三星V9 QLC NAND产品商用化延迟 - 三星电子第九代V9 QLC NAND产品因性能问题推迟商用化，原计划去年下半年宣布首次量产，目前正进行设计和工艺层面的修正工作[2] - V9 QLC NAND的正式商用时间至少推迟到明年上半年[2] - 早期V9 QLC NAND产品因设计问题出现性能下降现象[3] 三星V9 NAND技术规格与生产计划 - 三星V9 NAND采用280层结构，并于去年4月开始首次量产基于TLC结构的产品，实现1Tb容量[3] - V9 QLC NAND相比TLC更有利于实现大容量存储器，因QLC可在单个单元中存储4bit数据[3] - 公司预计最早在明年上半年完成V9 QLC NAND的设计和工艺优化，并为扩大产能进行设备投资，计划在平泽和中国西安工厂转产[3] QLC NAND市场竞争格局 - 在QLC NAND市场，三星处于相对劣势，其主力产品仍停留在V7代，未推出V8代QLC产品[4] - 预计明年全球QLC NAND出货量中，三星占比仅约9%，而SK海力士占比36%，铠侠及闪迪占比29%，美光占比约17%[5] - 随着AI产业发展导致数据处理量急剧增长，高容量QLC NAND需求快速上升[4][5]