俄罗斯EUV光刻技术路线图核心观点 - 俄罗斯公布了一项采用非行业标准11.2纳米波长的极紫外光刻工具长期发展路线图，计划从2026年延伸至2037年，旨在实现芯片生产自给自足 [1] - 该技术路线避免复制阿斯麦架构，采用混合固态激光器、氙等离子体光源和钌/铍镜片等不同技术，以降低复杂性和维护需求 [1] - 开发目标并非追求最大吞吐量，而是让小型代工厂能以低成本采用，并可能吸引被排除在阿斯麦生态系统外的国际客户 [6] - 如果完全实现，该项目可能以显著较低的资本和运营成本，为国内和出口用途提供先进的芯片制造 [6] 技术路线图阶段详情 - **第一阶段（2026-2028年）**：推出支持40纳米的光刻机，配备两面镜物镜、10纳米套刻精度、3 x 3毫米曝光场，吞吐量超过每小时5个晶圆 [2] - **第二阶段（2029-2032年）**：引入28纳米（有潜力支持14纳米）扫描仪，采用四面镜光学系统，提供5纳米套刻精度、26 x 0.5毫米曝光场，吞吐量超过每小时50个晶圆 [2] - **第三阶段（2033-2036年）**：目标实现亚10纳米生产，采用六面镜配置，2纳米套刻对准、26 x 2毫米曝光场，设计吞吐量超过每小时100个晶圆 [2] - 在分辨率方面，这些工具预计将支持从65纳米到9纳米的范围，与2025-2027年关键层要求相符 [2] 技术路径的潜在优势与挑战 - 选择氙而非阿斯麦工具中的锡滴，可以消除对光掩膜有害的碎屑，从而大大减少维护 [1] - 与阿斯麦的DUV工具相比，较低的复杂性旨在避免用于先进节点的高压浸没式液体和多次图形曝光步骤 [1] - 开发人员声称使用EUV制造落后节点有多个意想不到的好处，但未提及使用非标准11.2纳米波长所带来的复杂性挑战 [3] - 该路线图的可执行性仍有待证明，且即使计划可执行，也可能不会用于商业目的 [1]

全球晶圆代工产能分布 - 中国大陆预计将占据全球晶圆代工产能的30%，成为最大的半导体生产中心 [1] - 目前中国台湾产能最高为23%，中国大陆21%，韩国19%，日本13%，美国10%，欧洲8% [1] - 中国大陆通过建设18座新晶圆厂实现产能增长，例如华虹半导体在上海开设12英寸晶圆厂 [1] 中国大陆半导体产能增长 - 2024年中国大陆半导体产量达每月885万片晶圆，同比增长15% [1] - 预计2025年产量将达到1010万片 [1] - 增长得益于中国政府为实现芯片自给自足目标进行的大规模投资 [1] 美国晶圆供需情况 - 美国是全球最大晶圆消费国，约占全球需求的57% [2] - 但美国产能仅占全球约10%，需从中国台湾、韩国和中国大陆等地区采购 [2] - 多家公司正在美国建设晶圆厂，包括台积电、英特尔、三星等 [2] 技术能力对比 - 报告未具体比较中国与西方晶圆厂的技术能力 [2] - 美国出口管制限制中国获取先进芯片制造设备 [2] - 中国正投入数十亿美元填补半导体行业技术空白 [2] 其他地区产能 - 日本和欧洲的晶圆产量基本满足国内需求 [2] - 新加坡和马来西亚约占全球晶圆代工产能的6%，主要为外资企业 [2]