然而，随着HBM技术的持续迭代，TCB技术逐渐暴露出瓶颈。特别是当芯片堆叠层数超过16层时， 传统的凸点结构会显著影响良率。此外，凸点本身还限制了互联密度，可能导致信号完整性下降，这 与HBM对更高带宽和更低功耗的需求相违背。 这就是混合键合登场的时候了。混合键合技术是一种革命性的解决方案。它无需凸点，直接在DRAM 芯片之间进行铜-铜直接键合，从而实现更紧密的芯片互联。 在半导体行业， "一代技术，催生一代设备"。随着HBM封装即将迈入混合键合时代，设备厂商 的"卖铲"之争也进入白热化。 在混合键合设备的研发竞赛中，和HBM一样，陷入了同样的韩国内 战。 从TC键合到混合键合 HBM封装的必由之路 由于摩尔定律的放缓导致传统单芯片设计的成本增加和物理限制，行业正在转向采用小芯片和3D集 成芯片（3DIC）技术来继续提升设备性能并降低成本。在这一转型中，封装已不再仅仅是保护芯片 的"外壳"，而是成为驱动AI芯片性能提升的关键因素。 公众号记得加星标⭐️，第一时间看推送不会错过。 当前，HBM芯片已成为AI计算的标配，其核心优势源于DRAM芯片的垂直堆叠结构。现阶段， 主流的芯片堆叠技术为热压键合（TCB）。该 ...