本轮周期上行自25Q1起，在供给端，1）DRAM：海外原厂聚焦高利润率的DDR5（Double Data Rate 5）、HBM（High Bandwidth Memory），压缩DDR3/DDR4供给，使DDR3/DDR4在2025年2月开始止跌 回升，Q2 DDR4涨幅快速扩大，根据Bloomberg，DDR4颗粒Q2涨幅基本翻倍；2）NAND Flash：海外 原厂自2024年12月以来陆续公告减产10%~15%，同时加快将产能向200层以上产品迁移，进而减少低阶 产品的供应量，2025年3月TLC（Triple-Level Cell）颗粒价格止跌回升，25Q1加速供需平衡，25Q2温和 上涨3~8%。进入9月，多家海外存储原厂包括闪迪、美光、三星均公告计划调涨主流存储DRAM、 NAND报价，我们继续看好"北美CSP（Cloud Service Provider）上调CAPEX + HDD（Hard Disk Drive） 需求外溢"带动的需求周期。 ▍需求端：AI CAPEX高增、HDD紧缺是本轮企业级SSD涨价核心原因。 1）AI CAPEX高增带动数据中心存储需求。海外四大CSP厂商2025年C ...