俄罗斯EUV光刻技术路线图核心观点 - 俄罗斯公布了一项采用非行业标准11.2纳米波长的极紫外光刻工具长期发展路线图，计划从2026年延伸至2037年，旨在实现芯片生产自给自足 [1] - 该技术路线避免复制阿斯麦架构，采用混合固态激光器、氙等离子体光源和钌/铍镜片等不同技术，以降低复杂性和维护需求 [1] - 开发目标并非追求最大吞吐量，而是让小型代工厂能以低成本采用，并可能吸引被排除在阿斯麦生态系统外的国际客户 [6] - 如果完全实现，该项目可能以显著较低的资本和运营成本，为国内和出口用途提供先进的芯片制造 [6] 技术路线图阶段详情 - 第一阶段（2026-2028年）：推出支持40纳米的光刻机，配备两面镜物镜、10纳米套刻精度、3 x 3毫米曝光场，吞吐量超过每小时5个晶圆 [2] - 第二阶段（2029-2032年）：引入28纳米（有潜力支持14纳米）扫描仪，采用四面镜光学系统，提供5纳米套刻精度、26 x 0.5毫米曝光场，吞吐量超过每小时50个晶圆 [2] - 第三阶段（2033-2036年）：目标实现亚10纳米生产，采用六面镜配置，2纳米套刻对准、26 x 2毫米曝光场，设计吞吐量超过每小时100个晶圆 [2] - 在分辨率方面，这些工具预计将支持从65纳米到9纳米的范围，与2025-2027年关键层要求相符 [2] 技术路径的潜在优势与挑战 - 选择氙而非阿斯麦工具中的锡滴，可以消除对光掩膜有害的碎屑，从而大大减少维护 [1] - 与阿斯麦的DUV工具相比，较低的复杂性旨在避免用于先进节点的高压浸没式液体和多次图形曝光步骤 [1] - 开发人员声称使用EUV制造落后节点有多个意想不到的好处，但未提及使用非标准11.2纳米波长所带来的复杂性挑战 [3] - 该路线图的可执行性仍有待证明，且即使计划可执行，也可能不会用于商业目的 [1]