光刻机技术差距 - 国产光刻机仅能生产65nm工艺芯片 相比ASML落后约20年 [1] - 中国7nm芯片生产可能依赖ASML老旧DUV设备 不具备自主制造能力 [3] - 国内公开光刻机为ArF型 仅支持90nm工艺 与ASML存在代际差距 [5] ASML市场地位与技术优势 - ASML垄断全球光刻机市场80%份额 EUV光刻机份额达100% [4] - 最新High-NA EUV光刻机单台价格超4亿美元 重180吨 支持1.4nm以下工艺 [3] - ASML从65nm发展到3nm耗时20年 累计投入研发与资本费用400亿美元 [3] 技术代际对比 - 光刻机分六代：G线(436nm)→I线(365nm)→KrF(248nm)→ArF(193nm)→ArFi(等效134nm)→EUV(13.5nm) [5] - ArFi光刻机对应7nm工艺 EUV光刻机对应7nm以下先进制程 [4][5] - 浸润式DUV光刻机(ArFi)用于65nm工艺 EUV用于7nm及以下工艺 [4] 产业设备成本结构 - 光刻机占芯片生产线设备总成本约30% 为核心设备 [3] - 其他半导体设备需围绕光刻机进行配套协作 [3]