韩美半导体新产品规划 - 公司计划于2026年底前推出专为下一代高带宽内存（HBM）市场打造的宽温控键合机 [2] - 该设备是制造人工智能半导体HBM芯片的核心设备，通过施加精确温度和压力将垂直堆叠的DRAM芯片键合在一起 [2] - 新型宽温区键合机可选配无助焊剂键合功能，无需助焊剂即可减少芯片表面氧化膜，无需残留物清洗工序 [3] 下一代HBM技术发展趋势 - 行业正致力于开发宽HBM技术，通过水平方向扩展芯片面积来应对现有DRAM垂直堆叠超过20层的局限性 [2] - 当HBM芯片面积增大时，硅通孔和输入/输出接口数量可稳定增加，微凸点数量也会增加，从而保证内存容量和带宽 [3] - 宽HBM技术相比高堆叠方式能改善散热管理并提高电源效率 [3] 韩美半导体市场地位 - 公司在用于HBM生产的TC键合机市场占据全球领先地位，拥有约320家客户 [3] - 公司自2002年以来加强知识产权保护，已申请约120项与HBM设备相关的专利 [3] - 业界预计宽温控键合机的推出将进一步推迟混合键合机的推出时间 [3]