公司上市与募资计划 - 上海证券交易所于12月30日正式受理长鑫科技的科创板上市申请 [1] - 公司此次IPO拟募集资金高达295亿元 [1] - 募集资金主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目 [1] 公司发展历程与市场地位 - 公司于2016年成立，专注于DRAM产品的研发、设计、生产与销售 [3] - 2019年推出首款自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破 [3] - 通过“跳代研发”策略，已成功完成四代工艺技术平台量产，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等多个代次 [3] - 按出货量统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商 [3] - 公司在合肥、北京两地拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居中国第一 [3] 技术实力与研发投入 - 公司核心技术与产品达到国际先进水平 [3] - 截至2025年6月30日，已在全球范围内拥有超过5500项专利，其中境内发明专利2348项 [3] - 根据世界知识产权组织数据，公司2023年国际专利申请公开数量位列全球第22位 [3] 产业链合作与生态建设 - 公司已与阿里云、字节跳动、腾讯、小米、荣耀、OPPO、vivo等众多行业头部客户建立深度合作 [4] - 公司积极联动半导体设备、材料、设计及模组等上下游企业，共同推动国产DRAM产业生态的完善与安全可控 [4] 未来发展战略 - 公司表示IPO募投项目与未来发展战略高度契合，是提升工艺水平、加快产能建设、巩固技术优势的重要举措 [4] - 公司将继续秉持“以存储科技赋能信息社会”的使命，立足国内市场、拓展海外布局 [4] - 公司计划加速提升在中高端应用市场的占有率，深化产业链协同，持续推进工艺技术创新 [4] - 公司致力于成为技术领先与商业成功的全球半导体存储企业，为全球数字化发展提供存储基石 [4]