文章核心观点 - 近期媒体报道的"移动HBM"技术实为误传 该术语并非行业标准命名 而是源自韩国媒体ETnews的造词 实际指的是LLW DRAM或新型封装技术VFO/VCS 并非真正的HBM架构[1][4][7] - 所谓移动HBM实际指三星和SK海力士开发的低功耗宽I/O DRAM技术 其带宽达128-256GB/s 采用2D封装而非3D堆叠 专门为终端AI应用设计[6] - HBM模块本身因体积大 功耗高且成本昂贵 根本不适合移动设备 其设计初衷是服务AI/机器学习GPU/TPU等高性能处理器[3][4] HBM技术特性 - HBM采用3D TSV堆叠结构：底层为逻辑芯片Base Die 上方堆叠8/12/16片DRAM Core Die 通过硅通孔铜柱电极连接 单模块容量可达24GB(12层堆叠16Gb芯片时)[3] - 具备超宽1024bit I/O总线 传输距离极短 HBM3速率达7-8Gbps/Pin HBM3E达10Gbps/Pin 以8Gbps/Pin计算单模块带宽高达1024GB/s[3] - 通常与处理器共同集成在硅中介层上 采用BGA封装 支持4/6/8/12个模块组合 最大容量可达192GB(8个24GB模块)[3] 移动HBM传闻溯源 - 韩国媒体ETnews在2025年5月14日推测iPhone 20周年机型可能采用"Mobile HBM"或LLW DRAM 后续媒体多直接引用该报道[4] - TechInsights在2024年10月拆解发现苹果Vision Pro的R1处理器与SK海力士1Gbit LLW DRAM采用台积电InFO-M封装 带宽达256GB/s 接近HBM2水平[6] - 三星与SK海力士官方从未使用"Mobile HBM"称谓 JEDEC也未定义该标准 相关技术实质是其开发的VFO(海力士)和VCS(三星)封装技术[6][7] 技术本质辨析 - LLW DRAM目标规格为带宽128GB/s(接近HBM1) 能耗仅1.2pJ/bit 采用宽I/O总线实现高带宽 而非HBM的TSV堆叠架构[6] - VFO与VCS技术本质是小型化薄型化3D封装 采用垂直铜柱电极加RDL基板 与传统FPBGA类似 但缩短连线距离并降低厚度[7] - 移动设备所需的高带宽内存解决方案实际是低功耗宽I/O架构 与HBM的3D堆叠高功耗特性存在根本差异[4][6][7]

下一代DRAM技术发展 - 三星电子正在大力开发可接替HBM的下一代DRAM解决方案，包括PIM（存内计算）、VCT（垂直晶体管通道）、CXL（Compute Express Link）和LLW（低延迟、高带宽）DRAM等技术 [1] - PIM技术正处于半导体标准化组织中的规范讨论阶段，未来有望明确商用化路径 [1] - AI产业对内存性能的需求已经超越了当前的开发速度，DRAM厂商正积极开发新技术以提升内存集成度，晶体管和电容器持续向更精细方向演进 [1] HBM替代方案 - HBM虽将在服务器中持续使用，但由于高成本和高功耗特性，LPDDR-PIM和CXL等将成为重要替代解决方案 [2] - LPDDR目前已商用至LPDDR5X代，下一代LPDDR6的标准化工作已接近完成 [2] - PIM与LPDDR结合有望实现高能效DRAM产品 [2] CXL技术特点 - CXL是一种面向高性能服务器的下一代互连接口，用于高效连接CPU与GPU加速器、DRAM和存储设备 [2] - CXL以PCIe为基础，实现各类芯片接口的统一，从而拓展内存的带宽和容量 [2] 标准化进展 - LPDDR6规范已经大致定型，开发工作正在积极推进 [2] - PIM和LLW DRAM等产品正在半导体标准化组织JEDEC中进行规范讨论 [2] - LLW DRAM通过增加I/O端子来提高数据传输通道（带宽） [2] 定制化HBM市场 - 从HBM4开始，底层芯片将通过代工厂制造，可根据客户需求定制产品 [3][4] - 这是三星内存事业部为客户量身打造内存产品的重要起点 [4]