美光科技HBM业务进展 - 公司有信心在2025年售罄所有高带宽内存（HBM）芯片库存[2] - 公司正与客户讨论2026年HBM供应问题并取得重大进展[2] HBM技术发展现状 - 12层HBM3E良率提升速度远超8层产品 且出货量已实现超越[3] - HBM3E（第五代）12层产品是AI芯片市场90%份额的主导产品[3] - 下一代HBM4预计将使I/O数量较上一代增加一倍 核心芯片面积扩大[5] - HBM4基础（逻辑）芯片将外包给台积电生产[5] 市场竞争格局 - HBM3E主要供应商为SK海力士和美光科技 三星电子正接受英伟达质量测试[3] - 美光在宣布HBM3E量产时直接提及英伟达作为客户 以此区分竞争对手[3] - 三星计划采用1c节点生产HBM4 而美光采用成熟的1β节点[4][5] - HBM4E（第七代）可能集成GPU逻辑 定制开发将产生高昂费用[4] 产品定价与供应谈判 - HBM4价格预计比12层HBM3E上涨约30% 达到每单位500美元左右[5] - SK海力士与英伟达就2026年HBM供应谈判出现拖延 原计划2025年中期完成[5] - 双方在产量承诺和HBM4定价方面存在分歧难以调和[5] 技术节点差异 - 美光HBM4采用与HBM3E相同的1β节点（第五代10纳米DRAM）[4] - 三星计划在HBM4采用新一代1c节点（第六代10纳米DRAM）[4][5] - 1c节点作为新技术需要额外验证工作[4]

DRAM市场格局变化 - SK海力士在2023年第一季度以36%的市场份额（97.2亿美元销售额）超越三星电子（33.7%），成为全球DRAM市场第一，美光以24.3%位列第三 [1] - 与2022年第一季度相比，三星电子市场份额从43.9%降至33.7%，SK海力士从31.1%升至36%，差距从超10个百分点逆转为反超2.3个百分点 [2] - 市场研究机构Counterpoint Research同样确认SK海力士36%对三星34%的领先优势 [1] HBM技术竞争驱动因素 - SK海力士凭借HBM3E高价值产品（占出货比例上升）及NVIDIA第五代HBM3E独家供应地位实现反超，并已提前提供第六代HBM4样品 [2] - 三星电子因HBM3E产品NVIDIA认证延迟一年以上且无法直接销往中国，导致HBM3E出货量下降 [2] - 三星正调整战略：削减HBM2E旧型号产能，重点开发HBM4（第六代），重新设计10纳米级1c DRAM以提升良率，预计下半年量产 [3] 市场动态与未来展望 - 2023年Q1全球DRAM市场总销售额环比下降5.5%至270.1亿美元，主因DRAM合约价下跌及HBM出货减少，但TrendForce预测Q2将恢复增长 [3] - Q2增长动力来自PC/智能手机厂商配合美国关税宽限期完成库存调整并增产，带动DRAM供应商出货量显著提升 [4]