**行业与公司** - 行业：全球内存行业（DRAM、HBM、NAND）[1] - 公司：三星电子（Samsung Electronics，005930 KS）、SK海力士（SK Hynix，000660 KS）、美光（Micron，MU US）[1][4] **核心观点与论据** **1 行业需求与超级周期** - 2026年预计出现DRAM、HBM和NAND三重超级周期，受AI服务器和传统服务器投资推动[1] - 美国科技巨头资本开支2026年预计达5266亿美元（同比增长30%），其中AI服务器及基础设施投资3651亿美元（同比增长35%）[13] - 传统服务器内存需求（DDR4/DDR5）2026年预计增长50%，企业SSD需求预计翻倍（增长100%）[2] - NAND位需求同比增长至少50%，因传统/AI数据中心存储需求强劲且HDD供应短缺[2] **2 盈利与利润率展望** - 大宗DRAM营业利润率目前40-50%，2026年预计恢复至70%（接近2017年峰值）[3] - NAND营业利润率目前盈亏平衡，2026年预计达30-40%[3] - HBM利润率分化（30%-70%），三星进入HBM3E/HBM4市场后差距可能缩窄至45-65%[3] - 三星2026年营业利润预计90万亿韩元（原预测47.9万亿），2027年130万亿韩元（原预测68.4万亿）[5][30] - SK海力士2026年营业利润预计72万亿韩元（原预测50万亿），2027年88万亿韩元（原预测66万亿）[5][90] **3 产能与扩张计划** - 三星凭借平泽4/5工厂空置洁净室拥有最高产能灵活性[4] - SK海力士M15x工厂两年仅扩张9万片（总产能45万片），龙仁工厂最早2028年贡献产能[4] - 美光新产能预计2028年投产[4] **4 技术竞争与客户谈判** - 三星2026年可能通过HBM4进入英伟达供应链[30] - 英伟达要求HBM4速度超10Gbps，三星（1C纳米技术）、SK海力士和美光均能供应[8] - 英伟达CPX方案可能增加GDDR7需求，减少HBM需求，但中长期或刺激AI需求增长[9] - HBF（高带宽闪存）方案研究中使用堆叠NAND替代HBM以提升成本效率[10] **5 目标价与估值调整** - 三星目标价上调45%至12.3万韩元（原8.4万），基于1.8倍2026年市净率[5][32] - SK海力士目标价上调50%至54万韩元（原36万），基于2.5倍2026年市净率[5][92] - 三星2026年ROE预计18.5%（原11.4%），2027年23%（原14.7%）[32][33] - SK海力士2026年ROE预计42.5%（原32.1%），2027年35.3%（原30.8%）[93] **其他重要内容** - 三星晶圆代工业务美国工厂成本高40-50%，盈利贡献不确定[31] - SK海力士净现金超30万亿韩元后可能增强股东回报（预计2026年三季度达成）[92] - 内存行业资本开支增长加速，投资持续至2027-2028年，随后可能下行[2][4] - 三星QLC NAND存在质量问题，但整体NAND价格上升推动利润率改善[30] **数据引用** - 美国科技巨头2026年资本开支：5266亿美元（同比+30%）[13] - 企业SSD需求2026年增长：100%[2] - 大宗DRAM利润率2026年预期：70%[3] - 三星2026年营业利润：90万亿韩元（原47.9万亿）[5][30] - SK海力士目标价：54万韩元（原36万）[5][92]