行业地位与市场表现 - 中国电解铜箔产能达185万吨 占全球总产能80%以上 连续数年保持全球第一 [2] - 公司年产能15万吨 年度营收78亿元 同比增长20% 销量近10万吨级 同比增长17% 创行业历史新纪录 [2] 技术创新与产品突破 - 研发方向从设备精度导向转向电化学工艺过程导向 开发国产化替代及原创解决方案 [3] - 2018年预判高硅负极趋势 明确400-900Mpa强度铜箔发展谱系 2023年量产700Mpa以上4-6微米锂电铜箔 [3] - 独创三维形态电解铜箔（星箔/雾化箔/芯箔） 提前完成固态集流体产品布局 [4][9] - 电子电路铜箔领域5年实现高频/高速/半导体封装铜箔全面量产覆盖 突破HVLP-3/HVLP-4级别量产能力 [4] - 高频高速电路铜箔月出货量预计2025年底突破千吨级 [4] 技术研发方法论 - 行业首创研究极薄化铜箔机械性能提升 通过EBSD/TEM/XRD分析发现晶粒分布与力学性能关联 [6] - 采用改性聚醚类高分子化合物作为走位剂 形成阴极"粘体层"使铜箔结晶致密 [6] - 开发循环伏安溶出技术（CVS） 精准测量ppm级添加剂浓度 取代传统霍尔槽测试方法 [7] 产品应用与客户合作 - 超高强锂电铜箔（抗拉强度＞700Mpa 延伸率≥4.5%）应用于多款国产高端折叠屏手机 实现全球独供 [8] - 三维结构铜箔（星箔/雾化箔/芯箔）适配锂金属负极 已实现量产并送样多家客户 [9] - 进入全球AI芯片龙头企业供应链及北美顶尖云厂商供应体系 [4] 电子电路铜箔国产化 - 成立夸父实验室开发超低轮廓生箔/超微细表面粗化/低铁磁性阻挡层等核心技术 [13] - 成为国内唯一覆盖高速数字电路/高密度互联/高频/封装载板等全领域解决方案供应商 [13] - V-HS4（HVLP4代）具备量产能力 V-HS5进入特性分析阶段 研发进度国内领先 [14] - C-IC1载体铜箔通过头部企业验证 预计2025年实现进口替代 [15]