市场展望 - 2030年全球半导体市场将突破1万亿美元，高性能计算（HPC）占比达45%，智能手机占25%，汽车占15%，物联网占10% [4][5] - 边缘计算场景对高能效处理的迫切需求驱动半导体市场长期增长，AI功能深度集成是主要推动力 [4] - 汽车产业快速成长推动台积电N4、N3及N6RF工艺在自动驾驶领域加速应用，数据中心市场指数级成长推动5nm和3nm设计及CoWoS®、SoIC®先进封装技术发展 [5] 先进制程技术 3nm家族 - N3P已于2024年Q4量产，在相同漏电率下性能提升5%或功耗降低5-10%，晶体管密度提升约4% [6][8] - N3X支持1.2V电压，相同功耗下性能提升5%或功耗降低7%，预计2024年下半年量产，但漏电功耗可能增加250% [9] - 3nm家族已收到超过70个NTOS，预计成为高容量、长时间运行的节点 [6][10] 2nm及以下制程 - N2（2nm）制程256Mb SRAM良率>90%，预计2024年下半年量产，N2P将于2026年下半年量产，相比N3E性能提升18%或功耗降低36%，密度提高1.2倍 [11][13] - A16制程融合NanoFLEX晶体管架构、超级电轨和DTCO技术，2026年下半年量产，相比N2P性能提升8-10%或功耗降低15-20%，逻辑密度提升7-10% [14][16][18][19] - A14制程基于第二代GAA晶体管技术，2028年量产，相比N2性能提升15%或功耗降低30%，逻辑密度增加20% [20][21][22] 先进封装技术 - TSMC 3DFabric®技术包括SoIC-P和SoIC-X，N3-on-N4堆叠方案将于2025年量产，A14-on-N2方案2029年就绪 [23][25][26] - CoWoS技术支持硅中介层和有机中介层，InFO技术扩展至汽车应用 [26] - SoW-X基于CoWoS技术，运算能力比现有方案高40倍，2027年量产 [29][30] 特殊制程技术 汽车技术 - N7A、N5A、N3A满足L2-L4级ADAS需求，每代技术性能提升20%或功耗降低30-40%，N3A预计2024年底通过汽车认证 [32] - 28nm RRAM已通过汽车认证，22nm MRAM已量产，16nm MRAM准备就绪 [36][37] 物联网与射频技术 - N4C RF相比N6RF+功耗和面积减少30%，2026年Q1试产，支持Wi-Fi 8和AI功能 [39][40] - 16HV FinFET高压平台相比28HV功耗降低28%，逻辑密度提升41%，适用于OLED和AR眼镜 [41][42] 制造与产能规划 - 2025年AI相关晶圆出货量达2021年12倍，大尺寸芯片出货量达8倍 [44][45] - 2022-2026年SoIC产能CAGR超100%，CoWoS产能CAGR超80% [45] - 2025年新增9座设施，包括6座中国台湾晶圆厂和1座先进封装厂 [45] 可持续发展 - 2040年实现RE100，2050年净零排放，加入SBTi设定减碳目标 [46] - 2030年供应链碳排放降低50%，资源回收率98%，工业用水循环利用率97%以上 [46][47]

中国台湾半导体技术出口管控 - 中国台湾计划强制执行"N-1"技术限制 将禁止台积电出口最新生产节点技术 [3] - 新规基于修订后的《产业创新法》第22条 预计2025年底生效 具体实施日期将在子法规修订后六个月内公布 [5] - 目前台积电最先进制程为N3P(3nm) 年底将推出N2(2nm)制程 [5] - 2026年底台积电将拥有两个旗舰节点：N2P(面向低功耗应用)和A16(1.6nm 面向高性能计算) [5] - 台积电计划将美国产能投资从650亿美元增加到1650亿美元 具体时间未披露 [5] 台积电技术路线图 - 当前旗舰技术为N3P(3nm)制程 [5] - 2024年底将推出N2(2nm)制程 [5] - 2026年底将推出N2P和A16(1.6nm)两个旗舰节点 [5] - 后续可能推出A14和A16P节点 [5] 政策背景与影响 - 此前中国台湾法规未明确要求对半导体制造工艺进行此类管控 [5] - 新规出台正值地缘政治风险上升时期 [5] - 具体哪些制程将被视为"旗舰"技术并限制出口仍有待观察 [5]

财报表现 - 25Q1收入255 3亿美元 同比+35 3%/环比-5 1% 符合指引预期(250-258亿美元) 环比下降主要受智能手机季节性因素影响 部分被AI需求增长抵消 [2] - 25Q1毛利率58 8% 同比+5 7pcts/环比-0 2pcts 位于指引上限(57-59%) 主要受地震及海外产能扩张稀释 部分被成本改善措施抵消 [2] - 25Q1 EPS为13 94新台币 ROE为32 7% ASP 3482美元/环比-0 4% [2] - 25Q2收入指引284-292亿美元 中值同比+38%/环比+13% 主要受3/5nm技术强劲增长驱动 [4] 业务结构 - 按技术节点: 25Q1 3/5/7nm收入占比分别为22%/36%/15% 7nm及以下先进制程合计占比73% [2] - 按平台划分: HPC收入150 6亿美元 环比+7% 占比59%/环比+6pcts 智能手机收入71 5亿美元 环比-22% 占比28%/环比-7pcts [2] - 按地区划分: 北美收入占比77% 环比+2pcts 中国大陆占比7% 环比-2pcts [2] 资本支出与产能规划 - 25Q1资本支出100 6亿美元 2025全年指引380-420亿美元 其中70-80%用于先进制程 10-20%用于特色工艺 10-20%用于先进封装/测试/光罩等 [2] - 美国亚利桑那州追加1000亿美元投资 计划再建设3座晶圆厂+3座先进封装厂+1个研发中心 叠加此前规划总投资达1650亿美元 [15] - 日本熊本第一座特色晶圆厂2024年底量产 第二座预计2025年底建设 德国德累斯顿晶圆厂按计划推进 中国台湾地区未来几年将建设11座晶圆厂+4座先进封装厂 [15] 技术进展 - N2制程预计25H2量产 产能爬坡节奏与N3E类似 前两年新流片数量将高于N3和N5同期水平 [17] - N2P制程作为N2延伸 计划26H2量产 A16制程针对高性能计算产品 计划26H2量产 [17] - N2相比N3E在相同功耗下速度提升10-15% 或相同速度下功耗降低20-30% 芯片密度提升超15% [17] AI业务展望 - 维持2025年AI加速芯片收入翻倍指引 相关产能也将翻倍 未来五年AI加速芯片营收CAGR预计接近45% [14] - DeepSeek等推理模型将提高效率并降低AI发展门槛 促进领先芯片使用 [14] - AI GPU、AI ASIC、HBM等产品需求持续强劲 公司正与客户密切合作规划产能 [14] 海外扩张影响 - 海外工厂成本较高 预计2025年毛利率稀释2-3pcts 未来五年初期每年稀释2-3pcts 后期扩大至3-4pcts 但长期仍维持53%以上毛利率目标 [11] - 亚利桑那州2nm及以下先进制程产能占比将达30% 形成独立半导体制造集群 [15] - 海外扩张主要响应客户需求 特别是美国客户如苹果、英伟达、AMD等对AI芯片的强劲需求 [19]