展会概况与主题 - 第十三届中国电子专用设备工业协会半导体设备年会及半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）于9月4日至6日在无锡太湖国际博览中心举办 主题为"做强中国芯 拥抱芯世界" 集中展示半导体关键设备 支撑配套设备 核心部件 关键材料及新兴领域的最新研发成果和创新进展 [1] - 该展会搭建了国产半导体装备 零部件企业与制造企业的合作推广桥梁 为国产产品进入国内外产业链和全球采购体系创造商机 成为行业交流与对接平台 [1] 参展企业及核心产品展示 - 中微公司发布六款半导体设备新品 覆盖等离子体刻蚀 原子层沉积及外延等关键工艺领域 包括极高深宽比等离子体刻蚀设备Primo UD-RIE® 金属刻蚀设备Primo Menova 以及Preforma Uniflash®金属栅系列原子层沉积产品和PRIMIO Epita® RP双腔减压外延设备 [3] - 新凯来展示量检测设备（丹霞山 天门山 赤壁山系列） 刻蚀与薄膜工艺装备（武夷山 普陀山 阿里山 长白山系列） 扩散装备（峨眉山 三清山系列） 通过实物模型与图片结合方式展示应用场景与技术特点 [3][5] - 先导集团聚焦半导体产业链布局 展示天芯微的减压外延设备（采用高效外延工艺和精准薄膜控制 提升产品良率和器件性能 降低故障率并延长PM周期 大幅降低单片生产成本） 先为科技的GaN MOCVD BrillMO外延设备（特有温场和流场设计保障高质量成膜 满足功率芯片和Micro LED制造需求 具备产能和成本优势） 以及元夫半导体的SDBG隐切工艺解决方案和自制砂轮（采用激光与干抛技术实现大直径晶圆超薄减薄 包括激光开槽和隐形切割设备 已与行业龙头深度合作） [7] 产教融合与人才活动 - 大会首次开设"风米人力行·产教芯相融"专题活动 包括高校科研成果展 百企人才招聘会 政策及企业宣讲三大板块 30所高校展示科研项目与技术成果 100家企业参与人才招聘 北方华创 中微公司 新凯来 同飞股份等十余家企业分享企业文化与人才战略 [8][10] - 活动旨在搭建产学研用融合平台 促进高校科研成果与产业需求精准对接 推动产教融合向更深层次发展 [10] 行业趋势与市场数据 - 半导体设备作为产业链上游基石 技术实力直接影响芯片制造工艺水准与良率 晶圆厂扩产潮持续拉动设备需求增长 [12] - 集成电路产线总投资中设备投入占比达70%—80% 全球半导体制造设备销售额2025年预计达1255亿美元（同比增长7.4%） 2026年有望进一步攀升至1381亿美元 实现连续三年增长 主要受先进逻辑 存储器及技术迁移推动 [13] - 国内半导体设备厂商在政策扶持和需求驱动下加速产品研发与技术迭代 中微公司在研项目涵盖六大类超二十款新设备 研发周期从3-5年缩短至2年或更短 [13] - 晶圆厂先进制程在AI时代产能需求增量明显 中国大陆先进制程晶圆代工厂是全球产能扩张龙头 国内半导体设备和零部件企业有望在先进制程和晶圆代工环节迎来订单突破 [13]

新产品发布概况 - 公司于9月4日推出六款半导体设备新产品 覆盖等离子体刻蚀 原子层沉积及外延等关键工艺领域 [2] - 新产品为公司向高端设备平台化转型注入新动能 预计对半导体设备市场拓展和业绩成长产生积极影响 [2][6] 刻蚀技术新产品 - 推出新一代极高深宽比等离子体刻蚀设备PrimoUD-RIE® 基于PrimoHD-RIE®架构升级 配备六个单反应台反应腔 通过更低频率更大功率射频偏压电源提供更高离子轰击能量 满足极高深宽比刻蚀严苛要求 [3] - PrimoUD-RIE®采用动态边缘阻抗调节系统提高晶圆边缘合格率 上电极多区温控系统优化散热管理 全新温度可切换多区控温静电吸盘和主动控温边缘组件提升抗电弧放电能力和晶圆边缘良率 [3] - 推出Primo Menova™ 12寸ICP单腔刻蚀设备 专注于金属刻蚀领域 适用于功率半导体 存储器件及先进逻辑芯片制造 在刻蚀均一性控制 高速率 高选择比及低底层介质损伤方面表现卓越 [4] - Primo Menova™设备配备高效腔体清洁工艺减少腔室污染延长运行时间 集成高温水蒸气除胶腔室清除表面残留光刻胶及副产物 主刻蚀腔体与除胶腔体可灵活组合满足高生产效率要求 [4] 薄膜沉积技术新产品 - 推出四款薄膜沉积设备 包括三款原子层沉积产品和一款外延产品 [5] - 12英寸原子层沉积产品PreformaUniflash®金属栅系列包含TiN TiAl及TaN三大产品 满足先进逻辑与先进存储器件金属栅应用需求 [5] - PreformaUniflash®采用双反应台设计 可配置多达五个双反应台反应腔 搭载多级匀气混气系统 基于模型算法的加热系统设计及高效反应腔流导设计 在薄膜均一性 污染物控制及生产效率方面达到世界先进水平 [5] 外延设备新产品 - 推出双腔减压外延设备PRIMIOEpita®RP 采用市场独有的双腔设计 反应腔体积为全球最小 可灵活配置多达六个反应腔 显著降低生产成本与化学品消耗同时实现高生产效率 [6] - PRIMIOEpita®RP搭载自主知识产权双腔设计 多层独立控制气体分区及多径向调节能力温场温控设计 确保优秀流场与温场均匀性 满足从成熟到先进节点的逻辑 存储和功率器件外延工艺需求 [6]