公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 来 源 ： 内容编译自 tom'shardware 。 俄罗斯科学院微结构物理研究所（通过Dmitrii Kuznetsov）公布了一项关于本土11.2纳米波长极 紫外（EUV）光刻工具的长期路线图，这是对该组织去年12月所分享信息的补充。这个新项目从 2026年开始，将使用40纳米制造技术，并延伸至2037年，届时将整合亚10纳米的制造工艺。最新 的路线图比之前的一些看起来更现实，但其可执行性仍有待证明。此外，即使该计划可执行，也可 能不会用于商业目的。 最引人注目的第一点是，提议的EUV系统避免了复制阿斯麦（ASML）工具的架构。相反，该计划 旨 在 采 用 一 套 完 全 不 同 的 技 术 ： 混 合 固 态 激 光 器 、 基 于 氙 等 离 子 体 的 光 源 ， 以 及 由 钌 和 铍 （Ru/Be）制成的反射11.2纳米波长的镜片。选择氙而非阿斯麦EUV工具中的锡滴，可以消除对光 掩膜有害的碎屑，从而大大减少维护。同时，与阿斯麦的DUV工具相比，较低的复杂性旨在避免 用于先进节点的高压浸没式液体和多次图形曝光步骤。 第一个系统，计划于2026-2 ...