文章核心观点 - 沙特阿卜杜拉国王科技大学研究团队实现全球首个六层堆叠式混合CMOS结构 刷新集成密度与能效标杆 为电子器件微型化与高性能发展开辟新可能[1] 技术突破与创新 - 实现全球首个六层堆叠式混合CMOS结构 此前全球未有混合CMOS超过两层堆叠的报道[1] - 制程所有步骤温度均未超过150°C 大部分工序在室温下完成 避免高温损坏底层结构[2] - 优化制程使层间表面比以往工艺更加光滑 并在层间精准对齐环节实现显著改进以确保最佳连接[2] 行业意义与发展潜力 - 半导体行业长期依靠缩小晶体管尺寸提升集成密度 但正触及量子力学极限且成本飙升[2] - 垂直堆叠晶体管被视为极具潜力的发展道路 可在更小空间内实现更强性能[2] - 混合CMOS芯片在大面积电子领域比传统硅芯片更具潜力 是实现柔性电子 智能健康与物联网的关键[1] 研究团队与发表 - 相关研究论文已发表于《自然·电子学》[1] - 研究由KAUST副教授李晓航领导的先进半导体实验室主导 马丁·希尼与托马斯·安托普洛斯教授也参与研究[2] - 论文第一作者为博士后研究员萨拉瓦南·尤瓦拉贾[2]