技术挑战 - 国产化面临全温区性能和抗辐照性能等技术壁垒 全温区要求产品在极端温度范围（如-55℃至125℃）内保持稳定工作 涉及温度漂移控制技术 [1] - 抗辐照性能需在辐射环境下确保可靠性 涉及材料及设计优化 [1] 技术突破 - 通过自主研发开发失调电压温度负载稳定性技术 实现精密放大器全温区低失调电压 [1] - 基于抗辐照技术推出系列产品 抗电离总剂量大于100krad(Si) 满足小卫星等高新领域需求 [1] 研发规划 - 公司将持续加大研发投入 深化全温区优化及抗辐照设计 [1]