公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 每每提到韩国芯片，大家首先想到的就是他们在包括DRAM和NAND在内的存储产品方面的号 召力。诚然，凭借SK海力士和三星在过去多年的投入，他们在这两个赛道已经积累了足够多的 优势。特别是进入了人工智能时代，他们凭借HBM的领先优势在市场上遥遥领先。 根据市场调研机构集邦咨询的数据，统计第一季度的DRAM份额，SK海力士以36%的市场份额位居 收尾，三星电子则以33.7%的市占屈居第二。换而言之，这两家韩国巨头联手拿下了近70%的DRAM 份额。NAND方面，三星电子（31.9%）和SK 海力士（16.6%）也拢共拿下近半的市占。正是得益 于这些芯片的强势，2024年，韩国半导体出口额将达到创纪录的1420亿美元，占出口总额的五分之 一。 然而，这些强势的数据并没让他们宽心。他们正在努力向更多赛道扩张，AI就是他们瞄准的第一个方 向。 韩国豪赌AI芯片 因为人工智能的大火，AI芯片的火热，并不需要赘言。如上所述，虽然能够凭借存储技术在这个市场 分一杯羹，但这并没有满足韩国的野心。于是，韩国政府在本月初公布了大力发展人工智能、半导 体、生物技术、国防、机器人和绿色交 ...

氮化镓产业白皮书 - 英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等企业确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》 [1] 碳化硅功率半导体行业动态 - 三菱电机、华润微电子、方正微电子、至信微电子、派恩杰半导体、纳微半导体近期密集推出创新碳化硅产品，推动技术升级与能效提升 [2] 三菱电机 - 发布两款新型空调及家电用SiC模块样品：全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6），4月22日开始供应 [3] - 全SiC模块功率损耗较硅基降低79%，混合SiC模块降低47%，显著提升家电能效 [5] - 新模块集成自研SiC MOSFET芯片，输出功率高于硅基RC-IGBT模块，适用于大容量家电逆变器电路 [5] - 冠名赞助"电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会"，5月15日公布更多解决方案 [5] 华润微电子 - 推出1200V 450A/600A半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块，基于第二代车规SiC MOS平台 [7] - 模块具备低导通损耗、耐高温特性，采用Si3N4 AMB、银烧结等工艺，最高工作结温175℃ [9] 方正微电子 - 发布第二代车规主驱SiC MOS 1200V 13mΩ芯片，Die size缩小，FOM值提升，可靠性达行业标准的3倍 [9][11] - 第一代产品已大规模上车，预计2025年覆盖几十万辆乘用车主驱，应用延伸至光储充、AI服务器等领域 [11] 至信微电子 - 推出3300V 8Ω SiC MOSFET系列，具备低导通损耗、耐175℃高温、优异体二极管性能等特点 [12][14] - 适用于光伏逆变系统、工业电机等场景，开关效率提升且振荡减少 [15][16] 派恩杰半导体 - 发布SiC HPD模块PAAC12450CM，6并联设计实现与8并联竞品相近功率密度，均流效果更优 [17][18] - 下一代产品电流能力将从450A提升至600A，保持6并联架构 [19] 纳微半导体 - 推出SiCPAK™功率模块，采用"沟槽辅助平面栅"技术，损耗降低20%，目标市场包括电动汽车快充、光伏逆变器等 [20][23] - 模块通过环氧树脂灌封技术隔绝湿气，适应高湿度环境，热耐性更稳定 [23] 行业其他动态 - 行业关注焦点包括SiC芯片工厂投产、8英寸出货量增长及平面栅SiC芯片技术突破 [25]