中美贸易谈判 - 中国商务部副部长李成钢本周赴华盛顿与美国贸易代表格里尔及财政部高级官员会面[1][2] - 中美将关税休战期延长90天 继续就贸易逆差、市场准入和稀土等问题展开谈判[3] 美国对印度关税政策 - 美国国土安全部拟自8月27日起对印度商品加征50%关税[4][5] - 叠加8月7日生效的25%关税后 印度输美商品总体税率将增至50%[6][7] - 印方称美方做法"不公平、不公正、不合理" 将采取必要行动维护国家利益[8] 中韩外交关系 - 韩国总统特使团访华期间与王毅外长、商务部长王文涛举行会谈 并获中国国家副主席韩正及人大常委会委员长赵乐际接见[9][10] - 王毅表示中韩关系处于改善发展重要时期 应恪守建交初心、拓展共同利益[11] - 韩国特使团强调在发展韩美同盟同时推动韩中战略合作伙伴关系升级[11][13] 韩国对美投资 - 韩国企业承诺在美国投资1500亿美元 三星电子会长李在镕等企业高层出席相关会议[14][15][16] - 现代汽车集团将对美投资从210亿美元增至260亿美元 并建设年产能3万台的机器人工厂[58] 人工智能领域发展 - 韩国政府计划2026年将AI研究支出增至35.3万亿韩元（252.3亿美元）增幅近20%[21] - 设立100万亿韩元（715.6亿美元）基金投资战略领域 目标成为世界前三AI强国[24][25] - 韩国财政部下调2025年经济增长预期至0.9%（原预测1.8%）[27] 生物医学突破 - 中国团队完成世界首例基因编辑猪肺移植脑死亡人体案例 移植肺维持功能9天未发生排异反应[17][18][19] 科技企业动态 - Meta与Midjourney签署技术授权协议 将美学技术纳入未来AI产品矩阵[29][30] - OpenAI将在新德里设立首个印度办事处 印度为其第二大用户市场及五大开发者市场之一[43][44] 半导体产业进展 - 美国商务部取消74亿美元半导体制造研究资助计划[45] - 比利时imec与根特大学突破3D DRAM技术瓶颈 在300mm晶圆上成功生长120层Si/SiGe结构[47][48] - 韩国ChipScale公司实现650V氮化镓功率半导体量产 完成国际商标注册[53][54] - 江苏省RISC-V产业联盟在苏州成立 当地集成电路产业规模超1200亿元[50][51] 自动驾驶技术 - Waymo获纽约市首个自动驾驶测试许可 可在曼哈顿部分区域开展测试[59][60] - 特斯拉在奥斯汀启动自动驾驶出租车试点 计划2025年底覆盖美国半数人口区域[63] 汽车制造业 - 上汽奥迪智造基地正式落成 年产能36万台 关键工序100%自动化[64] - 奇瑞汽车将供应商平均支付账期压缩至47天 低于行业60天标准[67][69] - 中国新能源乘用车L2+级辅助驾驶功能装车率达82.6%[57] 航天领域 - 中国成功发射卫星互联网低轨10组卫星 使用长征八号甲运载火箭（700公里太阳同步轨道运力7吨级）[72][73] - 中国空间站无容器实验柜将钨合金加热至3100℃ 创造世界纪录[75][76] - SpaceX星舰第十次试飞因天气及技术原因连续取消[79] 能源与矿产 - 研究显示太空太阳能发电可降低欧洲电网总成本7%-15% 取代80%风电与地面太阳能[81][82] - 美国地质调查局建议将铅列入关键矿产清单[85] - 托克集团与韩国天然气公司签署十年期LNG供应协议 采用亨利枢纽定价基准[86] 矿产资源开发 - 加拿大Record Ridge镁矿项目获批免环评 年产6.35万吨镁矿（含94%硅镁镍铁）未达7.5万吨环评门槛[88]

核心观点 - 美国对HBM及相关半导体设备的出口管制迫使国内存储厂商转向3D DRAM技术研发 [1] - 3D DRAM被视为突破DRAM物理极限和替代HBM的关键技术方向 [10][21] - 全球主要存储厂商已投入3D DRAM研发并取得阶段性成果 [11][13][16][17] - 国内厂商在3D DRAM领域加速布局以应对供应链限制 [17][18][19] HBM限制背景 - 美国商务部对带宽密度超过2GB/s/mm²的HBM实施出口管制 覆盖所有量产型号 [1] - 禁令直接影响国内AI行业对高性能存储的需求 [1] - GDDR内存(800-960GB/s带宽)和SRAM方案可作为HBM替代方案 [3] 3D DRAM技术原理 - 传统DRAM采用8F²/6F²平面结构 面临物理极限瓶颈 [7][8] - 4F²结构通过垂直堆叠晶体管使单元面积缩小33% [9] - 3D DRAM采用类似3D NAND的垂直堆叠技术 [10] - 关键技术包括晶圆键合和混合键合工艺 [10] 国际厂商进展 - 三星计划2030年前量产VCT架构3D DRAM 已制定第八代产品路线图 [11] - SK海力士展示5层堆叠3D DRAM原型 良率达56.1% [13] - 美光持有30余项3D DRAM专利 数量领先韩国厂商 [16] - Neo Semiconductor推出300层3D X-DRAM 理论吞吐达10TB/s [17] 国内厂商动态 - 长鑫存储和长江存储被报道布局3D DRAM [17] - 北京君正计划年内提供3D DRAM样品 重点解决堆叠工艺难题 [18] - 中国台湾团队开发出无电容IGZO晶体管3D DRAM结构 [19] 行业影响 - 3D DRAM可优化功耗表现并突破带宽瓶颈 [21] - 技术适用于AI PC/手机终端/AIoT等新兴场景 [21] - 全球供应链变化为国产DRAM创造替代空间 [21]