**美光科技 2025 财年第四季度及全年业绩与展望分析** **1 公司财务表现** * 2025 财年第四季度收入达 37.4 亿美元 同比增长近 50%[2] 毛利率为 41% 同比提升 17 个百分点[2] 每股收益 8.29 美元 同比增长 538%[15] * 2025 财年全年收入创纪录达 113 亿美元 同比增长 46%[15][16] 毛利率为 45.7%[16] 全年自由现金流 37 亿美元 占全年收入 10%[16] * 2026 财年第一季度收入指引为创纪录的 125 亿美元（±30 亿美元） 毛利率预计为 51.5%（±1 个百分点） 每股收益预期为 0.75 美元（±15 美分）[19] **2 业务部门表现与市场动态** * 数据中心业务收入占总收入 56% 创历史新高 毛利率为 52%[6] 高性能存储器（HPM）第四财季收入近 20 亿美元 年化运营率近 80 亿美元[6][7] LPDDR5 服务器产品环比增长超 50%[7] * DRAM 全年营收 286 亿美元 同比增长 62%[13] NAND 全年营收 85 亿美元 同比增长 18%[13] 第四季度 NAND 营收 23 亿美元 环比增长 5%[13] * HBM 高容量 DIMS 和 LP 服务器 DRAM 合并收入达 100 亿美元 同比增长超过五倍[2] 数据中心 SSD 业务创下历史收入和市场份额记录[2] **3 技术优势与生产效率** * 公司在 HBM、下一代 DRAM 和 NAND 技术领域拥有领先地位[4] 广泛使用人工智能技术使生产率提高 30% 至 40%[4] * 一代先进 DRAM 工艺节点已成熟并首次出货 第 9 代 NAND 生产稳步推进并根据市场需求扩产[4] 推出行业首创的 G9 NAND 数据中心产品 包括率先推出 PCIe Gen6 SSD[9] * AI 技术应用于产品设计、技术开发和制造 加速硅系统设计周期并提高产品良率[5] **4 资本支出与产能扩张** * 2025 财年资本支出为 138 亿美元（净额）[14][28] 总资本支出 158 亿美元 其中 20 亿美元来自政府激励[28] 2026 财年净资本支出预计为 180 亿美元[28] * 计划继续投资日本、新加坡和爱达荷州的新制造设施[8] 爱达荷州新高容量制造厂预计 2027 年下半年投产 并已启动第二个工厂的设计工作[8] **5 库存与财务状况** * 第四季度库存下降 3.72 亿美元 库存天数减少 15 天[17] DRAM 库存天数低于目标[17] * 季末持有 119 亿美元现金及投资 总流动性达 154 亿美元[17] 第四财季偿还 7 亿美元定期贷款并回购 2 亿美元高级票据 总计减少 9 亿美元债务[17] 季末债务总额为 146 亿美元[17] **6 市场前景与需求预测** * 预计 2025 年数据中心存储设备出货量以中个位数百分比增长（此前预期为低个位数）[9] 个人电脑行业需求增长预计达高个位数百分比范围[10] * 预计 2026 年 DRAM 供给将进一步趋紧 NAND 市场条件持续强化[13] 行业需求保持稳定增长[13] 到 2030 年 HBM 市场规模预计达到 1000 亿美元[20] * HBM4 产品计划于 2026 年第二季度开始出货 性能最高达每秒 11 千兆比特[21] 与几乎所有客户完成定价协议[21] **7 其他重要信息** * 汽车与嵌入式系统领域需求持续增强并超出最初预期[12] 在移动设备领域推出第二代 LP 系列产品（16GB 和 24GB）[11] * 客户库存水平保持健康 供应紧张[24] 由于行业延长对 D4 的支持 限制了节点过渡[24] * HPM4 产品已做好量产准备 性能提升 40% 超出客户要求的 25%[30] 功耗优于竞争对手[30]

财务数据和关键指标变化 - 第四季度营收达到创纪录的113亿美元 环比增长22% 同比增长46% [20] - 第四季度非GAAP摊薄每股收益为303美元 环比增长59% 同比增长157% [24] - 2025财年营收达到创纪录的374亿美元 同比增长49% [4][20] - 2025财年毛利率为41% 较2024财年提升17个百分点 [4][20] - 2025财年每股收益为829美元 同比增长538% [20] - 第四季度毛利率为457% 环比上升670个基点 [23] - 第四季度营业利润为40亿美元 营业利润率为35% 环比上升820个基点 同比上升12个百分点 [23] - 第四季度运营现金流为57亿美元 资本支出为49亿美元 自由现金流为8.03亿美元 [24] - 2025财年自由现金流为37亿美元 