行业与公司 * 存储行业，具体涉及DRAM和NAND Flash两大市场，以及HBM这一细分领域[1][2][4] * 涉及的公司包括国际主要厂商三星、海力士、美光，以及国内厂商长鑫存储（DRAM）和长江存储（NAND Flash）[1][2][4][5] 市场供需、库存与价格格局 * DRAM市场库存自2025年起逐渐减少，目前原厂及代理商库存量基本维持在4个月左右，DRAM稼动率约为82%，处于正常供需关系下限（80%-85%），对价格有提升作用[1][2] * NAND Flash市场从2025年开始库存也逐渐减少，稼动率目前在78%-80%之间，预计在2025年第四季度提高到90%左右以应对需求[2][4] * 服务器占整个存储需求的30%，是增长最快的领域之一，手机市场占比最高为35%，新机发布显著提升存储需求，车载电子是另一快速增长领域[1][2] * 具体产品价格方面，DDR4 16GB 3,200颗粒现货价为6.8美元，服务器用DDR4 RDIMM 16GB 3,200从85美元上涨到90美元[2] * NAND Flash产品价格方面，1TB QLC晶圆售价5.5美金，1TB TLC晶圆售价6.2美金[4] * 2026年海外存储厂商计划扩产，HBM产能将额外增加15万片/月，DRAM和NAND均计划扩产约30万片/月，增幅约15%-16%[21] * 可通过稼动率、库存量和需求量三个指标提前发现DRAM或NAND涨价动向，稼动率提升可能使价格涨幅收窄但不改变整体上涨趋势[3][22][24] 技术演进与竞争态势 * DRAM技术方面，主流厂商三星、海力士、美光已进入D1β制程（约12纳米），国内长鑫存储处于D1z制程（15-16纳米），存在1-2代差距[1][4] * NAND Flash技术向更高堆叠层数发展，国际厂商达296层并开发400层制品，长江存储采用232层V8制品，与国际厂商差距为0.5至一代[1][4] * 存储制品逻辑阵列和存储阵列分离是未来趋势，Xstacking技术和混合键合（Hybrid Bonding）是发展方向，长江存储的技术路线符合此趋势[1][5] * 为克服制程微缩难度，CBA技术通过分离电容器、存储位元及外围电路位元并使用混合键合，CF²方技术通过3D堆叠提高单元面积密度[9] HBM市场发展 * HBM市场预计价格稳中略降，因产能扩张较多，2025年HBM产能将扩展至32.6万片/月，对应1100-1200万张GPU板卡[1][10] * HBM与AI产品存在充分必要关系，AI服务器占总存储比例约4.5%-5%[1][10] * 当前HBM市场份额为海力士约53%、三星38%、美光9%，预计到2026年第二季度将变为海力士42%、三星40%、美光18%，竞争更激烈[16][20] * 海力士主要使用MR-MUF技术（效率高精度低），三星和美光采用TC-SCF技术（精度高效率低），未来将转向Hybrid Bonding混合键合方案[3][13][14] * HBM制造关键工艺包括TSV通孔刻蚀、绝缘层/种子层/阻挡层沉积、导电物质填充、晶圆减薄、堆叠键合[15] * HBM相较于GDDR具有更高带宽和性能，更适用于AI推理与训练、高性能计算等数据密集型应用[15] 其他重要动态与趋势 * 三星寻求与长江存储合作，因NAND技术相对DRAM更简单，且长江存储与国际主流厂商差距较小[1][5] * 训练端向推理端甚至端侧发展的趋势明显，提升了DRAM和NAND需求，DRAM需求提升幅度更大，例如手机平均内存容量可能从10GB增至14GB，增幅40%以上[25] * 冷数据向热数据转化及推理端占比提高，导致HDD供不应求，拉动了ESSD（企业级SSD）市场需求和价格上涨，一片NAND晶圆最高可挑选出20%至30%的高等级产品用于ESSD[1][26][27][28] * HDD原厂如希捷、西数在未来一年内不会大规模扩产，进一步刺激了市场对ESSD的需求[26][27]