SiC芯片自研技术突破 - 公司自研了功率半导体的核心SiC芯片，该芯片需在高压大电流环境下保持稳定，一旦失效将导致电机故障[2] - 现有行业标准无法检测出隐藏极深的问题芯片，这些芯片在严苛工作环境下有突然烧毁风险[2] - 问题芯片的失效原因与制造工艺瑕疵有关，外延层表面凹坑（尺寸2-3 μm，深度~200 nm）会导致局部电场强度增加，引发寄生BJT提前导通和热失控[3] UIS测试方法创新 - 公司开发了UIS测试方法模拟极端工况，验证器件在高压尖峰下的雪崩击穿承受能力[3] - 实验结果显示含凹坑芯片的UIS失败率显著更高，25片样品中9片失效，烧毁点与凹坑位置完全匹配[3] - UIS测试为非破坏性检测，可集成到芯片制造的下线检测工艺中[3] 六边形SiC元胞设计 - 公司采用六边形SiC元胞设计，具有更小导通电阻、更大导通面积和更好可靠性[4] - 传统SiC产品较少采用六边形设计因其会增加开关损失（效率降低），但公司基于车用开关频率需求特点进行了定制化开发[4] - 具体如何解决效率问题尚未公开，需进一步了解[4] 行业人才发展 - 论文第一作者为年轻女工程师，体现了中国新能源行业快速发展背景下的人才成长[4]