瀚天天成作为全球领先的SiC外延晶片生产商，近期也发布了全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片。 这一产品的推出不仅提升了下游功率器件的生产效率，还大幅降低了碳化硅芯片的单位制造成本，为产 业的规模化和低成本应用奠定了基础。与目前主流的6英寸和8英寸晶片相比，12英寸晶片在相同生产流 程下能够显著增加单片承载的芯片数量，分别为6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片的2.3倍。 新设备采用了独特的垂直分流进气方案，显著提升了晶圆表面温度的高精度闭环控制和工艺气体的精确 分区控制。此外，设备还配备了自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能，极大地提高了颗粒控制能 力和维护效率。这些技术创新将为碳化硅外延晶片的生产提供更高的效率和可靠性。 在碳化硅（SiC）核心装备领域，晶盛机电于2025年12月24日成功交付了全球首款12英寸单片式碳化硅 外延生长设备给行业领军企业瀚天天成。这一设备的研发标志着晶盛机电在SiC外延技术上的重大突 破，能够兼容8英寸和12英寸的SiC外延生产。 ...

内容来源：厦门日报、厦门火炬高新区 近日 厦企瀚天天成 依托研发团队的自主技术攻坚 成功开发出全球首款 12英寸高质量碳化硅外延晶片 这一突破 不仅能显著提高 下游功率器件的生产效率 奠定关键基础 第三代半导体碳化硅比第一代硅半导体拥有更优的高频、高压、高温能力，能够实现系统更低的能耗、更小的体积和重量，被广泛应用于新能源汽车、光 伏发电、AI电源、轨道交通、智能电网及航空航天等领域。 相较于当前主流的150mm（6英寸）碳化硅外延晶片，以及尚处产业化推进阶段的200mm（8英寸）晶片，300mm（12英寸）晶片凭借直径的显著扩容， 在相同生产工序下，单片可承载的芯片（器件）数量实现大幅提升——较6英寸晶片提升至4.4倍，较8英寸晶片提升至2.3倍。 瀚天天成生产车间。 目前，瀚天天成已启动12英寸碳化硅外延晶片的批量供应筹备工作，产品在关键性能指标上表现优异：外延层厚度不均匀性控制在3%以内，掺杂浓度不 均匀性≤8%，2mm×2mm芯片良率大于96%，可充分满足下游功率器件领域的高可靠性应用需求。 据悉，瀚天天成是中国首家实现商业化3英寸、4英寸、6英寸碳化硅外延晶片批量供应的生产商。根据灼识咨询研报，公司 ...