三星电子战略调整 - 公司将DDR4 DRAM芯片生产周期延长至2026年12月，取代原计划2025年底停产安排 [1] - 调整主因是高带宽内存（HBM）进展不及预期，HBM3E产品未通过英伟达认证导致市场份额被SK海力士和美光挤压 [1] - 利用已折旧的1z纳米制程产线继续生产DDR4以保持高利润率，HBM3E晶圆投片量将从每月7-8万片降至3-4万片 [3] DDR4市场供需变化 - DDR4 16Gb芯片现货价格2025年6月达12美元，同比涨幅超100%，价格反超同容量DDR5产品 [1] - 高盛预测2026年HBM价格或因产能过剩下跌10%，DDR4因供应缺口维持高价 [3] - 三星复产将使DDR4现货价格涨幅从2025Q3的40%-45%收窄至Q4的10%-15%，但合约价保持高位 [6] 竞争对手动态 - SK海力士计划2025年底HBM月产能达15万片，并提前量产HBM4以巩固技术优势 [3] - 美光加速HBM3E量产，预计2025年下半年其HBM市场份额接近整体DRAM市占率水平 [3] - 台系厂商南亚科技8Gb DDR4满产，华邦电子8Gb DDR4下半年放量并计划2026年导入16纳米制程 [5] 中国大陆厂商布局 - 长鑫存储Fab1工厂以DDR4生产为主，Fab2全面转向DDR5，DDR4产能2025年预计扩产60% [5] 中长期市场展望 - 2026年DDR4价格中枢较2025年上涨20%-30%，HBM市场进入价格战阶段 [6] - 2027年后DDR6商用将加速DDR5普及，但DDR4在工业、汽车等长尾市场存续至2030年 [6] - HBM技术门槛高且市场集中，DDR4逆势涨价显示成熟制程在新兴需求替代传统市场前仍具战略价值 [6]