文章核心观点 - 文章通过回顾全球半导体产业，特别是DRAM内存芯片领域，自1970年代至今的竞争格局演变，揭示了在重资产、强规模效应行业中取得成功的关键要素：需要超长期的耐心、对长期博弈本质的清醒认识、制度对长期失败的容忍度以及对业务边界的长期克制 [2][3][6][7][11][16][17][18][19] 日本DRAM产业的崛起与衰落 - 1976年，日本启动VLSI国家级产业计划，旨在超大规模集成电路领域追赶美国，并选择在高度标准化、重资产的DRAM内存芯片领域进行突破 [2] - 1978年至1984年行业下行周期中，日本企业逆势持续扩产、升级工艺，即便长期亏损也坚持投入，旨在通过规模经济压低单位成本 [3] - 1985年，日本企业的低价竞争策略见效，迫使英特尔退出DRAM业务，日本于1987年控制了全球超过80%的DRAM市场份额，完成产业逆袭 [3][5] 韩国DRAM产业的逆周期投资与超越 - 1990年代，三星电子选择在DRAM领域进行大规模下注，其策略比日本更激进 [7] - 1997年亚洲金融危机期间，三星逆周期加大DRAM资本开支，而日本同行普遍削减开支，此举虽导致三星短期财务指标恶化，但长期拉开了与日本企业的成本差距 [7][9] - 日本在泡沫经济破裂后，金融体系风险偏好下降，企业失去长期亏损换规模的耐心，1999年通过整合NEC与日立业务成立Elpida自救 [9] - 2008年金融危机后，Elpida因无法跟进韩国企业的投资规模而资金链断裂，于2012年破产并被美光收购，日本DRAM产业彻底退出舞台 [9][10] - 目前全球DRAM市场呈三寡头结构，三星、SK海力士和美光占据90%以上市场份额 [10] 中国台湾台积电的差异化路径与成功 - 1987年，张忠谋创立台积电，开创了专注于芯片制造、不参与芯片设计的纯代工模式 [11] - 台积电通过长期保持业务边界克制，明确不进入设计领域，赢得了芯片设计公司的信任，从而进入客户增加与产能利用率提升的正反馈循环 [11][13] - 2000年代后，先进制程资本门槛急剧抬升，一座先进晶圆厂投资动辄数百亿美元，台积电因专注制造而能将资源高度集中于制程推进 [13] - 到2010年代中后期，7纳米及以下先进制程已高度集中，台积电成为苹果、英伟达、AMD、高通等绝大多数高端芯片设计公司的共同选择，确立了近乎不可替代的产业地位 [13] 中国半导体产业的现状与挑战 - 中国对半导体产业投入巨大，国家集成电路产业投资基金一期（2014年）规模约1,387亿元人民币，二期（2019年）规模约2,041亿元人民币，两期合计超过3,400亿元人民币 [14] - 在DRAM领域，长鑫存储是中国最重要且几乎唯一试图进入主流市场的企业，自2016年启动，获地方政府及大基金深度支持，早期阶段支持规模达数百亿元 [14] - 长鑫存储已实现DDR4产品量产，月产能达数万片晶圆，但与全球领先企业相比仍有差距，后者已全面转向DDR5和HBM等更先进制程节点 [14] - 中国进入DRAM领域时，行业环境已发生根本变化，DRAM被视为战略资源，核心设备、材料和工艺被少数国家和企业掌握，同时企业面临更高的审计与风险约束，难以在行业低谷期承受长期亏损 [15] 半导体产业竞争的核心启示 - 在强规模效应、重资产行业，成功需要投资者具备超长期耐心，不被短期财务业绩过多干扰，日本和韩国的逆周期投入最终换来了成本领先和规模优势 [16] - 产业竞争是一场超长期的、可以无限加注的牌局，英特尔退出DRAM意味着永久性离场，日本后来试图通过Elpida重返却因筹码不足而失败 [17] - 决定产业成败的关键因素之一，是制度能否容忍长期失败，日本和韩国曾拥有允许企业多年亏损持续投入的制度环境 [18] - 在极端资本密集的产业中，最大的竞争优势往往来自于对边界的长期克制，台积电的成功源于对“不做什么”的长期坚持，从而占据了产业链中最难以替代的位置 [19]