导体市场规模预计2025年达7189亿美元 同比增长13.2% [10] - 无锡集成电路产业链企业超600家 2024年产值达2512亿元 产业规模全国第二 [10] - 2024年上半年无锡集成电路产业营收同比增长12% 保持稳中向好发展势头 [10] 项目投资与签约 - 大会期间57个项目签约落地 其中55个为产业项目 总投资177.21亿元 [4] - 装备及零部件领域项目数量与规模居首位 覆盖检测 分选 减薄等整机设备及离子预处理等关键环节 [4] 技术突破与创新平台 - 无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线揭牌 是国内首家聚焦MOR型先进制程光刻胶研发与产业化的企业 [8] - 光刻胶产品涵盖极紫外EUV 深紫外DUV及电子束光刻胶 可制备亚10纳米先进制程芯片且性能国际领先 [8] - 同期揭牌长三角车规级芯片中试服务平台 启动RISC-V联盟江苏省中心 发布无锡城市智算云中心节点 [6] 产业生态与发展战略 - 无锡通过承担国家微电子工程集聚华虹 卓胜微 长电科技等龙头企业 形成完整集成电路全产业链 [10] - 发展重点聚焦芯片设计高端化转型 传统封装向先进封装升级 加强半导体设备与关键零部件国产化 [10] - 通过打造高能级公共服务平台与新型研发机构完善配套体系 为企业创新提供生态支撑 [6][10]

行业地位与规模 - 无锡集成电路产业规模居全国第二 产值达2512亿元 产业链企业数量超600家 [4] - 2025年全球半导体市场规模预计提升至7189亿美元 同比增长13.2% [6] - 2025集成电路创新发展大会参展商数量超1130家 规模创新高 [1][10] 产业发展与增长 - 2024年上半年无锡集成电路产业营收同比增长12% 延续稳中向好势头 [4] - 产业聚焦芯片设计高端化转型与先进封装升级 优化产业结构 [6] - 大会签约57个项目 其中55项为产业项目 总投资177.21亿元 [14] 技术突破与创新 - 无锡先进制程半导体纳米级光刻胶中试线填补国内空白 产品涵盖极紫外EUV及深紫外DUV光刻胶 用于亚10纳米先进制程芯片 [9] - 中国开放指令生态联盟江苏省中心落地无锡 共建RISC-V IP资源池与Chiplet技术"芯粒库" [9] - 长三角国家技术创新中心车规级芯片中试服务平台等重磅项目揭牌 [6] 产业链生态建设 - 大会采用"1+5"架构 覆盖人工智能 汽车电子 先进封装 高端装备及关键材料领域 [5] - 半导体设备与核心部件展重点展示光刻 薄膜 刻蚀等晶圆制造设备及封测设备 [10] - 无锡市集成电路人才培养联盟揭牌 集聚东南大学等高校推动产教融合 [14] 企业参与与合作 - 华虹半导体 中微公司 摩尔线程等企业高管围绕集成电路制造与人工智能开展主题演讲 [5] - 产业链供需对接会吸引长电科技 华虹半导体 百度智能云等重点企业参与 [10] - 金融支持项目包括新设金融租赁公司1家 总授信达1000亿元 [14]

光刻胶分类与特性 - 光刻胶按化学反应原理分为正性光刻胶和负性光刻胶 [3] - 正性光刻胶受光照射后发生分解反应，可溶于显影液，具有分辨率高、对比度好的优点，但粘附性差、抗刻蚀能力差且成本高 [3] - 负性光刻胶曝光后形成交联网格结构，在显影液中不可溶，具有良好粘附能力和抗刻蚀能力，感光速度快，但显影时易发生变形影响分辨率 [3] - 按显示效果分类，正性光刻胶形成的图形与掩膜版相同，负性光刻胶形成的图形与光罩相反 [7] - 正胶曝光后溶解度是未曝光时的10倍，在IC制造中应用更普遍 [8] 光刻胶成分与反应机理 - 正胶主要成分包括树脂、光引发剂等 [11] - 树脂成分为酚醛树脂，由对甲酚与甲醛缩合而成 [12] - 光引发反应中重氮萘醌(DQ)在光照下分解生成茚羧酸(ICA) [21] - DQ与树脂反应后改变溶解性，曝光区域在碱性显影液中溶解度提高 [24] - 负胶按感光性树脂化学结构分为聚肉桂酸酯类和聚烃类-双叠氮类 [40] - 聚肉桂酸酯类通过侧链肉桂酰基团二聚反应交联 [43] - 聚烃类-双叠氮类需交联剂参与形成三维不溶结构 [48] 光刻胶工艺流程 - 光刻胶工艺步骤包括基底清洗、表面处理、旋涂、对准曝光、显影等 [54] - 预处理阶段使用HMDS作为粘附促进剂，需正确使用蒸汽沉积方法 [66][67] - 旋涂工艺中转速与膜厚关系密切，4000rpm是薄胶常用参考点 [77] - 前烘温度和时间对正胶和负胶的显影效果有显著影响 [88][90] - 显影液选择需考虑与光刻胶兼容性、金属离子含量等因素 [102][105] 半导体光刻胶市场格局 - 光刻胶占晶圆制造成本约12% [161] - 全球市场被JSR、东京应化、杜邦等海外企业垄断 [164] - 国内企业如彤程新材、晶瑞电材等在g/i线和KrF胶有所突破，但高端ArF和EUV胶仍依赖进口 [165] - 发展痛点包括光刻机限售、原材料垄断和上下游强绑定等 [171][174][176]