行业核心观点 - AI驱动的数据存储需求持续增长，导致存储芯片供需关系偏紧，价格快速上涨，并可能持续至2026年 [1][2][7] - 存储行业正形成由AI应用驱动的全新逻辑：“AI应用浪潮-产能聚焦高端-技术演进提速-价格结构攀升”，与传统供需周期逻辑不同 [3] - 存储原厂将产能大规模转向高密度、高性能产品（如HBM、DDR5），导致传统存储（如DDR4）供应紧缺，价格结构性暴涨 [4][5][6] 存储价格走势 - 2025年第三季度起，主要厂商发起新一轮涨价：三星计划将部分DRAM价格上调15%-30%，美光科技恢复报价后新价格普遍上涨约20% [3] - 根据Counterpoint Research数据，今年以来内存价格已累计上涨约50%，并预计在第四季度再上涨30%，涨势可能延续至2026年初 [6] - CFM闪存市场预计2026年一季度将延续上行趋势：Mobile eMMC/UFS涨幅将达25%-30%，LPDDR4X/5X涨幅或达30%-35%；PC端DDR5/LPDDR5X涨幅将达30%-35%，cSSD上涨25%-30% [6] 原厂产能策略转变 - 自2024年起，三星、SK海力士、美光三大存储原厂将产能大规模转向高密度和高性能产品 [4] - 美光在2024年11月宣布战略性收缩运营近30年的消费级品牌Crucial（英睿达） [4] - 2025年，HBM与DDR5/LPDDR5等高端产能的排他性扩张达到前所未有的程度，原厂通过新建工厂和改造产线来提升先进产能 [5] - 三大存储原厂已明确停止对DDR4的资本投入和技术迭代，并计划在2025-2026年间大幅缩减DDR4产能比重 [5] - 晶圆厂为保持最高生产效率和良率，通常集中资源专注于最主流的3-4代技术节点 [5] 市场供应与产能瓶颈 - AI需求导致头部云服务商向存储原厂抛出巨额采购订单，加剧原厂将有限产能向服务器存储倾斜，非服务器市场面临供应紧缺 [1] - 低密度、成熟制程存储产品在2025年陷入供给侧危机 [6] - 原厂主要通过调整、升级现有产线的方式向高价值产品倾斜，考虑到产能建设存在周期滞后效应，短期内行业产能提升将较为有限 [10] - 存储供应商受过去行业周期波动影响，扩产决策非常谨慎，即使面对DDR5增产的常规需求也较为保守 [10] - 像DDR5这样成熟的产线增产，从决策到产能落地的实际周期在12个月以上 [10] 国内厂商的机遇与应对 - 国际存储原厂的主动放弃，为国内存储大厂创造了市场空间 [10] - 德明利11月底披露定向增发预案，拟募资用于固态硬盘（SSD）和内存产品（DRAM）扩产项目，其中DRAM项目涵盖DDR4、DDR5技术代际 [11] - 下游需求推动了存储代工产能需求，中芯国际承接了大量包括NOR/NAND Flash等的急单 [12] - AI产业占据大量产能，导致主流供应商逐步退出碎片化、少量多样的细分市场，给众多中小规模供应商带来重要机遇 [12] - 国内逻辑芯片代工产能充裕，为存储制造提供了显著的协同优势，NOR Flash和2D NAND常与28-40nm逻辑产线共线 [12] - 通过高度标准化的工艺平台，可实现产线的动态切换，快速切入3D NAND代工领域，大幅提升存量产能利用率 [12] 技术发展与产业模式 - 在3D NAND方面，国内的Xtacking技术和海外的BiCS技术，已实现存储阵列和逻辑电路的分立加工和集成，产品性能优异 [13] - 未来DRAM芯片有望借助CBA技术实现架构升级，将存储阵列晶圆和逻辑控制单元晶圆分开制造后再键合 [13] - 江波龙等厂商的TCM（技术合约制造）模式为存储厂商提供了代工路径，在存储价格上行阶段客户接受度明显提升 [13] - 在存储技术朝存储-逻辑双晶圆堆叠进行架构升级的过程中，逻辑晶圆的制造可望在IDM模式基础上导入代工模式 [14] - 逻辑晶圆采用代工模式可借助逻辑代工产业中的HKMG、FinFET等技术，进一步优化系统级性能 [14] - 未来国内有望依托丰富的逻辑代工资源，实现存储IDM和逻辑代工的产业协同发展 [14]

