极紫外光刻(EUV)设备

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光刻机巨头阿斯麦股价暴跌 管理层警告2026年增长或无法实现
中国基金报· 2025-07-16 10:22
阿斯麦2025年第二季度财报表现 - 净销售额77亿欧元(约89.5亿美元),超出预期的75.2亿欧元 [2][3] - 净利润22.9亿欧元,超出预期的20.4亿欧元 [2][3] - 净新增订单55亿欧元,远超预期的41.9亿欧元 [3] - 业绩超预期主要来自现有设备升级收入和关税影响低于预期 [3] 阿斯麦业绩指引调整 - 第三季度营收指引74亿至79亿欧元,低于市场预期的83亿欧元 [7] - 2025年全年净销售额增长预期收窄至15%,对应约325亿欧元 [7] - 2026年增长前景不确定,受宏观经济和地缘政治因素影响 [8] 股价表现 - 财报发布后股价下跌超过7%至654.70欧元/股 [3] - 创下自4月以来最大单日跌幅 [3] - 过去一年股价累计下跌33% [3] - 美股盘前股价暴跌超8% [5] 业务与技术发展 - 全球半导体供应链关键企业,生产极紫外光刻(EUV)设备 [9] - AI需求是推动EUV设备增长的重要因素 [9] - 已推出下一代高数值孔径(High NA)光刻机,单价超4亿美元 [9] - 第二季度交付了一台High NA设备 [9] 行业环境与挑战 - 面临美国关税政策带来的不确定性 [6] - 关税可能对毛利率产生负面影响 [11] - 美国对AI处理器出口限制若取消将利好芯片需求 [11] - 特朗普政府关税政策混乱影响企业投资规划 [11]
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中国基金报· 2025-07-16 10:01
阿斯麦2025年第二季度财报表现 - 第二季度净销售额77亿欧元(约89 5亿美元),超出预期的75 2亿欧元 [7] - 净利润22 9亿欧元,高于预期的20 4亿欧元 [7] - 净新增订单55亿欧元,远超分析师预期的41 9亿欧元 [5] - 业绩超预期主要源于现有设备升级收入及关税影响小于预期 [4] 市场反应与股价变动 - 财报发布后股价单日暴跌7%至654 70欧元/股,创4月以来最大跌幅 [6] - 美股盘前股价进一步下跌超8% [8] - 过去12个月股价累计下跌33% [6] 业绩指引与未来展望 - 第三季度营收指引74-79亿欧元,低于市场预期的83亿欧元 [10] - 2025年全年净销售额增长预期收窄至15%(约325亿欧元) [10] - 2026年增长目标存在不确定性,受宏观经济和地缘政治因素影响 [10] - 公司推出下一代High NA光刻机(单价超4亿美元),Q2已交付首台 [10] 行业影响因素 - AI芯片需求成为推动EUV光刻设备增长的关键因素 [10] - 美国关税政策带来不确定性,可能影响设备运输和毛利率 [12] - 美国若取消AI处理器出口限制将利好全球芯片需求 [13] - 英伟达和AMD已获准向中国出口部分受限芯片 [14] 公司战略地位 - 全球半导体供应链核心企业,EUV设备为制造最先进芯片必需 [10] - 客户包括英特尔、台积电等顶级芯片制造商 [10] - High NA光刻机成为未来增长战略的关键产品 [10]
阿斯麦业绩超预期却发出增长警告 2026年前景存疑股价大跌
金十数据· 2025-07-16 09:00
财务表现与业绩预期 - 公司第二季度净销售额77亿欧元(约合89.5亿美元),超出预期的75.2亿欧元,净利润22.9亿欧元,超出预期的20.4亿欧元 [5] - 第三季度营收指引为74亿至79亿欧元,低于市场预期的83亿欧元 [3] - 2025年全年净销售额预期增长15%,约为325亿欧元,较此前300亿至350亿欧元的预期区间收窄 [3] - 第二季度净订单55亿欧元,远超分析师预期的41.9亿欧元 [6] 2026年增长不确定性 - 公司警告2026年可能无法实现增长,尽管AI客户基本面依然强劲,但宏观经济与地缘政治不确定性增加 [4] - 公司仍在为2026年增长做准备,但目前无法确认增长前景 [4] AI与EUV技术驱动 - AI相关芯片需求是极紫外光刻(EUV)设备的重要驱动力 [8] - 公司已推出下一代High NA EUV设备,每台售价超过4亿美元,第二季度交付一台 [8] - 公司是全球半导体供应链关键企业,EUV设备为苹果、英伟达等设计的最先进芯片必需设备 [7] 市场反应与行业挑战 - 公司股价在欧洲市场早盘下跌6.5% [2] - 半导体行业面临美国关税政策引发的不确定性 [2] - 业绩超预期部分得益于已部署设备升级收入及关税影响低于预期 [5]
初创公司要颠覆芯片制造,成本大跌
半导体行业观察· 2025-04-26 01:59
纳米级3D打印芯片技术 - 初创公司Atum Works开发出纳米级3D打印机,能以100纳米体素级精度在晶圆级尺度构建多材料三维结构,相比传统平面光刻工艺可直接在三维空间精确沉积材料[2] - 该技术可将芯片制造成本降低高达90%,但逻辑芯片能力落后主流技术约20年,主要适用于封装、光子学、传感器等非逻辑器件领域[2] - 3D打印技术实现直接三维制造和多材料整合,在复杂3D设计场景中具有优势,有望提高良率,但100纳米分辨率仅相当于2003-2005年的90nm-110nm工艺节点[2] 技术对比与市场应用 - 现代EUV光刻设备分辨率达13纳米(如应用材料Sculpta可控制在12纳米),蚀刻技术垂直精度达亚10纳米,远高于Atum的100纳米水平[2] - 该技术不适合制造高性能处理器,但已与英伟达达成联合开发意向书,计划2024年内交付首批产品[2] - 3D打印系统能否与现有晶圆厂工具流程兼容尚不明确,公司正积极与潜在客户洽谈商业化落地[2]