AI服务器耗电激增与高压化趋势 - AI服务器需求猛增导致耗电量激增 预计到2030年AI耗电量将激增至约1000TWh 至少消耗全球10%的电力[4] - 耗电量增加带来五方面影响：电力损耗增加、物理限制（如粗重铜缆）、散热设计挑战、可扩展性极限以及运营成本上升（电费占数据中心运营成本近六成）[11] - 行业解决重点在于降低AI服务器耗电 高压供电系统升级已成必然趋势 例如微软、Meta、谷歌推动的±400V DC和英伟达推动的800V DC系统[10] 功率半导体在AI服务器中的关键作用 - 提升电源侧效率是厂商工作重点 半导体厂商需提供高性能功率电子技术、推进高压技术协作并具备快速系统提案能力[12] - AI服务器电源侧目前主要使用硅 但随着解决方案走向800V高压 使用全套碳化硅解决方案能提供高效支持[19] - 针对AI服务器热插拔需求 公司提供关键MOSFET等产品支持 例如100V耐压功率MOSFET "RY7P250BM"和"RS7P200BM"适用于48V热插拔电路 具有宽SOA范围和低导通电阻[21][22] 罗姆半导体的产品技术与市场战略 - 公司主要营收来自IC和功率半导体 两者贡献接近90%的营收 发展战略以功率电子和模拟为核心 实现在汽车领域增长 同时强化工业设备、消费电子及服务器等业务[14] - 公司同时拥有硅、碳化硅和氮化镓材料的产品系列 能提供多样化功率解决方案 并配套驱动器、AC/DC或DC/DC以提供完整解决方案[16] - 在碳化硅封装上提供多样化产品 如TO-220、TO-247、DOT-247封装以及HSDIP20小型模块 针对IT机架侧一次侧和二次侧均有相应产品[18] - 公司已推出四代碳化硅产品 第五代样品已开始出货 明年将投入批量生产 第五代产品在高温条件下的导通电阻降低约30% 支持AI服务器在高温高负载下的低损耗运行[19] - 公司是屈指可数同时拥有碳化硅、氮化镓、硅及LSI业务的半导体制造商 产品包括助力降低功耗的碳化硅、氮化镓产品 以及适用于HSC的硅MOSFET、隔离型栅极驱动器和电源IC等外围元器件[23]

文章核心观点 - 罗姆半导体推出适用于AI服务器和工业电源48V电源系统热插拔电路的100V功率MOSFET RY7P250BM，该产品获全球云平台提供商认可，有望在下一代AI服务器广泛应用 [1][5] 行业现状 - AI技术快速发展，数据中心处理需求和服务器功耗增加，行业正从12V系统向48V电源架构转变，热插拔电路需要宽SOA和低导通电阻的MOSFET [2] 产品特点 - RY7P250BM采用紧凑8080尺寸封装，能降低数据中心功率损耗和冷却需求，提高服务器可靠性和能源效率，可直接替代现有设计 [3] - 该产品实现宽SOA（VDS = 48V，Pw = 1ms/10ms），适用于热插拔操作，导通电阻低至1.86mΩ（VGS = 10V，ID = 50A，Tj = 25°C），比同尺寸现有宽SOA 100V MOSFET低约18% [3] - 能满足热插拔电路对宽SOA耐受性的需求，10ms时可达16A，1ms时可达50A，可支持传统MOSFET难以处理的高负载条件 [4] 产品认证与应用前景 - 产品获全球领先云平台提供商认证为推荐组件，有望在下一代AI服务器广泛应用，其宽SOA和低RDS(on)特性在云基础设施中获高度评价 [5] 公司规划 - 罗姆将继续扩展适用于服务器和工业设备的48V兼容电源解决方案，通过高效、高可靠性产品推动可持续ICT基础设施发展和节能 [6] 应用示例 - 适用于48V AI服务器系统和数据中心电源热插拔电路、48V工业设备电源系统、电池供电工业设备、UPS和应急电源系统 [7] 销售信息 - 销售启动日期为2025年5月，在线分销商包括DigiKey™、Mouser™和Farnell™，后续其他在线分销商也将提供该产品 [7] 产品相关 - 适用型号为RY7P250BM，属于EcoMOS™品牌，该品牌是罗姆为功率器件领域节能应用设计的硅MOSFET品牌，应用广泛，可根据关键参数选择产品 [8]

文章核心观点 随着人工智能发展，数据中心基础设施需同步演进，罗姆作为功率半导体技术领导者，为英伟达新800V高压直流（HVDC）架构提供关键硅技术支持，助力更高效、可扩展和可持续的人工智能工厂建设 [1] 公司产品组合 - 公司功率器件组合涵盖硅和宽带隙技术，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），为数据中心设计师提供战略路径 [2] - 公司硅MOSFET已广泛应用于汽车和工业领域，能平衡价格、效率和可靠性，适合人工智能基础设施发展过渡阶段 [2] 公司产品案例 - RY7P250BM是一款100V功率MOSFET，获全球主要云服务提供商认可，专为48V电源系统热插拔电路设计，可降低功率损耗、提高系统可靠性 [3] 公司产品与英伟达架构契合点 - 公司SiC器件在工业级低损耗整流方面表现出色，契合英伟达大规模部署800V HVDC数据中心架构以驱动1MW计算机架及以上的计划 [4] - 公司SiC MOSFET在高压、高功率环境中性能优越，能降低开关和传导损耗，提高效率，与英伟达800V HVDC架构要求完美契合 [5] 公司氮化镓技术进展 - 公司以EcoGaN™品牌推进氮化镓技术，在100V至650V范围内性能卓越，其专有纳米脉冲控制技术可进一步改善开关性能 [6] 公司高功率模块情况 - 公司提供一系列高功率SiC模块，如HSDIP20，适用于英伟达架构中的集中式电源系统，具备强大热性能和可扩展性 [7] 公司合作态度 - 公司致力于与英伟达等行业领导者、数据中心运营商和电源系统设计师密切合作，为下一代人工智能工厂提供基础硅技术 [8]