闪存价格全面上涨态势 - 11月19日闪存价格呈现全面上涨态势，部分产品涨幅逼近40% [1] - 1Tb QLC价格上涨25.00%至12.50美元 [1][2] - 1Tb TLC价格上涨23.81%至13美元 [1][2] - 512Gb TLC价格涨幅最高达38.46%，涨至9美元 [1][2] - 256Gb TLC价格上涨14.58%至5.50美元 [1][2] 价格上涨的供给端因素 - 三星、SK海力士、铠侠、美光等存储行业巨头从今年下半年开始集体削减NAND供应量 [6] - 今年三到四季度，三星的NAND晶圆投入量同比减少15% [6] - SK海力士NAND晶圆投入量直接削减20% [6] - 铠侠和美光也分别削减了12%和18%的NAND晶圆投入量 [6] - 各大巨头将传统TLC NAND产线改造为QLC工艺产线，导致常规NAND产能进一步被挤压 [7] 价格上涨的需求端因素 - AI技术迅猛发展，AI数据中心对存储需求呈爆发式增长 [7] - 单台AI服务器的NAND用量是传统服务器的3倍，使得大容量SSD需求激增 [7] - 科技公司开启恐慌性囤货模式，纷纷抢订NAND配额 [7] - 不少供应商明年的NAND供货配额已被抢订一空 [7] - 存储模组厂商威刚科技董事长表示四大类别存储产品都出现缺货涨价，情况前所未见 [7] 行业趋势与未来展望 - 小米集团总裁卢伟冰指出当前内存价格上涨是长周期行为，主要驱动力来自AI带来的HBM需求激增 [3] - 小米已提前布局，与合作伙伴签订了2026年全年供应协议以确保供应不受影响 [3] - TrendForce集邦咨询调查显示2026年全球存储器市场仍面临不确定性，存储器步入强劲上行周期 [7] - 摩根士丹利预测存储行业将开启一个持续数年的超级周期 [7] - 全球存储市场规模有望在2027年迈向3000亿美元 [7] 闪存技术背景 - 闪存是一种非易失性存储技术，在各类电子产品中广泛应用 [3] - QLC每个存储单元可存储4位数据，主要用于大容量SSD、数据中心存储设备等场景 [3] - TLC每个存储单元可存储3位数据，是目前消费电子产品中最普及的闪存技术 [3]