占营收的10% [24] - 第四季度末库存为84亿美元或124天 环比减少3.72亿美元 库存天数减少15天 [24] - 第四季度末持有119亿美元现金和投资 总流动性为154亿美元 [25] - 第四季度债务减少9亿美元 期末债务为146亿美元 [25] - 2025财年资本支出为138亿美元 [19] 各条业务线数据和关键指标变化 - 第四季度DRAM营收达到创纪录的90亿美元 同比增长69% 环比增长27% 占总营收79% [20] - 第四季度DRAM位元出货量实现低双位数百分比增长 价格实现低双位数百分比增长 [20] - 2025财年DRAM营收达到创纪录的286亿美元 同比增长62% [20] - 第四季度NAND营收为23亿美元 同比下降5% 环比增长5% 占总营收20% [21] - 第四季度NAND位元出货量下降中个位数百分比 价格上涨高个位数百分比 [21] - 2025财年NAND营收达到创纪录的85亿美元 同比增长18% [21] - 云内存业务单元(CMBU)第四季度营收45亿美元 占总营收40% 环比增长34% 毛利率59% 环比上升120个基点 [22] - 核心数据中心业务单元(CDBU)第四季度营收16亿美元 占总营收14% 环比增长3% 毛利率41% 环比上升400个基点 [22] - 移动客户端业务单元(MCBU)第四季度营收38亿美元 占总营收33% 环比增长16% 毛利率36% 环比上升12个百分点 [23] - 汽车和嵌入式业务单元(AEBU)第四季度营收14亿美元 占总营收13% 环比增长27% 毛利率31% 环比上升540个基点 [23] 各个市场数据和关键指标变化 - 数据中心业务在2025财年达到公司总营收的56% 毛利率为52% [10] - HBM、高容量DIMM和LP服务器DRAM合计营收达到100亿美元 较上一财年增长超过五倍 [5] - 第四季度HBM营收增长至近20亿美元 年化运行率接近80亿美元 [10] - 第四季度服务器LP5产品实现超过50%的环比增长并创下营收纪录 [12] - 客户端SSD业务在第四季度和2025财年均创下营收纪录 [15] - 汽车和工业市场需求在整个季度走强 超出最初预测 [17] 公司战略和发展方向和行业竞争 - 公司在先进技术领域处于领先地位 包括HBM、1-gamma DRAM和G9 NAND [5] - 1-gamma DRAM节点达到成熟良品率的速度比上一代快50% 是行业首个出货1-gamma DRAM的公司 [7] - 在第四季度获得主要超大规模客户的1-gamma服务器DRAM产品首次营收 [7] - G9 NAND生产爬坡进展顺利 TLC和QLC NAND均已量产 G9 QLC NAND已通过企业存储认证 [7] - 爱达荷州新晶圆厂完成关键建设里程碑 获得CHIPS法案拨款 预计2027年下半年开始产出首批晶圆 [8] - 日本晶圆厂安装首台EUV工具以实现1-gamma能力 安装时间创全球EUV工具纪录 [8] - 新加坡HBM组装和测试设施建设进展良好 预计2027年开始贡献HBM供应能力 [9] - HBM4 12-high产品按计划支持客户平台爬坡 带宽超过2.8TB/s 引脚速度超过11Gbps [11] - HBM4E将与台积电合作制造基础逻辑芯片 提供标准和定制化产品选项 [11][65] - HBM客户群已扩大至六个客户 [12] - 与英伟达紧密合作 在数据中心领域是LPDRAM的独家供应商 [13] - GDDR7产品设计引脚速度超过40Gbps 具有最佳能效 [14] - 推出行业首款G9 NAND数据中心产品 包括首款PCIe Gen 6 SSD [15] - 停止未来移动管理NAND产品开发 专注于更高投资回报机会 [16] 管理层对经营环境和未来前景的评论 - AI驱动需求正在加速 行业DRAM供应紧张 [5] - 预计2025日历年服务器单位增长约10% 高于此前中个位数百分比增长预期 [9] - 传统服务器增长前景从持平显著改善至中个位数百分比增长 [9] - AI服务器增长仍然非常强劲 [10] - 预计2025日历年PC单位出货量实现中个位数百分比增长 高于此前低个位数百分比预期 [15] - 智能手机单位出货量预期保持不变 为低个位数百分比增长 [16] - 客户库存水平在各终端市场总体健康 [17] - 预计2025日历年行业DRAM位元需求增长在高十位数百分比范围 [18] - 预计2025日历年行业NAND位元需求增长在低至中十位数百分比范围 [18] - 预计公司2025日历年位元供应增长低于行业位元需求增长(非HBM DRAM和NAND) [18] - 