全球存储产业“三重超级周期”核心观点 - 野村证券认为全球存储市场正迎来前所未有的DRAM、NAND与HBM“三重超级周期”，预计在AI与通用服务器需求共振及供应受限的驱动下，市场规模将在2026年同比飙升98%至4450亿美元，并在2027年进一步扩大至5900亿美元 [1][3] 市场规模与增长预测 - 预计全球存储市场规模在2026年同比增长98%至4450亿美元，2027年进一步扩大至5900亿美元 [1][3] - 预计2026年DRAM和NAND的需求将分别增长30%，而HBM的需求增幅将高达63% [3] - 预计DRAM和NAND的平均售价将分别跃升46%和65%，推动存储芯片制造商的营业利润率重回历史高位 [3] DRAM与HBM市场驱动因素 - AI服务器与通用服务器需求形成双重共振，是本次超级周期的核心驱动力 [5] - 随着英伟达推出Rubin GPU平台，HBM4的需求将在2026年开始爬坡，SK海力士预计在2026年第一季度开始出货HBM4，三星和美光科技紧随其后在第二季度跟进 [5] - 随着ASIC供应商积极扩产，HBM厂商对英伟达的单一依赖度将从2026年起降低，缓解潜在产能过剩风险 [5] - 预计大型科技公司在通用服务器领域的投资在2026年将增长20%至30%，直接带动传统DRAM产品需求 [5] - 受强劲需求和产能优先分配给HBM的影响，商品DRAM将持续短缺，预计在2026年至2027年将其营业利润率推高至约70%的水平 [6] NAND与eSSD市场驱动因素 - 企业级固态硬盘正成为NAND市场主要增长引擎，预计将占到2026年NAND总需求的约40% [7] - AI工作负载从训练转向推理，市场对高性能存储需求激增，甚至导致HDD供应短缺，加速了需求向SSD的转移 [7] - QLC技术的采用提高了SSD的成本效益和总拥有成本优势 [7] - 受传统数据中心和AI数据中心的双重存储需求驱动，加上HDD供应不足，预计2026年eSSD需求将增长超过100% [7] - 预计NAND行业的营业利润率将从目前的盈亏平衡或微利状态大幅改善，在2026年达到30%至40%的繁荣水平 [7] 供应端瓶颈与限制 - 由于洁净室可用性不足，全球存储行业的供应扩张在2027年中期之前将非常有限 [8] - 自今年10月以来，DRAM现货价格已飙升200%至300%，NAND晶圆现货价格也上涨了140% [8] - 在当前向1C纳米制程过渡的技术迁移期，晶圆产能实际上会减少10%至15%，且初期良率较低，导致实际位元产出增长受限 [8] - HBM4的生产需要更多晶圆消耗，进一步挤占了商品DRAM的产能 [8] - 直到2027年之前，市场无需担忧大宗存储芯片会出现供应过剩 [8] 下游消费电子市场影响 - 存储芯片价格飙升将显著推高PC和智能手机的BOM成本，进而压缩厂商利润或迫使其提价 [9] - 受成本上涨及换机需求提前释放影响，预计2026年全球PC出货量可能同比下降2.8%，智能手机出货量或同比下降1.7% [9] - 对于中低端智能手机，由于存储成本在BOM中占比超过15%，其受到的冲击将远大于旗舰机型 [9] - 苹果凭借高利润率、强大的议价能力和长期供应协议，受存储价格上涨的影响相对较小，其供应链在2026年上半年仍有望保持适度增长 [9]