英伟达推动HBM技术升级 - 全球AI芯片龙头英伟达正向主要供应商评估最早于2026年第四季交货16层堆叠HBM的可行性，迫使三星电子、SK海力士与美光加速研发时程，提前开启下一代AI芯片核心零件争夺战 [1] - 目前市场焦点集中在12层堆叠HBM4，预计将于2026年初进入全面商业化阶段，但英伟达已开始询问下一代产品状况，引发供应商内部开发时程重新规划 [1] HBM技术演进路径与挑战 - 从12层堆叠推进到16层堆叠是半导体封装技术的重大进步，技术上远比从8层堆叠到12层堆叠更为艰难，许多情况下必须更换整个制成技术 [2] - 推进至16层堆叠面临两大物理限制：晶圆厚度需从12层堆叠设计的50微米压缩至30微米左右；封装高度受JEDEC标准限制在775微米，为传统堆叠方法留下的空间极其有限 [3] - 封装键合技术成为竞争核心，三星与美光主要依赖热压键合技术，而SK海力士则采用其领先的批量回流模制底填技术 [2] 主要供应商的技术战略 - 三星考虑在16层堆叠产品中导入混合键合技术，希望借此实现弯道超车，近期在英伟达的HBM4系统封装测试中已获得正面回馈 [2] - SK海力士战略重点是尽可能延长其业界领先的MR-MUF技术的寿命，同时开发混合键合作为备案，目前已建立HBM4量产框架并开始向英伟达提供有偿样品 [3] - 美光与三星同样依赖TCB技术，正努力在16层堆叠的竞赛中保持竞争力 [3] 市场需求与产品时间线 - 技术竞赛的关键时间点与英伟达下一代Rubin架构AI芯片的发表连结，该产品预计于2026年下半年问世 [3] - 每颗Rubin架构AI芯片将配备多达8个HBM4堆叠，将极大拉动对高层数HBM的需求 [3] - 尽管业界对16层堆叠HBM4充满期待，但短期内市场重心仍将稳固在HBM3E，预计HBM3E在2026年仍将占HBM总产量的66%，虽较2025年的87%有所下降，但依然是市场绝对主流 [4]