全球DRAM市场竞争格局 - SK海力士连续两个季度位居全球DRAM市场榜首 第二季度市场份额达39.5% 较第一季度36.9%提升2.6个百分点 [2] - 三星电子DRAM市场份额从第一季度34.4%下滑至第二季度33.3% 与SK海力士差距扩大至6.2个百分点 [2] - SK海力士第二季度DRAM营收达122.26亿美元 较三星电子的103亿美元高出19.26亿美元 为1992年以来首次有厂商超越三星 [2] HBM技术竞争态势 - SK海力士在HBM4质量测试阶段领先 计划本月向NVIDIA提交12层样品 预计9月完成2025年上半年供应合同 [3][4] - 三星电子HBM4测试进度落后约两个月 面临供应量和价格谈判能力削弱的风险 [3][4] - 三星电子采用4纳米工艺制造HBM4逻辑芯片 宣称解决发热和良率问题 性能优于采用台积电12纳米工艺的SK海力士和采用12纳米级DRAM工艺的美光 [5] HBM定制化趋势 - 微软、英伟达、博通等科技巨头要求定制HBM SK海力士已与三家达成定制供应协议并开始设计 [5] - 美光科技确认行业向定制化HBM发展 计划布局个性化产品 [6] - SK海力士宣布从HBM4E开始转向定制化 与台积电合作采用先进逻辑工艺 首批产品预计2025年下半年问世 [6] DDR4市场意外回暖 - 三大原厂计划2025年底停产DDR4导致供应短缺 DDR4 16Gb 3200现货价格达16美元 是DDR5价格的2.6倍 [7] - 三星和SK海力士将DDR4生产期限延长至2026年 因完全折旧生产线使DDR4利润率高于DDR5 [8] - 南亚科技等较小厂商同步延长DDR4生产 旧款芯片价格飙升至下一代产品水平 [8] 通用DRAM产能结构性紧张 - HBM生产占用晶圆产能 三星和SK海力士第三季度为HBM4样品投入每月1-2万片晶圆 导致通用DRAM产能下降 [10] - Omdia上调DRAM价格预测：服务器用64GB DDR5从255美元升至276美元 移动端8GB DDR5从18.7美元升至19.2美元 PC用16GB DDR5从44.7美元升至46.5美元 [11] - HBM低良率需增加晶圆投入 叠加设备投资集中于HBM 导致通用DRAM面临结构性供应制约 [10][11] 半导体设备技术升级 - SK海力士首次引进High NA EUV量产设备（ASML EXE:5200B） 分辨率比现有EUV提高40% 集成度提升2.9倍 [13][14] - 混合键合技术成为HBM竞争焦点 三星计划2025年用于HBM4 SK海力士拟用于HBM4E 性能可提升一倍以上 [14] - 应用材料收购Besi公司9%股份 韩系设备商（韩美半导体、韩华、LG电子）积极布局混合键合设备国产化 [15][16] 行业技术演进方向 - HBM技术向系统级整合发展 SK海力士将基础裸片代工交由台积电 标志DRAM厂商主导能力减弱 [18] - HBM制造需多方协同 涉及逻辑工艺、堆叠技术和封装技术的跨界整合 [18] - 技术迭代节奏加速 定制化HBM、混合键合和新型存储架构成为竞争核心 [18]