行业核心观点 - AI驱动的数据存储需求持续增长，导致存储芯片供需关系持续偏紧，价格快速上涨，并可能形成新的行业逻辑[1][2][3] - 存储原厂将产能大规模转向高密度、高性能产品（如HBM、DDR5），导致传统存储（如DDR4）供应紧缺，价格结构性攀升[4][5][6] - 行业扩产态度谨慎，代工模式需求上升，为国内存储产业链带来发展机遇[10][12][14] 存储市场供需与价格动态 - **需求驱动**：AI应用浪潮驱动数据存储需求持续增长，头部云服务商抛出巨额采购订单[1] - **供需关系**：存储芯片供需关系持续偏紧，并在2024年第三季度后加剧[2] - **价格上涨**：2024年内存价格已累计上涨约50%，预计第四季度再上涨30%，涨势可能延续至2026年初[6] - **新一轮涨价**：2025年第三季度起，主要厂商发起新一轮涨价，三星计划将部分DRAM价格上调15%-30%，美光科技新报价普遍上涨约20%[3] - **未来预期**：预计2026年第一季度Mobile eMMC/UFS价格涨幅达25%-30%，LPDDR4X/5X涨幅或达30%-35%，PC端DDR5/LPDDR5X涨幅将达30%-35%，cSSD上涨25%-30%[6] - **周期判断**：至少在2025年上半年甚至全年，存储价格大规模回调至2024年Q2、Q3水平的可能性较低[7] 存储原厂产能战略转移 - **产能转向**：自2024年起，三星、SK海力士、美光三大存储原厂将产能大规模转向高密度和高性能产品[4] - **标志事件**：美光在2024年11月宣布战略性收缩其消费级品牌Crucial（英睿达），该品牌产品包括NVMe固态硬盘、外置存储设备及DDR4/DDR5内存条等[4] - **高端产能扩张**：2025年，HBM与DDR5/LPDDR5等高端产能的排他性扩张达到前所未有的程度[5] - **新建与改造**：原厂通过建设新工厂（如美光在爱达荷州和日本广岛的晶圆厂）和改造现有产线（如SK海力士将M16X厂区部分洁净室转用于HBM生产）来提升先进产能[5] - **传统产能收缩**：三大存储原厂已明确停止对DDR4的资本投入和技术迭代，并计划在2025-2026年间大幅缩减DDR4产能比重[5] - **供应危机**：低密度、成熟制程存储产品在2025年陷入供给侧危机[6] 行业扩产策略与挑战 - **扩产谨慎**：受过往行业周期波动影响，主要原厂维持审慎的产能扩张策略，即使面对DDR5增产需求，扩产决策也较为保守[10] - **扩产周期**：像DDR5这样成熟的产线增产，从决策到产能落地的实际周期在12个月以上，绝非短期内（如3-5个月）能够完成[10] - **国内扩产案例**：德明利在2024年11月底披露定向增发预案，拟募资用于固态硬盘（SSD）和内存产品（DRAM）扩产项目，其中DRAM项目涵盖DDR4、DDR5技术代际[11] - **产能提升有限**：考虑到产能建设存在周期滞后效应，且新产能达产后仍需周期实现满产及稳定供给，短期内行业产能提升将较为有限[10] 存储代工模式兴起与产业链机遇 - **代工需求增长**：下游需求推动了存储代工产能需求的水涨船高[12] - **代工厂商承接急单**：中芯国际表示承接了大量存储包括NOR/NAND Flash等急单，因主流供应商逐步退出碎片化、少量多样的细分市场，给中小规模供应商带来机遇[12] - **国内协同优势**：国内逻辑芯片代工产能充裕，为存储制造提供了显著的协同优势，NOR Flash和2D NAND常与28-40nm逻辑产线共线，通过标准化工艺平台可实现产线动态切换[12] - **技术路径**：在3D NAND方面，国内的Xtacking技术和海外的BiCS技术已实现存储阵列和逻辑电路的分立加工与集成[13] - **未来架构升级**：未来DRAM芯片有望借助CBA技术实现架构升级，将存储阵列晶圆和逻辑控制单元晶圆分开制造后再键合[13] - **TCM模式发展**：江波龙等厂商的TCM（技术合约制造）模式为存储厂商提供了代工路径，在存储价格上行阶段客户接受度明显提升，导入工作正加速进行[13] - **产业协同展望**：在存储技术朝存储-逻辑双晶圆堆叠升级的过程中，逻辑晶圆制造有望导入代工模式，借助逻辑代工产业中的先进技术优化性能，国内有望依托丰富的逻辑代工资源实现产业协同发展[14]