预计2026日历年行业DRAM供应将进一步紧张 NAND市场状况持续改善 [19] - 中期预计行业DRAM和NAND位元需求增长均为中十位数百分比类别 [19] - 预计2026财年资本支出将高于2025财年水平 [19] 其他重要信息 - AI在全公司范围内应用 在代码生成等特定Gen AI用例中实现30%至40%的生产力提升 [6] - 在设计仿真中 AI通过高级建模和减少迭代加速硅到系统设计周期 [6] - 在制造中 过去一年分析的晶圆图像增加5倍 从工厂工具收集和分析的有用数据和遥测数据量翻倍 [6] - 2026财年将是53周财年 而2025财年是52周财年 [27] - 预计第一财季税率约为16.5% [27] - 预计第一财季资本支出约为45亿美元 [27] - 预计第一财季自由现金流将增强 2026财年年度自由现金流将同比显著提高 [27] 问答环节所有提问和回答 问题: 关于第一财季12亿美元环比营收增长的拆分以及毛利率影响因素 [31] - 第一财季DRAM占比将高于NAND 毛利率环比提升580个基点由产品组合、定价和成本削减共同推动 [32] - 需求方面数据中心支出保持强劲 传统服务器支出改善 PC、智能手机、汽车等内容增长增加 [32] - 供应方面由于结构性因素保持紧张 [32][33] 问题: 关于HBM总体可用市场(TAM)的更新以及2026年展望 [34][35] - 2030年HBM TAM预计达到1000亿美元 HBM位元复合年增长率将超过DRAM [36] - HBM价值主张持续增长 2026年将向HBM4过渡 [36] - 看到数据中心基础设施支出的数万亿美元投资公告 内存处于AI革命的核心 [37] 问题: 关于从HBM3E向HBM4过渡的时间安排、HBM3E定价趋势以及2026年份额展望 [40] - HBM4将在2026年第二季度左右开始首批生产发货 生产将在2026年下半年爬坡 [40] - 2026年份额预计增长 [40] - HBM3E定价协议已与几乎所有客户完成 涵盖2026年绝大部分供应 [40] - HBM4正在与客户讨论中 [40] - 预计2026年DRAM供应紧张 需求供应环境健康 [41] 问题: 关于毛利率前景以及云数据中心业务毛利率扩张空间 [42] - 预计毛利率在第一财季到第二财季环比改善 [43] - 需求供应因素具有持续性 客户库存健康 公司供应紧张 [43] - 预计2026年HBM和非HBM毛利率都将保持健康 [44] 问题: 关于DRAM需求拐点的可持续性以及2026年供应紧张情况下的季节性影响 [47] - AI趋势强劲 不仅训练还包括推理 需求向量正在扩大 [48] - AI服务器推动强劲需求 传统服务器需求也在增加 [48] - AI智能手机和AI PC是DRAM内容的顺风 [49] - 预计2026年全年需求强劲 供应紧张 [49] - 客户和供应商库存处于良好状态 公司DRAM供应非常紧张 [50] 问题: 关于资本支出分配以及2026财年总资本支出指引 [51] - 2026年支出绝大部分用于DRAM 包括建设、设施、节点转换工具和新晶圆厂初步安装 [52] - 2025年净资本支出138亿美元 总支出158亿美元 政府激励20亿美元 [52] - 政府激励主要来自美国、新加坡和日本 [53] 问题: 关于库存水平展望以及供应紧张持续到2026年的信心 [55] - 预计库存天数保持在第四季度水平或更好 DRAM将保持非常紧张 NAND库存天数预计下降 [56] - 1-gamma爬坡支持非HBM产品需求 HBM产品由1-beta支持 [57] - 专注于最大生产效率和技术转换 [57] 问题: 关于HBM4性能提升的实现方式以及客户验收时间表 [58] - 通过DRAM芯片设计、先进CMOS技术、基础芯片和创新内存架构实现性能提升 [59] - HBM4产品规格带宽28TB/s 速度11Gbps [59][60] - 按计划处于客户平台爬坡前沿 [59] 问题: 关于2026年HBM供应能力以及需求超预期时的灵活性 [61] - HBM3E定价和体积协议已与大多数客户完成 [62] - HBM4协议预计在未来几个月完成 [62] - 在前端具有可替代性 可以根据投资回报率管理HBM和非HBM组合 [63] - 组装和测试产能投资提供灵活性 [64] 问题: 关于HBM4和HBM4E基础芯片策略以及客户偏好 [65] - HBM4使用内部基础芯片 [65] - HBM4E将与台积电合作 提供标准和定制产品 [65] - HBM4E是2027年产品 [65] - 定制产品预计提供更高毛利率 [65] - 内部逻辑芯片提供独特优势 [66][67]