业绩总结 - Micron在2025财年第四季度实现创纪录的收入，达到374亿美元，同比增长近50%[8] - FQ4-25的总收入为113.15亿美元，环比增长22%，同比增长46%[89] - FY-25的总收入为373.78亿美元，同比增长49%[81] - FQ4-25的净收入为34.69亿美元，占总收入的31%[80] - FY-25的净收入为94.70亿美元，占总收入的25%[81] - FQ4-25的GAAP净收入为32.01亿美元，较FQ3-25增长69%[95] - FY-25的GAAP净收入为85.39亿美元，较FY-24增长1008%[100] 用户数据 - 数据中心业务在2025财年占公司总收入的56%，毛利率为52%[24] - 云内存业务（CMBU）在FQ4-25的收入为45.43亿美元，较FQ3-25增长34%，同比增长214%[90] - 核心数据业务（CDBU）在FQ4-25的收入为15.77亿美元，较FQ3-25增长3%，同比下降23%[90] - 移动和客户端业务（MCBU）在FQ4-25的收入为37.60亿美元，较FQ3-25增长16%，同比增长25%[90] - 自动化和嵌入式业务（AEBU）在FQ4-25的收入为14.34亿美元，较FQ3-25增长27%，同比增长17%[90] 毛利率与现金流 - Micron的毛利率在2025财年增长了17个百分点，达到41%[8] - FQ4-25的非GAAP毛利率为46%，同比增长10个百分点[80] - FQ4-25的现金流来自运营为57.30亿美元，占总收入的51%[71] - FY-25的调整后自由现金流为37亿美元[71] 未来展望 - 预计2025年数据中心服务器单位增长约10%，高于之前的中低个位数增长预期[21] - 预计2025年行业DRAM位需求增长将在高十几个百分点范围内[45] - FQ1-26的收入指导为125亿美元±3亿[77] 新产品与技术研发 - Micron的HBM收入在2025财年第四季度接近20亿美元，年化收入接近80亿美元[24] - Micron的1γ DRAM节点在记录时间内达到成熟产量，比前一代快50%[16] - Micron的LPDDR5在第四季度实现超过50%的环比增长，创下收入纪录[33] 其他财务数据 - DRAM在FQ4-25的收入为89.84亿美元，占总收入的79%，环比增长27%，同比增长69%[88] - NAND在FQ4-25的收入为22.52亿美元，占总收入的20%，环比增长5%，同比下降5%[88] - FQ4-25的非GAAP净收入为34.69亿美元，较FQ3-25增长59%[95] - FQ4-25的GAAP每股摊薄收益为2.83美元，较FQ3-25增长68%[97] - FQ4-25的非GAAP每股摊薄收益为3.03美元，较FQ3-25增长59%[97]

美光第六代DRAM技术突破 - 美光率先向客户出货基于1γ节点的16Gb DDR5内存样品，速度达9200MT/s，较上一代提升15% [1][4] - 1γ节点采用新一代高K金属栅极CMOS技术，功耗降低超20%，比特密度提升超30% [4][5] - 该技术将应用于云端、工业、消费电子及端侧AI设备，满足高性能计算需求 [3][4] DRAM市场竞争格局变化 - 美光市场份额从19.6%升至22.2%，三星和SK海力士分别降至41.1%和34.4% [8] - SK海力士已完成1c DDR5量产认证，计划2月初全面量产 [6][7] - 三星1c DRAM开发延迟至2025年6月，良率目标70%，可能影响HBM4进度 [7][10] HBM市场竞争态势 - SK海力士保持领先地位，正加快开发HBM4目标2026年量产 [13] - 美光已向英伟达供应8层HBM3E，即将量产12层产品，功耗低20%且容量高50% [11][12] - 三星落后于竞争对手，8层HBM3E刚进入小规模量产，12层产品仍在测试阶段 [11][14] 低功耗DRAM市场进展 - 美光将为三星Galaxy S25提供主要LPDDR5X芯片，首次成为三星主要内存供应商 [15] - 美光LPDDR5X芯片在功耗效率和性能上优于三星产品，解决发热问题 [15][17] - 2022年美光已为iPhone 15系列提供基于1b工艺的LPDDR5X [16] 技术发展与产能扩张 - EUV光刻技术使1γ DRAM容量密度提升30%，减少多重光刻步骤提高良率 [20][21] - 美光在日本和台湾增加EUV系统，计划发展1δ工艺和3D DRAM架构 [22] - 公司获得美国61.65亿美元补贴，计划在新加坡建70亿美元封装设施，日本广岛建HBM产线 [18] 行业影响与未来展望 - 美光计划2025年HBM市场份额达20%-25%，挑战SK海力士和三星主导地位 [23] - 三星已开始建设第七代DRAM试验线，试图重夺技术领先地位 [14] - 存储芯片行业竞争加剧，推动整体技术进步和产品升级 [19][23]