台积电1.4纳米制程布局与投资 - 台积电中科1.4纳米制程新厂预计10月动工，总投资金额达1.2兆至1.5兆新台币（约2338亿至3508亿人民币）[2] - 新厂规划四座厂房，首座厂2027年底风险性试产，2028年下半年正式量产，预估年营业额超5000亿新台币（约1169亿人民币）[2] - 中科厂第一期两座厂房为1.4纳米制程，第二期两座厂房可能推进至1纳米制程[2][3] - 台积电同步规划南沙仑园区1纳米制程基地，土地面积500公顷，可兴建10座晶圆厂[3] 先进制程技术突破 - A14制程基于第二代纳米片环栅晶体管（GAA）和NanoFlex Pro架构，较N2制程同功耗下速度提升10%~15%，同速度下功耗降低25%~30%，逻辑密度提升约1.23倍[5][7][8] - A14计划2028年投产，2029年推出具背面供电的A14P版本，后续还将推出A14X（效能版）和A14C（成本优化版）[8][9][11] - NanoFlex Pro架构允许芯片设计人员微调晶体管配置，实现功耗、效能和面积（PPA）的最佳化[9][11] 2纳米制程领先优势 - 台积电2纳米制程将于2025年第四季量产，代工报价达3万美元/片，月产能规划2025年底达4.5万~5万片，2026年超10万片，2028年扩至20万片[13][14] - 主要客户包括苹果、超微、高通、联发科、博通与英特尔，2027年新增NVIDIA、亚马逊、Google等逾10家客户[13][14] - 2纳米良率达65%，显著高于英特尔18A制程的55%和三星SF2制程的40%[15] 行业竞争格局 - 台积电在2纳米良率、客户结构、量产规模及市占率方面遥遥领先，全球客户超500家，生产产品逾万种[15][16] - 竞争对手三星2纳米制程仅用于自家手机，日本Rapidus虽试产成功但产能规模与商业模式差距较大[15][16] - 公司持续投资研发，聚焦A14后节点、3D晶体管、新型存储器及先进封装技术，以维持技术领先地位[18]

台积电技术路线 - 台积电重申1.4nm级工艺技术（A14）无需采用高数值孔径（High-NA）EUV光刻机，认为当前技术已能满足需求 [1] - A16（1.6nm级）和A14（1.4nm级）工艺技术均不会使用高NA EUV设备，公司将持续优化现有EUV技术以延长寿命并保持微缩优势 [1] - A14工艺基于第二代纳米片环栅晶体管及全新标准单元架构，在相同功率下性能提升15%，或在相同频率下功耗降低25%-30% [2] 高NA EUV光刻机市场现状 - ASML高NA EUV光刻机单价高达4亿美元，目前全球仅交付5台，主要客户为Intel和三星 [2] - 设备重达180吨，体积相当于双层巴士，是全球最昂贵的半导体制造设备之一 [2] - Intel于2023年12月率先获得全球首台High NA EUV光刻机 [2] 台积电技术决策逻辑 - 公司采用高NA EUV的前提是其能带来可衡量的效益和投资回报，当前A14技术已通过创新实现显著性能提升，无需依赖该设备 [1][2] - 技术团队持续探索现有EUV技术的优化方案，以推迟高NA EUV的采用时间点 [1]

半导体制造工艺竞争 - 台积电正在从FinFET转向Nanosheet架构，并探索CFET（垂直堆叠NFET和PFET）作为器件微缩方案，2023年展示栅极间距48纳米的CFET晶体管，2024年推出最小CFET反相器[1][3][5] - 台积电在二维沟道材料取得突破，首次展示堆叠纳米片架构中单层沟道的电性能，开发出工作电压1V的反相器[5] - 台积电计划开发新型互连技术，包括铜互连新通孔方案、新型铜阻挡层，以及研究气隙金属材料和插层石墨烯以降低电阻[7] 英特尔14A工艺突破 - 英特尔14A节点（2027年风险生产）宣称功耗降低35%，性能功耗比提升15-20%，晶体管密度比18A提高1.3倍[8][9] - 采用PowerDirect背面供电网络和RibbonFET 2晶体管（四层堆叠纳米片），实现更快切换速度[9] - 推出Turbo Cell技术优化CPU/GPU关键路径，通过调整纳米带宽度和配置提升驱动电流，可在同一模块混合高速与节能单元[10][11][12] High NA EUV光刻技术路线 - 台积电放弃在A14节点使用High NA EUV（成本高2.5倍），采用0.33 NA EUV配合多重曝光保持设计复杂度，计划在A14P节点引入[13][14] - 英特尔坚持在14A节点部分层使用High NA EUV（已安装2台设备），但保留Low NA EUV备用方案，两种方案良率持平且设计规则兼容[15][16][17] - High NA EUV可减少40个工艺步骤降低成本，但需两次曝光完成全光罩，而Low NA EUV需三重曝光[18] 技术战略差异 - 台积电侧重成本控制和技术成熟度，延迟High NA EUV应用[13][14] - 英特尔通过High NA EUV寻求技术领先，但吸取10nm节点教训采用双轨开发策略降低风险[19] - 两家公司在背面供电（英特尔PowerDirect）和晶体管架构（台积电CFET/英特尔RibbonFET）上形成差异化竞争[9][3][19]