文章核心观点 - 近期媒体报道的"移动HBM"技术实为误传 该术语并非行业标准命名 而是源自韩国媒体ETnews的造词 实际指的是LLW DRAM或新型封装技术VFO/VCS 并非真正的HBM架构[1][4][7] - 所谓移动HBM实际指三星和SK海力士开发的低功耗宽I/O DRAM技术 其带宽达128-256GB/s 采用2D封装而非3D堆叠 专门为终端AI应用设计[6] - HBM模块本身因体积大 功耗高且成本昂贵 根本不适合移动设备 其设计初衷是服务AI/机器学习GPU/TPU等高性能处理器[3][4] HBM技术特性 - HBM采用3D TSV堆叠结构：底层为逻辑芯片Base Die 上方堆叠8/12/16片DRAM Core Die 通过硅通孔铜柱电极连接 单模块容量可达24GB(12层堆叠16Gb芯片时)[3] - 具备超宽1024bit I/O总线 传输距离极短 HBM3速率达7-8Gbps/Pin HBM3E达10Gbps/Pin 以8Gbps/Pin计算单模块带宽高达1024GB/s[3] - 通常与处理器共同集成在硅中介层上 采用BGA封装 支持4/6/8/12个模块组合 最大容量可达192GB(8个24GB模块)[3] 移动HBM传闻溯源 - 韩国媒体ETnews在2025年5月14日推测iPhone 20周年机型可能采用"Mobile HBM"或LLW DRAM 后续媒体多直接引用该报道[4] - TechInsights在2024年10月拆解发现苹果Vision Pro的R1处理器与SK海力士1Gbit LLW DRAM采用台积电InFO-M封装 带宽达256GB/s 接近HBM2水平[6] - 三星与SK海力士官方从未使用"Mobile HBM"称谓 JEDEC也未定义该标准 相关技术实质是其开发的VFO(海力士)和VCS(三星)封装技术[6][7] 技术本质辨析 - LLW DRAM目标规格为带宽128GB/s(接近HBM1) 能耗仅1.2pJ/bit 采用宽I/O总线实现高带宽 而非HBM的TSV堆叠架构[6] - VFO与VCS技术本质是小型化薄型化3D封装 采用垂直铜柱电极加RDL基板 与传统FPBGA类似 但缩短连线距离并降低厚度[7] - 移动设备所需的高带宽内存解决方案实际是低功耗宽I/O架构 与HBM的3D堆叠高功耗特性存在根本差异[4][6][7]

纪要涉及的公司 美光科技 纪要提到的核心观点和论据 1. **业务发展与产能投资** - 目标将每股 PM 份额提高到约 20%，HPN 业务年化收入超 60 亿美元，正投资扩大 HPM 产能，2025 财年约 140 亿美元资本支出用于支持 HTM [3] - HPM 后端产能独特，前端通用 [3] 2. **盈利能力与产品组合** - 不提供具体产品利润率指标，采取优化整体产品组合策略提高盈利能力，重组业务部门结构满足客户需求 [4] - 数据中心业务占比增加，DRAM 收入盈利能力高于公司平均水平，优于 NAND，HPM 和高价值云 DRAM 业务带来更好利润率 [5] 3. **DDR4 价格与市场情况** - DDR4 因行业转向 DDR5 供给下降，供需失衡致价格上涨，目前占美光收入一小部分，对业绩影响小 [2][6] - 嵌入式、汽车及 AEDU 领域对 DDR4 和 LPDDR4 有持续需求，美光用弗吉尼亚工厂 alpha 节点满足 [2][6] 4. **HBM 产品进展** - 已向客户发送 HBM4 样品，预计 2026 年量产，与客户计划一致 [2][7] - HPM 产品约一年一代更新，由客户需求驱动，未来几年有显著进展 [2][9] 5. **竞争优势与行业趋势** - 拥有行业领先制造工艺和技术，beta 工艺节点经功耗优化，全球布局提升规模经济效益 [2][13] - HPM 是高性能解决方案，虽成本高但性能优势明显，不会被完全取代 [10] - HPM 可能应用于自动驾驶汽车等领域，但因功耗高不太可能用于移动设备 [11] 6. **定制化内存业务** - 看到定制化内存市场机会，与客户合作定制逻辑芯片，与台积电等代工厂合作，同时提供标准化产品和定制化解决方案 [4][14] 7. **供需平衡与产能调整** - 过去几年需求增长放缓，美光抑制供应增长，2025 年供应增长低于行业水平，需求增长积极助于降低库存，关注数据中心领域改善产品结构 [4][15] 其他重要但是可能被忽略的内容 美光将同时提供标准化产品和定制化解决方案，定制化内存不仅是概念，已在与客户合作并与代工厂协作执行 [4][14]