摩尔定律的起源与早期发展 - 1965年戈登·摩尔在《Electronics》杂志提出预测：集成电路器件数量每年翻倍，预计1975年单芯片集成65000个器件[5][15] - 摩尔定律的核心观点是集成电路将成为降低成本的途径，通过技术改进实现器件成本指数级下降[13] - 1975年摩尔修正定律为每两年翻倍，并指出驱动因素包括器件微缩、晶粒尺寸优化和电路设计创新[16][18] 半导体行业的技术演进 - 晶体管架构从平面晶体管演进至FinFET（2011年商用），再到GAA（如英特尔的RibbonFET），未来可能采用CFET/FFET[35][37][39] - 英特尔技术创新路径：90nm引入应变硅提升载流子迁移率25%，45nm采用High-K金属栅解决漏电问题，18A工艺将应用背面供电技术PowerVia[31][37] - 行业突破技术节点命名局限，实际特征尺寸持续微缩，台积电和英特尔预计2030年实现万亿晶体管多芯片方案[22][25] 关键技术与物理挑战 - Dennard缩放定律指出晶体管密度翻倍时功耗不变，但近年因短沟道效应（DIBL、HCI等）面临失效[25][28] - 纳米时代技术突破：应变硅、High-K材料、FinFET三维结构分别解决载流子饱和、隧穿效应和栅极控制问题[31][35] - 未来方向包括3D堆叠晶体管（CFET）、异质集成和先进封装技术，延续"更小、更快、更好"的摩尔精髓[39][41] 历史预测与产业验证 - 1964年行业领袖预测：Haggerty预计1973年集成电路成本降至传统电路1/3，Knowles预言1974年单晶圆集成25万逻辑门（被摩尔认为荒谬但实际低估）[9][11][13] - 摩尔1959-1965年数据验证指数规律：器件数量从2个增至60个，1975年达65000个（实际增长1000倍）[15] - 胡正明团队贡献：伯克利大学提出的FinFET和FD-SOI成为延续摩尔定律的关键技术[32][33][35]