瀚天天成作为全球领先的SiC外延晶片生产商，近期也发布了全球首款12英寸高质量碳化硅外延晶片。 这一产品的推出不仅提升了下游功率器件的生产效率，还大幅降低了碳化硅芯片的单位制造成本，为产 业的规模化和低成本应用奠定了基础。与目前主流的6英寸和8英寸晶片相比，12英寸晶片在相同生产流 程下能够显著增加单片承载的芯片数量，分别为6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片的2.3倍。 新设备采用了独特的垂直分流进气方案，显著提升了晶圆表面温度的高精度闭环控制和工艺气体的精确 分区控制。此外，设备还配备了自动化上/下料模块及一键自动PM辅助功能，极大地提高了颗粒控制能 力和维护效率。这些技术创新将为碳化硅外延晶片的生产提供更高的效率和可靠性。 在碳化硅（SiC）核心装备领域，晶盛机电于2025年12月24日成功交付了全球首款12英寸单片式碳化硅 外延生长设备给行业领军企业瀚天天成。这一设备的研发标志着晶盛机电在SiC外延技术上的重大突 破，能够兼容8英寸和12英寸的SiC外延生产。 ...